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电子科技大学专利技术
电子科技大学共有35043项专利
一种过流保护电路制造技术
本发明涉及功率集成电路设计技术。本发明针对现有技术过流保护电路容易受到功率管尖峰电流干扰,采集数据不可靠的缺点,公开了一种过流保护电路。本发明的过流保护电路主要包括电流采样电路、参考电压产生电路、电压比较器和逻辑控制单元,本发明将流过功...
一种具有真空密封功能的耐高电压连接器制造技术
本发明公开了一种具有真空密封功能的耐高电压连接器,它主要为需要进行真空密封的电子系统提供直流或交流高电压输入。它包括外导体、内导体、绝缘材料环和密封圈,所述外导体为中空管状,内导体、绝缘材料环和密封圈都设置在外导体内,且内导体穿过密封圈...
一种分割环栅的抗辐照MOSFET制造技术
一种分割环栅的抗辐照MOSFET,涉及半导体器件领域,尤其涉及一种分割环栅MOSFET的方法。本发明对环栅MOSFET进行分割,解决环栅结构难以实现较小宽长比W/L的问题,以期减小沟道泄漏电流和器件面积。本发明根据分割区的不同提出了三种...
一种MOS型功率半导体器件制造技术
一种MOS型功率半导体器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明将常规MOS型功率半导体器件中并排位于P型阱区内沿器件宽度方向呈条状结构的P型杂质重掺杂区2和N型杂质重掺杂区1改变成沿器件宽度方向呈交替间隔分布。本发明能够大大减小寄生晶体...
一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件制造技术
一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通超结MOSFET器件的第二导电类型半导体掺杂柱区(8)中嵌入一个掺杂浓度更高的第二导电类型半导体掺杂岛区(7),同时将金属化源极(1)做成槽型结...
一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管制造技术
本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管,属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底,氮化铝(AlN)成核层,氮化镓(GaN)沟道层,氮化铝(AlN)插入层,势垒层以及势垒层上形成的源极,漏极和栅...
一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管制造技术
一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件和功率集成电路技术领域。本发明在传统的绝缘栅双极型晶体管结构的基础上,在器件终端集电极区域引入一层连续或不连续的介质层。本发明通过介质层的引入可显著的降低器件终端集电极区域...
一种槽型半导体功率器件制造技术
本发明公开了一种槽型半导体功率器件,涉及槽型半导体功率器件技术领域,包括衬底层和有源层,所述有源层中形成有槽栅,槽栅纵向至少伸入到有源层中;在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽,阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬底层,介质槽分别...
一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器制造技术
一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器,属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻,可调热敏电阻一端与JFET源极相连,另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻,可调热敏电...
一种具有ESD保护功能的LIGBT器件制造技术
一种具有ESD保护功能的LIGBT器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在不增加掩膜板和工艺步骤的前提下,通过器件结构和版图优化,提供一种具有ESD保护功能的LIGBT器件。本发明与传统的IGBT器件的不同之处在于本发明不仅在阳极终结...
具有超薄源区的槽栅VDMOS器件的制备方法技术
具有超薄源区的槽栅型VDMOS的制备方法,属于半导体器件与工艺制造领域。借助斜角度离子注入技术,仅利用2张光刻版即可实现具有超薄源区的VDMOS器件,节约了制造成本,且超薄源区的形成不受光刻精度的制约,可以做得极窄,从而能够有效防止槽栅...
一种快速破坏广播音频文件病毒的方法技术
本发明提供一种快速破坏广播音频文件病毒的方法,逐一对编码流中的音频帧进行量化比特位的调整,将经重量化编码后的音频帧重新写入编码流中;在参与当前音频帧编码的所有通道子带中先选择1个通道子带进行位分配减1调整,再选择1个或多个通道子带进行位...
基于空间曲面约束的Delaunay三角网剖分方法技术
本发明公开了一种基于空间曲面约束的Delaunay三角网剖分方法,包括:通过断层数据重构空间断层曲面;通过层位初步重构,得到空间三角形曲面;在逆断层存在的区域中找出穿越断面的空间三角形并删除;补充三角形删除后所形成的空洞或缺口,使得空间...
一种三维地震图像的降噪处理方法技术
本发明公开了一种三维地震图像的降噪处理方法,充分利用了混合范数迭代算法的优越性和地震图像连续性因子的准确性,使得地震图像的降噪效果得到了明显的提升。本发明的积极效果是:通过混合范数的引入,使得在地震图像降噪的过程中,何时用1-1范数对图...
基于GPU的二维地震图像的快速缩放方法技术
本发明公开了一种基于GPU的二维地震图像的快速缩放方法,通过将GPU加速的双立方插值算法引入到地震彩色图缩放的应用中,提升了缩放和交互效果;将CUDA和openGL互操作技术引入到彩色图缩放算法中,加速缩放后彩色图的显示;将数据分块技术...
一种红外图像的线性拉伸方法技术
本发明实施例公开了一种红外图像的线性拉伸方法,包括:获取红外图像;用红外图像的像素点灰度值构建最大二叉堆和最小二叉堆;以最大二叉堆的根节点为暗点灰度值;以最小二叉堆的根节点为亮点灰度值;根据亮点灰度值和暗点灰度值获得拉伸参数;用拉伸参数...
一种有源RFID系统的低功耗运行方法技术方案
本发明涉及一种有源RFID系统的低功耗运行方法,适用于包括读写器单元和有源标签单元的有源RFID系统,其特征在于,读写器单元由上位机通过数据接口发送来的命令启动对有源标签单元的操作,读写器单元在每一次启动后,读写器单元以T1为周期连续向...
相控阵雷达任务调度方法技术
本发明公开了一种相控阵雷达任务调度方法,具体包括如下步骤:汇总所有雷达事件;获取可在当前时间指针tp指向时刻执行的所有雷达事件;计算雷达事件综合优先级;获取tp处满足资源约束条件的雷达事件,得到最终事件类型集合。本发明的方法通过脉冲交错...
大规模地震数据处理私有云环境下的网络打印系统技术方案
本发明公开了一种大规模地震数据处理私有云环境下的网络打印系统,包括数据库和分别与数据库进行通信的打印客户端节点、打印服务器节点和打印节点,所述数据库用于存储与打印相关的信息;打印客户端节点实现打印作业的生成和对打印作业的监控管理;打印服...
一种欠压锁定电路制造技术
一种欠压锁定电路,属于电子技术领域。包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)以及反相器(INV1);R1和R2串联后的一端接芯片内部电源电压,另一端接M1的漏极,R1...
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