本发明公开了一种时钟恢复控制器，具体包括：第一鉴相单元、第二鉴相单元、第三鉴相单元、第一投票表决单元、第二投票表决单元、可配置滤波单元、双向冗余移位寄存器单元、格雷码计数与译码电路单元和启动电路单元。本发明提供的时钟恢复控制器完全由数字...

一种光控方向图可重构微带天线，属于天线技术领域。本发明采用加载到微带天线寄生贴片缝隙之中的单个光控开关，通过控制激光照射强度大小改变光控开关的通断工作模式，实现微带天线的方向图可重构。与传统方向图可重构天线相比，本发明只需加载一个光控微...

本发明涉及一种小型化、圆极化RFID读写器天线，包括微带矩形环天线(1)，馈电匹配网络(2)，平面小型化耦合器(3)，输入端口(4)，隔离端口(5)，介质基片(6)，塑料螺钉(7)和环形反射器(8)。相对于传统微带天线，微带矩形环天线的...

一种数馈超宽带天线，属于数字无线通信领域，涉及非调制数字信号发射天线。包括采用共面波导串联而成数字信号输入端口（1）、数驱SRD窄脉冲信号发生器（2）和蝶形缝隙辐射单元（3）。数字信号输入端口（1）采用SMA接头，用于数字信号的馈入。数...

本发明提供了一种覆盖第二代和第三代移动通信所有频段的小型化终端天线，它在通信频段GSM900(880-960MHz)、GSM1800(1710-1880MHz)、CDMA(825-880MHz)和TD-SCDMA(1880-20250M...

该发明属于与X波段通信设备配套用五位X波段移相器。包括含回旋式设于基板上且在各转角处的外角进行倒角处理的CPW信号线及其绝缘层、CPW地线，MEMS开关梁及支撑板，MAM电容上、下极板及其支撑片在内的元器件组成的MEMS开关组，在各转角...

硅杯凹槽结构热释电厚膜探测器，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括上表面设有凹槽的硅衬底、底电极和上电极，凹槽内填充有热释电厚膜材料，底电极通过凹槽侧壁引出，所述硅衬底上表面与设置有底电极的凹槽侧壁的夹角为钝角。本发明有利于提高厚膜...

BST薄膜经时击穿的调控方法，属于电子元器件技术领域，本发明包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态下，不会影响器件...

一种浅槽金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明在现有浅槽金属氧化物半导体二极管（中国专利申请号201010519680.X）的基础上，在两个深P体区之间的N-外延层中均匀增加了若干平行于整个器件宽度方向的P型条；所述P型...

本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，?从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，栅...

含铁电层的GaN基增强型器件，涉及微电子技术领域。本发明包括AlGaN/GaN/Al2O3半导体异质结构衬底，在衬底上设置有ZnO缓冲层和外延LiNbO3型铁电薄膜层，ZnO缓冲层设置于衬底和外延LiNbO3型铁电薄膜层之间；AlGaN...

本发明提供一种在区域类别较多，不同区域之间特征相似情况下提高类别标注精度的遥感图像自动类别标注方法。基于作者-流派主题模型的遥感图像自动类别标注方法，包括步骤：一、训练与作者-流派主题模型生成步骤；二、遥感图像的视觉单词计算步骤；三、遥...

本发明公开了一种基于半监督分类的二维地震数据全层位追踪方法，包括如下步骤：步骤一、查找极值点进行波形拟合，并对种子点进行设定；步骤二、通过基于半监督分类算法的特征选择算法获得最优化特征参数，同时获得对应的聚类效果；步骤三、再用步骤一标示...

本发明涉及五轴联动数控机床的加工质量缺陷区域计算方法，包括如下步骤：步骤1：产生机床铣削零件的各坐标轴数控指令；步骤2：计算产生机床加工零件的刚度分布：根据步骤1中得到的机床各坐标轴数控指令，计算机床铣削零件过程中各坐标轴合成的刚度矩阵...

本发明公开了一种基于中心扩散加倾角属性的三维地震层位自动追踪方法，包括如下步骤：调整种子点位置；数据初始化准备；利用种子点的倾角属性确定映射点的位置，在映射点的时窗范围内寻找振幅极大值点，在每个振幅极大值点周围取一段波形数据，和种子点的...

本发明公开了一种复杂地质条件下的层速度模型构建方法，先解决了复杂地形条件下的时间层面拟合问题，在此基础上又解决了层速度填充以及速度建模的问题。本发明的积极效果是：成面的过程中，运用了网格以及断层上下盘的概念对数据做了预处理，并且引入了断...

本发明公开了一种时间分辨快响应X射线探测器，包括外壳、阴极、阳极、同轴输出窗、高压输入连接器，所述阳极呈筒状，其底部采用平滑倒角的密集筛孔结构，其外侧壁贴合有耐高压膜，耐高压膜外套有壳体，由阳极、耐高压膜和壳体形成电容结构。本发明的探测...

本发明公开了一种低距离旁瓣的调频中断连续波雷达该装置使用极化相互正交的A极化天线和B极化天线，交替的发射和接收两种极化正交的FMICW信号。同时，为了能够交替的发射和接收这两种极化正交的信号，又增加了功分器A3和合成器14，修改了收发端...

本发明公开一种应用于视觉检测的高均匀性大功率高亮度LED光源，主要解决现有技术中LED发出的光线亮度不够，以及形成的光束均匀性不高的问题。本发明包括基板，设置于基板上的发光二极管，分别设置于发光二极管两侧的第一反射镜和第二反射镜，设置于...

薄膜材料倒筒靶溅射枪，属于真空技术领域，本发明包括带有阴极和阳极的腔壁，腔壁内为两端开口的空腔，腔壁外设置有冷却装置，腔壁的一个端口处设置有负离子吸收装置，所述负离子吸收装置位于空腔以外。本发明避免了脱落的靶材发生二次溅射，从而优化了薄...