本发明公开了一种超级电容器组充放电均衡装置，包括：超级电容器组、FPGA主控器、AD模块、飞渡电容，开关网络（1），开关网络（2）和稳压电路，均衡过程中，飞渡电容不断在超级电容器组中最高电压的单体电容和倒数第二低电压的单体电容之间切换，...

本发明公开了一种新型多波长布里渊-拉曼光纤激光器，涉及光纤激光器技术领域，目的在于提供一种能产生多种波长的多波长布里渊-拉曼光纤激光器。其技术方案为：包括布里渊泵浦激光源、环形器、3db耦合器、单模光纤、波分复用器、拉曼泵浦激光源、色散...

本发明公开了一种结构简单、体积小、易于控制、容易加工的多陷波超宽带天线。该多陷波超宽带天线，包括介质基板，所述介质基板的下表面设置有金属地板，所述介质基板的上表面设置有辐射单元以及与辐射单元相连的微带馈线，所述介质基板的上表面设置有多个...

90G准光辐射器波纹波导设计方法，包括对长度参数、幅度参数的优化，对、的优化包括如下步骤，计算入射微波能量按波纹波导轴向和角向分布T(m,n)，根据耦合波理论，计算入射微波能量的A(m,n,,)，比较步骤1中的T(m,n)和步骤2中的A...

一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极导电材料接触，其...

一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体掺杂区中间夹一个...

具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提...

本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路。本发明所述的一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路，其特征在于，包括双向晶闸管、NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管的发射极和双向晶闸管的P型门连接...

本发明公开了一种电子元件配套用的采用脉动流及叶脉式微流道的散热装置，包括设有叶脉式微流道的微流道散热基板或微流道散热板和微流道散热基板、盖板的散热器，含电动机，缸体的前、后端各设有一对进、出液口的活塞式液压缸及与该液压缸两进液口对应连接...

本发明提供一种脊加载矩形波导慢波线,包括金属矩形波导、周期曲折线金属脊，所述周期曲折线金属脊加载于金属矩形波导的内壁；周期曲折线的振幅与频率不变。本发明通过再矩形波导内采用周期曲折线金属脊加载方式，电磁波沿着脊的表面附近传播，电子注运行...

本发明实施例公开了一种制造电化学电容器复合电极材料的方法，包括：将中间相炭微球活化，形成活化中间相炭微球；将所化中间相炭微球与噻吩单体加入去离子水中并分散，获得活化中间相炭微球和噻吩单体混合分散液；在活化中间相炭微球和噻吩单体混合分散液...

一种将球谐光照技术应用于面绘制的方法，其使用纹理回填的方法使球谐光照技术可以应用到面绘制中。为此，首先对面模型中的每个面片进行离散采样将其转换为点模型；然后通过球谐光照方法得到每个点的球谐系数组；根据每个面离散出来的点及其对应的球谐系数...

本发明提供一种基于一二阶合并的目标检测区域特征描述方法，包括以下步骤：步骤1、提取目标检测矩形区域img1内的方向梯度直方图HOG特征，获得特征向量hog；步骤2、提取目标检测矩形区域img1中真实目标区域的组合特征向量；步骤3、对特征...

本发明提供一种局部色调差异的自然场景文字定位方法。本发明不仅利用了文字的纹理特征，而且利用了文字区域与周围区域色调不同的特点，有效地对场景中的文字进行定位。通过取边缘像素点附近的平均色调差，利用该平均色调差与阈值相比较来判断该区域是否含...

本发明提供一种基于HOG特征的人脸检测方法，先训练出大量基于HOG特征的局部SVM分类器，然后从这些局部分类器中选出分类效果较好的。把选出的各个分类器对训练样本的分类结果组合成新的特征向量，最后对这些向量再次用SVM训练出最终的分类器。...

本发明公开了一种基于数据库时间标签的增量数据查询方法，其采用时间标签的方式分别对数据库数据和客户端请求进行标注，数据库数据携带的时间标签，记录数据的更新时间，即更新时间标签；客户端请求中携带的时间标签是用户上一次请求数据的响应时间，即响...

本发明公开了一种基于webkit内核的存储资源服务的本地扩展方法，主要解决了现有技术中存在的webkit动态加载本地库的能力较差，且在webkit中扩展自己应用的能力较差，无法满足用户需求的问题。该基于webkit内核的存储资源服务的本...

本发明涉及集成电路技术。本发明针对现有技术开关电容占用较大的芯片面积和需要外挂大电容来抑制基准电压在开关转换瞬间的过冲问题，公开了一种连续输出全集成开关电容带隙基准电路。本发明的技术方案是，连续输出全集成开关电容带隙基准电路，包括负温电...

本发明涉及模拟集成电路电路技术领域。本发明针对现有的电压限位电路输出电压不够稳定，精确度差的问题，公开了一种有源电压限位电路。本发明的技术方案是，一种有源电压限位电路，包括四只NMOS管：M1、M2、M14、M18，十四只PMOS管：M...

本发明提供一种新型的石墨烯电光调制器结构，包括石墨烯脊型光波导、硅层和二氧化硅基片，二氧化硅基片上沉积所述硅层，再在硅层上平行设置两条石墨烯脊型光波导；通过对基于石墨烯的波导施加驱动电压，调控石墨烯对光的吸收状态，使波导之间发生0~10...