本发明涉及电子电路技术。本发明所述的充电电路，包括开关网络、电感L、充电电流采样电路、充电电流设置电路、充电电流采样信号放大电路、电池电压采样电路、电池电压采样信号放大电路、转换电阻、第一缓冲器、第二缓冲器、补偿网络、PWM比较器和逻辑...

本发明公开了一种可用于重复充放电的钠离子电池的有机负极材料，属于电池领域。本发明钠离子电池有机负极材料，其活性物质为对苯二甲酸盐或不同对苯二甲酸盐的混合物，所述对苯二甲酸盐的化学组成为C8H4O4·Rx；其中，R为Li、K、Rb、Cs、...

本发明公开了一种改善pc-LEDs空间光色度均匀性的荧光粉涂层结构，包括涂覆在LED出光表面的荧光粉涂层，所述荧光粉涂层由上部涂层和下部涂层构成，所述上部涂层沿LED芯片发光表面方向的水平投影面积小于下部涂层的水平投影面积，形成一种中间...

本发明是一种财物防盗防丢失的方法，包括移动智能设备和信号接收反馈设备；移动智能设备为主人随身携带的移动智能设备，可以发送和接收信号，信号接收反馈设备和财物或者行李放在一起，可以接收移动智能设备发送的信号，并发送反馈信号。从而让移动智能设...

本发明公开了一种基于最优分数域Gabor谱特征的SAR目标检测方法，属于图像处理技术领域，其包括如下步骤：读入SAR图像信号；将所述SAR图像信号按行、列方向展开为和的信号；对两个方向的信号设计最优窗函数，并做GT；对两个方向得到的空间...

本发明提供一种基于特征点定位的人脸卡通画生成方法，包括：获取输入图像的特征点，所述特征点包括具有标志性的面部轮廓点；对输入图像中的眼睛、眉毛、鼻子分别进行重叠分块；在人脸图像块库中为所有分块寻找最佳匹配块，各最佳匹配块对应在卡通图像块库...

本发明属于图像自动检测领域，具体公开了一种自动视觉检测中基于光栅定位的二维图像拼接方法。本发明的拼接方法通过拍摄平台与相机坐标夹角参数修正子图在大图中的坐标值，计算各子图四角的位置坐标，通过各像素所对应的实际物理距离得到大图的尺寸，用双...

本发明提供一种基于分类模糊及图像分割的英文字符识别方法。当一个个子窗口完整地、理想地分割出一个独立字符时，该个子窗的最后一列或最后一行应为背景区域，分离置信度等于或接近最大值1；当个子窗口没有完整分割出一个独立字符时，该个子窗的最后一列...

本发明提供一种复杂场景下的自适应车牌字符分割方法，包括：1）车牌倾斜矫正步骤；2）2、3字符间隔位置预定位步骤：利用投影纹理特征并且结合车牌高宽比，设置多准则判定，以便简单快速地搜索2、3字符间隔位置，为字符分割的下一步骤提供了稳定可靠...

本发明提供了一种内网环境文件深度检索方法，属于互联网通信和文件检索技术领域。该方案实现的系统部署于内网环境，实现了针对内网所有主机的文件深度检索，其共分成三大部分，检索服务器、检索代理以及缓存服务器。检索服务器是检索服务的外部接口，管理...

本发明提供了一种应用于极坐标发射机的宽带幅度信号电源调制器及其调制方法.该宽带幅度信号电源调制器包括：基本时钟生成器及驱动电路、幅度信号生成器、脉冲类调制器及驱动电路、开关类放大器、整流器以及开关控制电路T；基本时钟生成器产生占空比为5...

本发明公开了一种星载空间光开关及实现方法，属于卫星通信领域。本发明包括存在间隙的两个直角棱镜（1，2）、微位移驱动器（3）、连接件（4），在两个直角棱镜的斜面的对应位置设通光区域（5），用于通光和吸附折射率匹配液（7），并微处理斜面表面...

本发明公开了一种基于后向投影算法的干涉SAR动基线处理方法，它是将BP算法引入了干涉SAR成像中，针对实际干涉合成孔径雷达成像中，等效基线在平台运动过程中是时变的，在BP成像过程中分别参考主天线运动轨迹与辅天线运动轨迹，即主天线方位聚焦...

本发明涉及数字信号处理技术。本发明解决了现有频谱分析方法误差较大精度不佳的问题，提供了一种自适应高精度快速频谱分析方法，其技术方案可概括为：首先采集模拟信号，然后进行预处理滤波，再进行模数转换，得到采样数据，然后选取28个数据进行FFT...

本发明公开了一种线路检测系统及其方法，包括图像采集系统运动控制系统，用于调节被检测物位置以及图像采集系统的对焦；该运动控制系统包括z轴步进电机、z轴丝杆、z轴载物台，所述z轴丝杆由z轴步进电机驱动旋转；该z轴载物台与所述z轴丝杆连接，z...

本发明公开了一种布里渊分布式光纤传感系统，包括布里渊散射光（1）、光电探测器（2）、信号预处理电路（3）、高速AD采集电路（4）、任意编码脉冲电路（5）、声光驱动器（6）、数据存储电路（7）、微波源（8）、微波扫频控制电路（9）、FPG...

本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有HfO2薄膜材料的制备工艺采用掺杂或加温的方式制作，不能完全生成非晶薄膜的问题，提供了一种高K二氧化铪非晶薄膜的制备方法，其技术方案可概括为：首先将表面清洁后且去除表面自然氧化层的硅基片放入真空室基...

本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有HfO2栅介质薄膜材料的制备工艺不利于薄膜的规模化制备的问题，提供了一种适用于栅介质层的低漏电流HfO2薄膜的制备方法，其技术方案可概括为：首先将表面清洁后且去除表面自然氧化层的硅基片放入真空室基底...

本发明实施例公开了提供了一种制造气体敏感复合薄膜的方法，包括：将氧化物纳米结构材料分散于有机溶剂中，获得纳米结构材料分散液；将纳米结构材料分散液铺展于LB膜槽中形成氧化物纳米结构有序层；将氧化物纳米结构有序层转移到基片表面；将基片置于导...

本发明实施例公开了一种制造复合纳米薄膜的方法，包括：形成氧化石墨烯分散溶液；用LB成膜法，用该氧化石墨烯分散在基片上形成氧化石墨烯薄膜；将铁基氧化剂溶于超纯水中形成铁基氧化剂溶液；用旋涂法将铁基氧化剂溶液涂敷在基片上的氧化石墨烯薄膜上，...