本发明公开了一种具有无标度特性的分布式SF‑LT码编码方法，包括以下步骤：S1：利用无标度网络平均路径长最小的特征，将无标度网络引入喷泉码的度分布设计中，得到网络结构具有无标度特性的LT码，即SF‑LT码；S2：将SF‑LT码引入分布式...

本发明涉及无线通信领域，尤其涉及在协作多点传输联合处理的通信系统中用可变速率的组译码方法来消除终端数据的相互干扰的方法。本发明在发送端基站根据反馈的速率来选择信道编码方式和调制方式，根据反馈的信道质量信息来选择发送的数据流数目，在接收端...

能防丢失和可自动整理作业本的储存箱，包括作业本收集装置、作业本整理装置和锁具；作业本整理装置除踏杆外均位于作业本收集装置的上方，锁具设置在作业本收集装置上。本发明的有益效果是：交作业时间自由，不容易忘带作业本，作业本补交方便，上交后的作...

本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本发明的有益效果为...

该发明一种宽带接收机非线性盲辨识及补偿方法，涉及无线电监测领域，特别是涉及对宽带接收机非线性盲辨识及补偿方法。该发明通过对失真信号进行补偿，得到混合信号，再计算出混合信号中失真分量短时能量信息的代价函数，计算出令失真分量最小的补偿参数，...

本发明提出一种高速度下基于ZC(Zadoff-Chu)序列的多用户检测方法。该方法对LTE高速场景下使用三个联合检测窗的ZC序列多用户检测方法进行了改进，首先选择特定的ZC序列根序列号产生ZC序列，而特定的ZC序列根序列号可以使得多普勒...

本发明实施例公开了一种带隙基准电压产生电路，包括：负温特性电流产生电路30，用于产生负温特性电流；正温特性电流产生电路20，连接到负温特性电流产生电路30上，用于产生正温特性电流，并且正温特性电流与负温特性电流叠加形成输出电流；稳压电路...

一种B位取代BNT微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于功能材料技术领域。微波介质陶瓷材料的化学通式为Ba3。75Nd9.5Ti18-y(M,N)yO54，其中0.6≤y≤2.5；由BaO、Nd2O3、TiO2、金属元素M、N的氧化物按化学...

一种在钛合金基片表面制备C轴取向氮化铝薄膜的方法，属于薄膜材料制备技术领域。首先对钛合金基片表面进行抛光，以尽量降低其表面粗糙度；然后采用磁控反应溅射在350～450℃的基片温度范围内预溅射一层氮化铝，待预溅射氮化铝厚度超过钛合金基片的...

本发明公开了一种认证方法和装置，包括当首次获取第一用户在触摸屏上的滑动数据时，从滑动数据中获取第一用户的行为信息建立行为模型；当再次获取第二用户在触摸屏上的滑动数据时，从滑动数据中获取第二用户的行为信息，并依据建立的行为模型，计算第二用...

本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过增加器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本发明的有益效果为...

本发明公开了一种高导电率有机薄膜太阳能光伏电池的制备方法，属于有机半导体薄膜太阳能光伏电池领域。为了解决现有技术中喷涂制备的金属阴极方阻高、导电性低，太阳能电池的载流子传输效率低等技术问题，本发明对使用纳米导电墨水原位烧结喷涂制备的金属...

本发明公开了一种非对称延迟的时间同步方法及系统。本发明在报文数据在客户端与服务器之间的往返时间RTT的间隔时间内客户端先后发送两组时间同步请求报文到服务器，服务器处理后再返回到客户端，通过获取每一组时间同步请求报文的发送时间、到达服务器...

本发明涉及碳纳米材料合成领域，具体涉及一种泡沫状碳纳米管材料及其制备方法，以及包括所述泡沫状碳纳米管材料的散热结构及所述泡沫状碳纳米管材料的散热性能测定方法。所述制备方法选用环己烷作为碳源，选用二茂铁作为催化剂，以优选的比例配置前驱液，...

本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种高压集成互连电路。本发明的高压集成电路，包括通过高压互连线4连接的LDMOS区和高压电路区，所述LDMOS区包括LDMOS源极1、LDMOS漏极2和P型阱区3；所述LDMOS漏极2、P...

该发明公开了一种基于时间反演的密集单极子MIMO天线，天线包括矩形绝缘基板，设于绝缘基板下表面的金属地板，设于绝缘基板上表面的接地金属贴片、馈线、单极子、接地线，天线整体沿轴线左右对称。其中，8个单极子密集平行排列，因为各单极子距离较近...

该发明一种覆盖石墨烯薄膜的环形光纤气体传感器涉及气体传感器领域，特别是涉及一种微纳环形光纤传感器领域。该发明通过将一根微纳光纤(输入光纤)的尾段打结形成微环结构，并设置于基片上，其尾端与另一相同规格并设置在同一基片上的微纳光纤(输出光纤...

本发明提供一种高速光电探测器频率响应测量装置与方法，用于解决现有高速光电探测器频率响应测试不精确的问题。本发明包括第一信号源、第二信号源、第三信号源以及由分束器、偏振控制器、相位调制器、声光移频器和合束器组成的光纤干涉仪，偏振控制器和相...

一种槽型积累层MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在纵向MOSFET器件的源漏之间的漂移区中引入介质槽，槽内填充介电常数较小的介质材料；介质槽被第二导电类型重掺杂栅端欧姆接触区、第二导电类型高阻区、第一导电类型高阻区、第...

本发明公开了一种60Hz通信系统中FFT处理器的重排序模块，其具体包括：第一路径选择器、RAM模块、第二路径选择器以及控制模块，所述第一路径选择器的输入端用于输入8路并行的FFT处理器运算结果，RAM模块的输入端与第一路径选择器的输出端...