本发明提供一种基于时差的分布式自适应直接定位方法，用于克服集中式定位方法存在的缺陷。包括以下步骤：1)采集数据，各接收机同时接收发射机发射的信号，并对信号进行解调，采样，得到基带的离散接收信号；2)第一次数据交换，各接收机将自身接收的离...

本发明属于医疗电子技术领域，具体为一种植入型心律转复除颤器ICD的电极植入评估装置及系统，特别是用于ICD电极的除颤效能量化评估与个体化植入优化。该系统由电生理测量装置、影像分割与重构平台、交互式电极加载平台以及除颤效能评估平台构成，并...

本发明公开了一种基于超材料的太赫兹微测辐射热计及其制备方法，由超材料太赫兹吸收器和热探测器两部分组成。其中，热探测器包含微桥支撑层、热敏电阻薄膜、金属电极和钝化层四层材料。超材料太赫兹吸收器包含底层金属膜、中间介质层、顶层金属膜三层材料...

本发明公开了一种矩形双模滤波器，包括输入输出结构、至少3个谐振腔，以及相邻矩形双模谐振腔之间的耦合结构；输入输出结构设置于矩形双模滤波器两端的谐振腔上，并通过一个耦合结构与谐振腔相连。所述矩形双模滤波器至少有3谐振腔的宽度和高度都相同。...

该发明公开了一种基于相位调制的1090ES信号扩容方法，涉及民用航空的空管监视领域。信号处理过程包括：信号发射端对数据信息的采集、PPM和子脉冲相位双重调制、扩容信号发送，信号接收端对扩容信号的接收、同步、PPM信息和相位信息解调。关键...

该发明公开了一种相干测量太赫兹波频率的方法，属于太赫兹检测技术领域，涉及太赫兹波频率的检测与计算。该方法类似于光学相干测量频率的设计，通过相应的光学元件将一路太赫兹波转变为两路，然后通过移动设备改变其中一路的待测太赫兹波的光程，使之与另...

该发明一种用于太赫兹频率的测量方法，属于太赫兹检测技术领域。该方法首先将待测太赫兹波入射第一分光镜，使折射波的出射方向垂直于第一分光镜；使第一分光镜的折射波垂直入射第二分光镜，再分别测量出第二分光镜的出射波与第一分光镜的折射波能量大小，...

本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率D...

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中引入电荷相比，在...

本发明属于阵列信号处理领域，主要涉及基于最差性能最优化准则的Capon自适应波束形成算法的稳健性。本发明提供一种基于干扰噪声协方差矩阵重构的波束形成方法，基于最大化最差情况下的波束输出SINR的目标，首先采用阵列接收数据对干扰噪声协方差...

本发明涉及电光调制器宽带电极领域，提供了一种提高有机聚合物电光调制器带宽的电极结构，其主旨在于提供一种通过改善从微带线到共面波导过渡场的不连续，保证电极具有大的3dB带宽。其包括衬底（1），有机聚合物层（3），其特征在于，有机聚合物层（...

一种应用于金属圆柱体的电磁硬表面结构及其构建方法，本发明涉及一种在特定频带内可加强电磁波传播的电磁硬表面结构及其构建方法，属于微波技术领域。该电磁硬表面结构由磁性介质层和相距宽度为g的矩形金属贴片沿磁性介质层长边方向依次排列组成的金属贴...

本发明公开了一种基于非负矩阵分解的恶性胶质母细胞瘤组织分类方法，通过信号处理技术分析核磁共振谱成像数据，进而完成对脑胶质细胞瘤的组织分类。本发明通过对病人的MRSI数据进行两次NMF分解，从而将胶质细胞瘤的三种组织类型正常、肿瘤、坏死进...

本发明涉及微电子技术。本发明解决了现有光强检测和增益自动调整方法不准确且速度慢的问题，提供了一种光电流读出电路及自适应光强成像阵列电路及其控制方法，其技术方案可概括为：光电流读出电路，由增益可调读出电路、积分电容重置信号输入端、光强检测...

本发明公开了一种带死区输入的海洋柔性立管边界控制方法，对海洋柔性系统进行建模，得到柔性立管系统的控制方程，构建边界控制率计算公式，对于边界控制率未确定的控制增益等参数，通过预先训练得到，然后实际测得柔性立管顶端的横向位移、倾角和剪切力，...

本发明提供一种基于判别性语义部件学习的对象检测方法。本发明提出的基于稀疏表示的判别性语义部件聚类提纯得到最终语义部件集合，以及利用学习的语义部件检测器的对象置信度谱获取检测结果。相对于现有基于部件的对象检测方法在对象模型训练过程中需要强...

本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极...

本发明提供了一种多频高隔离度MIMO天线，属于天线技术领域。旨在改善传统的MIMO天线存在隔离度差、频带单一、尺寸大的问题。本发明天线包括：矩形介质基板，设于介质基板上的两单元天线，两单元天线镜像对称且正交设置，两单元天线间具有较高的隔...

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种增强型HEMT器件的制备方法。本发明主要利用离子溅射的方式将金属钽溅射至栅区域AlGaN层表面，金属钽与AlGaN层反应生成化合物的同时，会消耗栅区域AlGaN层的厚度。AlGaN层势垒层的减薄使得...

本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶圆片；制备器件的...