一种带背腔结构的平面螺旋天线，属于微波器件领域。包括输入输出端口、指数渐变巴伦、平面螺旋天线、介质板和金属背腔，所述指数渐变巴伦包括平衡端和非平衡端，所述平衡端连接平面螺旋天线的两臂，所述非平衡端连接输入输出端口，所述指数渐变巴伦由金属...

本发明涉及一种生理数据检测系统、检测装置、终端设备及数据分析方法。所述生理数据检测系统包括检测装置和终端设备，检测装置可拆卸地佩戴于用户身上，并与终端设备建立通信，其中，所述检测装置用于获取用户的脑电波信号、用户佩戴部位的肌肉电信号和三...

该发明属于网络接入技术中能自动适应信道特性变化的多址接入上行技术。包括系统初始化处理，及发送端：选择与当前信道特性匹配的成型滤波器，对发送信息进行正交幅度调制，插零处理，正交化相位映射，多载波调制，信号成型及发送信号；接收端：对接收信号...

本发明公开了一种基于遥感气溶胶和萤火虫群算法的空气污染源识别方法，根据卫星光谱遥感图像反演得到气溶胶光学厚度值，并得到对应区域的风速矢量，对卫星光谱遥感图像和对应的区域数字地图网格化，得到每个图像块的气溶胶光学厚度平均值和企业对应的图像...

本发明公开了一种基于流型矩阵补全的多标签分类方法，通过在利用矩阵补全进行的多标签学习的过程中增加对特征间流型性假设的考虑，可以较为明显地提高多标签分类算法识别的效率。本发明提供的多标签分类方法从海明损失、平均精度以及覆盖率三个多标签学习...

该发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的太赫兹多频带调制器，属于电磁功能器件技术领域，重点针对太赫兹波段的快速动态功能器件。将HEMT与经过优化设计的含有多种复杂谐振模式的Metamaterials相结合，利用HEMT的高速动态特性与M...

该发明公开了一种基于碳纳米管冷阴极的行波管电子枪，属于微波毫米波技术领域，特别是用于行波管的碳纳米管冷阴极平面电子枪。针对背景技术存在的弊端结合碳纳米管场致发射材料的优异性能，设计一种碳纳米管场致发射冷阴极替代行波管电子枪的热阴极。使得...

本发明涉及半导体技术，特别涉及一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管。本发明的二极管包括N型重掺杂单晶硅衬底、N-外延层、阴极电极和阳极电极；N-外延层上层两侧具有N型重掺杂区，N型重掺杂区下表面连接有P型埋层；N型重掺杂区和P...

本发明公开了一种基于FA‑LSSVM的数控机床主轴热漂移建模方法，包括以下步骤：S1、采集样本数据并对其进行归一化处理；S2、采用模糊均值聚类分组方法和基于多元线性回归的搜索算法从样品数据中选出热漂移建模的输入变量；S3、采用烟花算法获...

本发明提出一种肝脏磁共振R2

本发明提供一种基于有约束插值技术的低码率图像编码方法，它是通过下采样技术降低图像的分辨率，减少待编码图像的信息量，从而提高图像编码效率；为了能够在图像的重建过程中较好得恢复下采样过程和编码过程中所损失的信息，本发明对图像的插值重建和下采...

超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底和设置于硅衬底和埋氧上方的漂移区、沟道区、欧姆接触重掺杂区、阴极、栅极介质、阳极引出线、栅极、阴极引出线、阳极，漂移区在阳极与沟道区之间的部分的上表面，设置有电场加...

本发明为通信技术领域，尤其涉及在脉冲干扰环境中的无线通信系统的具有强抗干扰能力的脉冲干扰抑制。本发明提供一种脉冲干扰的抑制方法，该抑制方法基于最小均方误差(Minimum Mean Square Error，MMSE)准则。在相同的干扰...

本发明属于模拟集成电路技术领域，具体的说涉及一种动态偏置电压基准源。本发明的电路基准源电路为了提高基准源的电源稳定性增加了负反馈回路反馈回路一，同时在该负反馈回路中增加了正反馈回路反馈回路二来提高该负反馈回路的反馈系数，得到一个较大的环...

本实用新型公开了一种用于分布式网络平台的网络漏洞扫描系统，分布式网络平台包括多个局域子网，多个局域子网通过路由器相互网络连接；多个局域子网包括与路由器网络连接的网络防火墙，与网络防火墙网络连接的网络交换机，与网络交换机网络连接的应用服务...

一种基于串行策略的SCMA上行通信系统多用户检测方法，属于无线通信系统的信号检测领域。本发明将传统的SCMA因子图中的节点分为J组(J为用户节点的个数)，每组为一个用户节点及其与该用户节点相连的所有资源节点，在每次迭代过程中，依次对每一...

本发明公开了一种运动想象模式脑机接口触发的下肢外骨骼训练方法及系统，包括：根据预设的运动想象任务测量使用者的脑电样本信号；信号预处理，去除信号噪声；用共同空间模式对信号进行变换，提取和选择特征；利用变换后的信号建立使用者的脑电信号分类器...

埋嵌电容用复合介电材料与埋嵌电容覆铜板及其制备方法，属于印制电路板技术领域。所述埋嵌电容用复合介电材料，由树脂基体材料与一维线状或二维带状的铁电陶瓷材料复合而成；所述埋嵌电容覆铜板由所述埋嵌电容用复合介电材料两面覆铜而成。本发明通过在树...

本发明公开了一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法，首先在衬底的表面自组装含有‑SO3‑、‑OH、‑Cl‑、‑NH2、‑F‑和‑COOH中的一种或几种官能团的一层单分子薄膜，使衬底官能团化，然后将官能团化的两片衬底并...

本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管...