本发明属金属材料表面改性技术领域。该技术通过调节电弧离子镀纯钛、纯铌金属阴极靶在镀膜过程中弧电流随时间函数的连续变化，来控制薄膜沉积生长到不同厚度时的成分，合成结合力好，硬度超过普通氮化钛铌薄膜峰值硬度的氮化钛铌超硬质梯度薄膜。该方法沉...

本发明属金属材料表面改性技术领域。该技术通过控制电弧离子镀纯钛、纯铌阴极靶在镀膜过程中的弧电流来控制薄膜的成分，在工模具钢基体上沉积合成硬度高于常用的氮化钛的氮化钛铌硬质薄膜，操作简便、控制容易。

本发明属于材料表面改性技术领域，特别涉及到磁控溅射沉积技术。该技术通过两个相对放置的ＥＣＲ放电腔磁场线圈产生的磁场和平衡磁控靶磁场在沉积室叠加形成会切场磁场位型，该磁场位型有效地约束ＥＣＲ放电和平衡磁控靶放电产生的等离子体，在薄膜生长表...

一种宽运行气压范围无离子损伤的ＥＣＲ微波等离子体增强低温外延系统与技术，系统由腔耦合型ＥＣＲ微波等离子体源、真空系统、配气系统、检测与分析及计算机数据采集与控制系统组成；配置有带差分抽气结构的ＲＨＥＥＤ，可实现原子尺度控制生长的原位实时...

高真空磁过滤弧源属于等离子体和材料表面技术领域，包括弧源屏蔽１、阴极靶２、引弧磁体３、触发机构４、水冷阳极７、主弧电源１１、辅助阳极电源５、辅助阳极１０、磁场线圈６、离化阳极８和离化电源９，真空度为１０＃＋［－１］Ｐａ～１０＃＋［－３］...

含硫酸羟胺促进剂的低温无毒磷化液及其制备方法属于表面化学技术领域。用于钢铁漆前的表面处理，适用于在汽车、化工、船舶、航空航天及家用电器等行业。本磷化液由以下组分组成：ＨＮＯ↓［３］１０－１５ｍｌ／Ｌ，Ｈ↓［３］ＰＯ↓［４］１２－１８ｍｌ...

金刚石碳锥沉积方法属于化学气相沉积微晶技术领域。其特征在于，采用平面型电感偶合射频等离子体化学气相沉积法，以氩气等惰性气体为载气，使用氢气和甲烷或己炔等碳氢反应气体，射频功率５００～１５００Ｗ；反应室气压５～５００Ｐａ；反应气体中氢碳原...

一种镁合金表面处理方法，包括脱脂工序、水洗工序、纯水洗工序、氧化工序、水洗工序、纯水洗工序和烘干工序，其特征在于，脱脂工序采用溶剂脱脂，脱脂液组成为：ＮａＯＨ　　５～２０ｇ／Ｌ，Ｎａ３ＰＯ４　　５～２０ｇ／Ｌ，Ｎａ２ＣＯ３　　５～２０ｇ...

物理气相沉积领域中的黄铜件真空离子镀替代电镀方法，包括黄铜件、抛光、清洗、烘烤、炉体真空室、脉冲负偏压、靶材，特征：在黄铜件［３］与真空室［９］之间，加有脉冲负偏压，其占空比为１０－３０％，电压为１００－２０００Ｖ，频率为４０ＫＨｚ；替...

脉冲偏压电弧离子镀钛／氮化钛纳米多层超硬薄膜的方法，是将工件经过清洗干燥后放入电弧离子镀设备的真空室中，在所有阴极弧源位置上都安装纯钛靶；抽真空到５×１０－３－２×１０－２Ｐａ；通氩气到０．３０－０．６０Ｐａ，启钛弧，弧流定在５０－７０...

本发明采用纳米α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］粉末对磷化膜改性，在锌钙锰三元阳离子体系的磷化液中加入纳米α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］（１００－１２０ｎｍ），选择合适的分散剂ＡＯＳ，使纳米α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］均匀分散在磷化液中，在一定的温度...

一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法属于金属材料表面改性技术领域。在电弧离子镀中采用双电磁场结构的阴极弧源和脉冲方式的负偏压，利用电磁场过滤减少大颗粒的数量，并通过脉冲偏压控制沉积温度，在金属表面，尤其是低熔点的铜锌铝合金材...

本发明属于低温等离子体化学技术领域。本发明由不包含基片的温度测控的等离子体辅助沉积碳化硅薄膜的装置加上尘埃颗粒的监控部分组成，其特征是：由激光器和光具组来照明尘埃颗粒，由记录设备和计算机来记录和分析尘埃颗粒的状况，沉积碳化硅薄膜的反应室...

一种用直流辉光放电在细长金属管内壁沉积类金刚石膜的方法，其特征是：在细长金属管轴线上拉一根直径３０至２００微米的钨丝构成同轴电极结构，在同轴电极结构的外部套一个绝缘陶瓷管后放入真空室内，向真空室内通入氩气浓度占３０－７０％的氩气和甲烷或...

本发明属于低温等离子体化学领域。其特征是：对射频电源进行脉冲调制，就是使射频在一段时间内输出（射频工作），下一段时间内不输出（射频休止），二者交替进行，即射频工作方式是脉冲的；对射频电源可以一重调制，也可二重或多重调制；调节脉冲调制的频...

本发明公开了一种磁镜场约束的对靶非平衡磁控溅射系统，主要用于表面工程技术领域。其特征在于：有两个通电的同轴线圈和两个永磁式磁控靶相对放置，通电线圈能够形成和两个永磁式磁控靶同轴的完全封闭的磁镜场；通过调整两对相对放置的同轴线圈的电流来控...

本发明属于金属表面改性与防腐技术领域，涉及金属表面耐腐蚀性薄膜的制备方法。其特征在于改进高温水热法，采用钠－钙玻璃为主要硅源，ＬｉＢｒ溶液同时作为硅溶剂和金属基体活化剂，使金属基体活化与ＳｉＯ↓［２］沉积同时进行，边活化边沉积的工艺使得...

一种常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶ＴｉＯ↓［２］薄膜的方法，其特征是采用共面式介质阻挡放电，在基体与绝缘介质之间的短间隙产生薄层等离子体，ＴｉＣｌ↓［４］蒸气与氧气在薄层等离子体区反应并沉积到基体上，在常温常压下直接制得具有光...

材料表面工程领域中，大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置，包括金属真空室［５］，低能离子注入电源［１４］和真空系统，特征：取消由外界输运等离子体的独立等离子体源，在真空室内安置一金属网罩［６］，等离子体源电源［８］向网罩施加直流脉冲...

本发明属于材料表面科学和物理化学的交叉技术领域。涉及铜表面预处理，特别涉及到热浸镀铝的工艺过程和助镀剂的选择。其特征是：加助镀剂前铜制件要经过碱洗－水洗－酸洗－水洗，然后浸入配置好的助镀剂水溶液中，取出挂好助镀剂的铜件烘干其水分和结晶水...