本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体复合涂层结构，包括半导体主体和防火组件，防火组件包括底涂层、缓冲层、隔热层、耐热层和阻燃层；底涂层用于方便粘连缓冲层，缓冲层用于减小外层对半导体主体的冲击，隔热层导热能力较差，隔热性能...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体复合耐热涂层，包括半导体和耐热层组，耐热层组包括氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层，氮化铬铝涂层涂覆在半导体的外表壁，并呈条纹状依次分布，氮化钛铝涂层涂覆在氮化铬铝涂层的外表壁，并呈条纹状依次分布...

本实用新型涉及保护膜技术领域，具体涉及一种半导体晶圆切割自修复耐黄变型漆面保护膜，包括保护膜本体和防脱层，防脱层包括离型膜层、粘接层、TPU结构层和金属条，粘接层和TPU结构层分别设置在保护膜本体的两侧，离型膜层与TPU结构层粘接，离型...

本发明涉及一种集成了MPS二极管的碳化硅MOSFET，所述半导体主体包括源极沟槽、栅极沟槽、N

本发明公开了一种基于5G实现智能电网电力巡检机器人远程避障的系统及方法，涉及机器人技术领域，该系统包括电力巡检机器人，所述电力巡检机器人顶部安装有可360

本发明公开了一种电力巡检机器人精准返回充电桩的方法及控制装置、充电系统，涉及机器人技术领域，该装置包括底板、充电桩、控制系统和顶板，所述顶板下表面设置有若干红外信号发射管；所有红外信号发射管均匀阵列在所述顶板下表面；所述控制系统包括控制...

本发明公开了一种高压线的监测装置及其监测方法，涉及高压线路监测技术领域，该装置包括若干监测设备、多个基站和至少一个服务器，所述监测设备一对一安装在每一高压线塔上；所述基站接收区域内监测设备的监测到每一高压线塔的数据，并分析得到数据分析结...

本发明公开了一种低成本高精度的电流采集传感器及其控制方法，涉及电子设备技术领域，该传感器包括控制器和信号采集模块；所述信号采集模块包括采样电阻R1、采样电阻R2、控制开关S1、控制开关S2及运算放大电路；所述采样电阻R1和采样电阻R2串...

本发明涉及一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法及半导体器件，包括以下步骤：在碳化硅的表面注入N型离子，从而形成简并碳化硅；使用高温退火对注入的N型离子进行激活，从而修复注入N型离子时对晶胞造成的损伤；在注入的N型离子表面积淀双层金属，从而...

本发明公开了一种模拟机器鱼真实游动场景的装置及其控制方法，涉及仿生设备测试技术领域，该装置包括控制器、缸体、循环水道、水泵和至少一个信号采集装置；所述信号采集装置安装所述缸体上，所述循环水道的两端分别连通所述缸体的两端；所述水泵安装在所...

本发明涉及一种PIN肖特基二极管的碳化硅MOSFET，包括半导体主体，所述半导体主体包括N型区、P+源极区，所述P+源极区设置在N型区上，所述N型区的下表面覆盖了金属化漏极；所述N型区的上表面与P+源极区的侧面形成沟槽，在所述沟槽内设置...

本实用新型公开了一种功率器件漏电流及可靠性测试仪，其包括插头、插座和测试仪主体；所述插头封装有MOS电容，并通过插接方式与所述插座电连接；所述测试仪主体内部设置有测试电路，并与所述插座电连接。本实用新型基于威尔逊镜像电流原理进行设计制作...