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成都华微电子科技股份有限公司专利技术
成都华微电子科技股份有限公司共有45项专利
一种基于FPGA的DDR3物理层校准方法技术
一种基于FPGA的DDR3物理层校准方法,涉及集成电路技术,本发明包括下述步骤:(1)恢复读采样时钟:从颗粒发出的DQS中提取与读DQS同频同相的读采样时钟和对其分频得到的二分频时钟;(2)确定从向颗粒发送读命令到收到数据的之间的时延周...
带有电感耦合电路的集成电路制造技术
带有电感耦合电路的集成电路,涉及集成电路技术。本发明的电感耦合电路包括:第一电感,其第一端接焊盘,第二端接第一参考点,第一参考点通过第二电容接地,所述第二电容为ESD保护器件的寄生电容;第二电感,其第一端接第一参考点,其第二端接第一差分...
片内时钟网络延时测试方法和测试电路技术
片内时钟网络延时测试方法和测试电路,涉及集成电路技术,本发明的测试方法包括下述步骤:1)芯片内部的时钟管理电路模块提供控制时钟信号和N路测试时钟信号,各测试时钟信号的相位相同,N为大于2的整数;2)构造N个测试支路,每一测试支路包括一个...
数据排序方法和硬件加速并行排序电路技术
数据排序方法和硬件加速并行排序电路,涉及集成电路技术。本发明的数据排序方法包括下述步骤:1)构造一个长度与待排序数列的长度相同的存储数列,依据预定排序方式确定比较逻辑和存储数列填充方式;2)构造一个长度与待排序数列的长度相同的中间数列和...
高线性度动态放大器制造技术
高线性度动态放大器,涉及集成电路技术,本发明包括第一差分支路和第二差分支路,第一差分支路由串联于高电平端和地电平端之间的第一MOS管和第二MOS管构成,第一MOS管和第二MOS管的连接点为第二输出端;第二差分支路由串联于高电平端和地电平...
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