多晶硅硅料的清洗方法，将多晶硅硅料置于混合酸液中进行避光浸泡１分钟～１０分钟，混合酸液温度为３０℃～３５℃，后捞取，用纯水冲洗，再经超声冲洗、压缩空气鼓泡后烘干；混合酸液为腐蚀液，配比为硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸的溶液体积比为５７∶１８∶２５...

本实用新型涉及一种超薄太阳能级硅片，是一种太阳能电池基片材料。其本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为四个相同的４５°倒角，上、下两平面的距离为１６５μｍ－１９５μｍ范围，超薄太阳能级硅片上、下两平面表面光洁、平整、无瑕疵...

本发明涉及一种超薄太阳能级硅片及其切割工艺，属于太阳能电池领域。超薄太阳能级硅片本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为四个相同的４５°倒角，上、下两平面的距离为１６５μｍ－１９５μｍ范围，翘曲度小于７５μｍ，表面光洁、平整...

本实用新型是提供一种在单晶硅拉制炉前安全便捷承接从单晶硅拉制炉的高位取出单晶硅硅锭，放置６－７小时后，待单晶硅硅锭冷却后，运送到下一道工序进行再加工的单晶硅取锭运锭车。单晶硅取锭运锭车由车身、车把和车轮组成。车身两侧的左、右车梁下方焊接...

本实用新型涉及一种硅晶棒粘棒台，它是将硅晶棒粘接到切割机的晶棒托上，然后在切割机床上切割成硅晶片的工装夹具。硅晶棒粘棒台由台座和二组台钳组成，台座两端尾座上装有可绕自身轴线回转的尾盘是用于栓接晶棒托的，台钳钳臂上部二组楔形滑块形成【】形...