本发明属于太阳能制备技术领域，具体涉及一种提高N‑TOPCon太阳能电池转换效率的清洗工艺，包括正面碱抛光去绕镀清洗，其包括如下步骤：RCA1清洗：采用NaOH/KOH：H<subgt;2</subgt;O<subgt...

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种背面处理法制备N‑TOPCon太阳能电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)清洗制绒；(2)正面硼扩散；(3)背面处理方法；(4)隧穿氧化钝化结构的制备；(5)正面清洗及正面去绕镀；其中，步...

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种采用PECVD法制备隧穿氧化层所用石墨舟的清洗工艺包括如下步骤：(1)配置初配溶液，并将石墨舟静置于初配溶液中，初配溶液中盐酸含量为15‑25wt.％，过氧化氢的浓度为3‑7wt.％，氢氟酸的浓...

本发明涉及太阳能电池生产领域，且公开了一种太阳能电池生产用插片装置，包括电池板，所述电池板的顶部等距设有若干个凹槽用于固定插片，所述凹槽内均设有固定架，所述固定架内壁两侧的底部均固定连接有联动机构，本发明提供的具有固定机构，固定机构和联...

本技术涉及烧焦设备技术领域，尤其涉及一种管式PECVD石墨卡点烧焦设备。其技术方案包括：中空槽体，所述中空槽体的两侧外壁分别设置有第一分支管和第二分支管，所述第二分支管的另一端通过管类接头与燃烧喷嘴，所述第一分支管的另一端通过管类接头与...

本技术涉及石墨舟清洗机领域，公开了一种石墨舟清洗机工件托载机构，本技术解决了普遍是夹持着保持一个方向进行水从上方留下来清洗，这导致很多的水不能从石墨舟片直接经过，而是从两片石墨舟中间流出去，导致石墨舟的清洗速度很慢，一种石墨舟清洗机工件...

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种用于太阳能电池硅片清洗剂，按质量百分比计，包括螯合剂0.15

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法，其包括硅基体，在硅基体背面依次形成隧穿氧化层、poly Si层和减反层，在硅基体的正面依次形成有发射极层、二氧化硅空心微球层、氧化铝钝化层和减反层。对于正面...

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池的氧化退火工艺，包括如下步骤：S1，进舟；S2，抽真空：升温的同时抽真空，温度升至680～720℃，压力降至200～250mbar，抽真空的时间为420～550s，通入2000～500...

本实用新型公开了一种具有冷风刀鼓风功能的硅片赶水滚轮，涉及太阳能行业技术领域，包括纯水喷淋蓄水池，纯水喷淋蓄水池的上方固定设置有赶水轮结构，赶水轮结构中活动设置有太阳能硅片，太阳能硅片的一侧设置有对称风刀机构，本实用新型解决了现如今的硅...

本实用新型公开了一种用于检测太阳能硅片的电致发光检测仪，其技术方案要点是：包括底座，底座的一侧有安装块，安装块的顶面开设有安装槽，安装槽的内圆壁面有第一电动推杆，第一电动推杆伸缩轴的一端有料盒；检测台，检测台在底座的顶面；输送组件，输送...

本实用新型公开了一种用于管式PECVD炉管的清扫设备，其技术方案要点是：包括两个固定板，两个所述固定板之间固定套接有加热管，所述加热管的内部固定安装有石英管，所述石英管的内部活动安装有石英舟，所述加热管的一侧开始有出气孔，所述出气孔的内...

本实用新型公开了一种太阳能电池用聚酰亚胺膜防脱落装置，其技术方案要点是：包括支撑柱，所述支撑柱的一侧连接有连接块A，所述连接块A的下方设置有连接块B，所述连接块B的内部连接有限位柱，所述限位柱的外圆壁面套接有滑动环，所述滑动环的一侧连接...

本实用新型提供了一种N型双面钝化接触电池结构，包括N型硅片基体以及设置在所述硅片基体正反面的正面电极栅线和背面电极栅线，所述硅片基体的正面设有B掺杂的微晶硅钝化层，所述微晶硅钝化层的上表面设有第一钝化层，所述微晶硅钝化层的下表面设有第一...

本实用新型涉及太阳能电池板生产技术领域，具体为一种组合光源辅助识别酸抛高背反电池片mark点的装置，包括机体，所述机体内侧的表面皆安装有安装架，且安装架的一侧设置有固定板，所述机体的表面安装有红外光源，且红外光源下方的固定板一侧安装有条...

本实用新型涉及制绒上料机技术领域，具体为一种制绒上料机高产能真空皮带吸片装置，包括底座，所述底座的表面安装有控制开关，所述底座的表面固定有支撑架，且支撑架两侧的表面皆安装有传动辊，所述传动辊的下方设置有料盒，且料盒的内侧设置有料板，所述...

本实用新型属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种新型的钝化接触电池的电极结构，包括设置在电池上的多条主栅线和细栅线，所述单根主栅线上间隔设有多个焊点所述单根主栅线为空心的矩形框结构，所述焊点形状为三角形，所述三角形焊点的三条边上分别设有若...

本发明涉及一种TOPCon太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)以N型硅片作为衬底进行清洗制绒；2)正面硼扩散；3)背面进行酸清洗、刻蚀；4)制遂穿氧化层以及多晶硅层：先双面生产一层氧化层，后采用分步法进行双面多晶硅层的制备；5)背面...

本发明涉及一种空穴选择性钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：（1）双面制绒；（2）无氧硼掺杂；（3）背面形貌；（4）沉积微晶硅；（5）制备细栅线图形；（6）形成轻掺杂p+层：利用酸刻蚀的方式去除非掩膜区域的微晶硅并刻蚀硼掺杂区域形成P...

本发明涉及一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，包括如下步骤：1）对N型硅片清洗制绒；2）正面硼扩散；3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作；5)背面磷扩散；6）去除正面第二层多晶硅；7）印刷掩膜层；...