正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法，其包括硅基体，在硅基体背面依次形成隧穿氧化层、poly Si层和减反层，在硅基体的正面依次形成有发射极层、二氧化硅空心微球层、氧化铝钝化层和减反层。对于正面二氧化硅微球层制备包括如下步骤：制备二氧化硅微球；镀二氧化硅微球层；去除模板剂。本案涉及的正面陷光的N型太阳能电池具有更好的陷光结构，同时减少电池表面复合，提升电池的开压和电流，从而大幅提升了电池的效率。了电池的效率。了电池的效率。

【技术实现步骤摘要】
正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，由于较高的转化效率和成熟的制造工艺，单晶PERC技术成为光伏市场主流技术，但受限于金属接触点复合及二维/三维电流传输而引起的损耗，效率很难继续提升，而TOPCon结构电池主要由超薄氧化硅层和poly硅组成，实现了后表面的钝化和选择性载流子的运输，提高了电池的效率。N型电池少子寿命高，无光之衰减，弱光响应好，温度系数低，是未来更高效率的希望，随着TOPCon设备国产化及成熟化，投资成本大幅度下降，同时TOPCon技术与现有设备兼容性较好，将成为未来电池量产化的主流技术之一。
[0003]目前太阳能电池的陷光主要是通过制绒形成金字塔结构，从而降低光的反射，制绒后的金字塔陷光结构，这种技术已经相当成熟，很难有较大的突破，因此研究新的N型TOPCon电池的陷光结构具有重要的意义，使其前表面的陷光结构不仅要有优异的钝化能力，还要有良好的透光性和陷光性，避免寄生吸收和反射造成的效率损失。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正面陷光的N型太阳能电池，包括硅基体，在硅基体背面依次形成隧穿氧化层、poly Si层和减反层，其特征在于，在硅基体的正面依次形成有发射极层、二氧化硅空心微球层、氧化铝钝化层和减反层。2.根据权利要求1所述的正面陷光的N型太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅空心微球层厚度为5
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20nm。3.根据权利要求1或2所述的正面陷光的N型太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅空心微球层中的二氧化硅空心微球表面形成有开口，开口尺寸为0.5
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1nm。4.根据权利要求3所述的正面陷光的N型太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅空心微球表面开口朝上。5.一种正面陷光的N型太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1） N型硅片制绒；２）硼扩散；３）刻蚀；４）poly Si层制备；５）磷扩散；６）正面二氧化硅微球层制备：ａ）制备二氧化硅微球：将聚丙烯酸均匀分散至浓氨水中，控制聚丙烯酸浓度为15
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20g/L，混合后迅速加入无水乙醇，完全溶解后分多次加入总体积60
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70％的正硅酸四乙酯，充分搅拌６h以...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆彬，黄辉巍，
申请(专利权)人：常州顺风太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：