本发明涉及一种铜基多层石墨烯及其制备方法。包括：在铜基底表面生长首层石墨烯；控制温度使铜基底表面产生形变，使首层石墨烯与铜基底产生局部分离，且使首层石墨烯产生裂隙，裸露出部分铜基底；经铜基底的催化作用，碳源气体在铜基底表面形成碳原子，并...

本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种二维半导体薄膜的转移方法。包括：步骤S1，在目标衬底上涂布聚合物封装材料；步骤S2，将生长有二维半导体薄膜的沉积衬底与所述目标衬底贴合，通过真空热压固化工艺进行固定；步骤S3，去除所述沉积衬...

本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种二维半导体薄膜异质结的堆叠转移方法。包括：在所述目标衬底上设置金属对位靶标，在所述目标衬底表面涂布并固化聚合物封装材料；将第一二维半导体薄膜和第二二维半导体薄膜通过中介层薄膜，经金属对位靶标...

本发明介绍一种一步原位可控制备高质量多层石墨烯的方法，包括如下步骤：在金属衬底的表面制备首层石墨烯膜；使首层石墨烯膜破损，形成分布均匀的裂纹或孔洞，金属衬底在裂纹或孔洞处裸露；在裸露金属衬底的催化裂解作用下，碳源气体在裸露金属衬底表面形...

本方案公开了一种自支撑多晶金刚石制备方法，该方法包括在传统金刚石的生长衬底的生长面，逐层转移多层石墨烯薄膜，制备成含中间层的生长衬底；在含中间层的生长衬底表面，生长制备多晶金刚石片；多晶金刚石片生长完成后，降温取出，通过纯机械法辅助剥离...

本方案公开了一种石墨烯与金属的复合材料及其制备方法，在沉积腔体内的温度低于金属熔点时，在衬底表面形成稳定的熔融态金属；在金属从液态降温转变成固态的整个过程中，在熔融态金属的远离衬底的一侧形成石墨烯，获得石墨烯与金属的复合材料；进一步的，...

本实用新型提供CVD生长烧结设备，包括进气设备、真空腔体、等离子发生器、加热设备和加压设备，所述真空腔体用于放置待生长和烧结的基底；所述等离子发生器安装在进气设备和真空腔体之间，所述进气设备输送的生长气体经过等离子发生器电离后进入真空腔...

本发明提供一种石墨烯金属复合材料的制备方法，包括：S1：在金属材料表面生长出石墨烯；S2:将生长有石墨烯的金属材料升温至其形成烧结或熔融状态，对生长有石墨烯的金属材料施加压力；S3：对生长有石墨烯的金属材料进行降温。相比于已有方法，本发...

本发明提供一种高导电电线及其制备方法，包括：选择指定形状和指定尺寸的铜丝作为芯层；在所述芯层的表面循环交替生长石墨烯膜层和铜镀层；根据生长至所需形状和所需尺寸，停止生长，高导电电线制备完成。本发明通过优化制备方法，使石墨烯膜层极为优异的...

本发明提供一种高导电电线及其制备系统和方法，包括：选择指定形状和指定尺寸的连续铜箔作为芯层；在所述铜箔表面通过化学气相沉积法连续生长石墨烯膜层；根据所述石墨烯膜层生长至所需分布和所需层数，停止生长；控制生长好所述石墨烯膜层的所述铜箔沿垂...

本发明提供连续式CVD薄膜制造设备，包括进样舱、加热舱、工艺舱和冷却舱，所述进样舱用于在真空环境下将基底层送入加热舱，所述加热舱用于对基底层进行加热后送入工艺舱，所述工艺舱用于对加热后的基底层进行气相沉积获得薄膜，将薄膜送入冷却舱，所述...