长沙瑶熙半导体科技有限公司专利技术

长沙瑶熙半导体科技有限公司共有4项专利

  • 本申请公开了一种陶瓷材料及其制备方法以及应用,陶瓷材料的组成包括摩尔比为(8~16):(55~68):(20~35)的SiO2、Si2N2O以及Si3N4。本申请通过优化陶瓷材料中存在SiO2‑Si2N2O‑Si3N4三个相的摩尔比例,...
  • 本申请公开了一种氮化硅陶瓷基液体流道散热器及其制备方法。所述氮化硅陶瓷基液体流道散热器由氮化硅陶瓷材料制备而成,所述氮化硅陶瓷基液体流道散热器具有进液孔、出液孔以及封闭的液冷流道,所述液冷流道的两端分别与所述进液孔、所述出液孔相通。本申...
  • 本申请涉及一种氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板。氮化硅陶瓷基板的制备方法,包括如下步骤:使用硅基粉末、烧结助剂和分散介质制备浆料;其中,烧结助剂包括氧化镁溶胶,烧结助剂还包括稀土氧化物溶胶中的至少一种;将浆料通过流延得到生坯片;...
  • 本申请提供的陶瓷板及其制备方法和应用。陶瓷板的制备方法包括以下步骤:利用第一陶瓷料制备第一陶瓷片,利用第二陶瓷料制备第二陶瓷片;其中,第一陶瓷料包括第一氮化硅,第一氮化硅包括β相氮化硅,第二陶瓷料包括第二氮化硅,第二氮化硅为α相氮化硅;...
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