半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是，在测试半导体激光器的温度特性时，需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热媒质、加热器、待...

大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝层，在环形沟槽及...

三维势阱激光器涉及一种激光器，属于激光技术领域。现有的激光器输出的激光束都是高斯激光束。在激光驾束制导过程中，由于高斯激光束光强分布为中心强、周边弱，当导弹在飞行中发生方向偏离需要矫正时，它所接收到的制导激光信号恰好较弱，制导的精确性、...

反波导大光学腔半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，从而提高输出功率，同时使器件的阈值电流保持在较低水平。本发明之反波导大光学腔半导体激光器的波导层采用反向线性渐...

本发明一种用ＡｌＮ制作大功率镓砷／铝镓砷激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用ＡｌＮ材料热导率高，热膨胀系数小，电阻率高，透过率高等的特点，用ＡｌＮ膜形成一种简单有效的大功率镓砷／铝镓砷激光器非吸收窗口，并用Ａ...

Ｎｉ↓［ｘ］Ｍｇ↓［１－ｘ］Ｏ短波长紫外光探测材料属于半导体材料技术领域。现有Ｇａ↓［ｘ］Ａｌ↓［１－ｘ］Ｎ材料存在的不足有，首先，制作薄膜所使用的蓝宝石衬底昂贵；其次，需要使用化学气相沉积等大型、复杂设备生长，生长温度也较高，造成了能...

本发明提供一种ＩｎＡｓ量子点材料的制备方法，和一种由该量子点材料制成的多能带太阳能电池中间能级结构。该结构具有不同尺寸的多层量子点材料，其大致均匀地分布于三维空间。本发明采用ＭＯＣＶＤ外延技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，调...

一种电子轰击型高灵敏度位敏探测器件，属于光电探测技术领域中涉及的一种光电探测器件。本实用新型要解决的技术问题是：提供一种电子轰击型高灵敏度位敏探测器件。解决的技术方案是：包括被探测目标、光学物镜组、电子轰击型高灵敏度位敏探测器件，在该器...

一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法，属于光电成像技术领域中涉及的一种防离子反馈膜的制备工艺。本发明要解决的技术问题：提供一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法。解决的技术方案包括自持有机载膜的制备，在自持有机载膜上磁控溅...

半导体激光近、远场分布观测装置属于半导体激光器器件测试技术领域。现有技术是将激光近、远场分布光斑转换为电信号后进行测试，缺乏直观性；另外，在远场分布测试上缺乏确定的方案，在列阵芯片测试方面手段欠便捷，效率低。本发明采用光学透镜系统和变像...

一种ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ晶体材料的非选择腐蚀方法，属于半导体器件制造技术领域。现有腐蚀方法采用的腐蚀液主要有Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］∶Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］∶Ｈ↓［２］Ｏ体积比分别为１∶８∶８或者３∶３∶１，以及Ｈ↓［３］ＰＯ↓［４］∶Ｈ...

一种ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＩｎＰ晶体材料的腐蚀液，属于半导体器件制造技术领域。现有的ＨＣｌ系列腐蚀液腐蚀速率及腐蚀表面的粗糙度不能满足制作半导体器件的要求，而Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］系列腐蚀液在腐蚀过程中损伤掩模光刻胶。本发明之腐蚀液的组分...

ｐｎ结Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜日盲区紫外探测器件属于光电探测技术领域。现有技术采用Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜作为光电转换器件，其光谱响应度有待提高；而虽然ｐｎ结Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜因ｐｎ结的雪崩作用而具有...

硅微通道内连续打拿极的制作方法涉及到的是一种在长径比大于４０的硅单晶基体微孔深通道内制作连续打拿极的方法，最终制得微通道板，属于光电成像技术领域。现有采用玻璃骨架制作的微通道板噪声高、分辨率低。本发明采用硅单晶微通道阵列骨架作为微通道板...

双线圈节能接触器涉及一种控制用电设备电源断路、闭合的直流或者交流接触器，属于电气控制技术领域。现有的接触器其吸合线圈兼作保持线圈，以与吸合电流同样大小的电流保持接触器的吸合状态，而实际上吸合电流比保持电流大的多，尤其保持吸合是接触器的常...

内置排线齿形带属于探测技术领域。现有的齿形带、排线各自功能独立，前者的作用就在于机械传动，后者的作用就是传输电流。对于同时需要机械传动、电流传输的场合，二者只能同时使用。本实用新型的方案是，在条状齿形带基体中若干根导线在同一层面上彼此相...

反应物碳兼做还原剂的电子俘获材料制备方法属于光学功能材料技术领域。现有的制备方法在原料中加入硫粉，对设备有腐蚀作用，对环境有污染，并且，硫粉的加入量极难按即定化学剂量比控制，会产生有害物质，降低了电子俘获材料基质纯度，从而降低产品成品率...

微波加热与燃烧制备电子俘获材料的方法属于光学功能材料制备技术领域。现有的高温固相法的主要缺点是加热温度高、灼烧时间长，所制备的产物因此而发光效率降低。本发明用微波加热烧结方法制备电子俘获材料，在配合料中均匀掺入吸波剂，硫在这一制备过程中...

一种电工电子及自动化综合实验装置，属于教学、实验仪器技术领域，其特征是：由开关控制模块、直流电源实验模板、变频器实验单元、单片机实验模板、可编程控制器、驱动电路实验模板、操作面板、计算机和控制对象组成。在开关控制模块中，空气开关、接触器...

铁塔构件孔的形位尺寸非接触光电检测方法属于光电检测技术领域。输电铁塔构件主要是条状钢材，并在构件上打孔，是否漏打，孔的行为尺寸如何，通常采用人工的方式检测，不仅测量精度较低，而且测量精度在很大程度上受测量操作者的主观因素影响，测量精度不...