本申请提供了一种电机的散热外壳，该散热外壳包括外壳本体，外壳本体内部设置有容纳腔，容纳腔内设置有低温合金，低温合金能够在预设温度下熔化吸热以帮助散热外壳散热；容纳腔为密闭的腔体。通过使用该散热外壳，电机的最高温度以及制冷机最大电流值都能...

本申请提供了一种端子安装装置，该装置包括：压接机，包括工作台底座、压接杆和压接力调节模块；定位基座，用于承载、固定短路接口板，定位基座能够放置于工作台底座上；短路接口板的多个插孔内预安装有端子，插孔与端子一一对应；以及，环形压接头，其可...

本实用新型公开一种退火管夹持装置，上卡箍设置至少两个弧形槽，下卡箍设置至少两个弧形槽，上卡箍和下卡箍的弧形槽相互配合，上卡箍的其中一个弧形槽与下卡箍和其中一个弧形槽形成一组，一组弧形槽夹持一根退火管；紧固装置用于夹紧上卡箍和下卡箍，使上...

本申请公开了焦平面探测器及其铟球阵列制备方法，该方法包括获得上表面分布有光刻胶和第一金属层的预处理读出电路芯片；光刻胶对应输入级像元以外的区域，第一金属层覆盖光刻胶和输入级像元；在第一金属层对应输入级像元的区域形成台状体介质膜层，得到处...

本发明公开了一种探测器互连结构的制备方法和探测器，方法包括：根据探测芯片上每个探测元电极的高度，确定与每个探测元电极对应的探测器互联结构的高度；根据每个探测器互联结构的高度和读取芯片上每个探测器互联结构对应的读取电极的尺寸，确定与每个探...

本发明公开了一种双色红外探测器制备方法，通过分别在双色红外探测芯片设置一部分连接柱，以及在读出电路表面设置一部分连接柱，可以有效减少在读出电路设置具有一定高度的连接柱的密度，同时保证在双色红外探测芯片表面设置连接柱时其密度同样较低，进而...

本发明公开了一种微小晶片的光刻方法，通过将待光刻晶片嵌设于晶片载片的装片卡槽上；其中，所述晶片载片包括与所述装片卡槽共面设置的对准标记；对所述待光刻晶片进行涂胶并烘烤；根据所述对准标记对经过烘烤的待光刻晶片进行投影曝光；对曝光后的待光刻...

本发明公开了一种红外焦平面探测器的制作方法，通过在p型基体上表面设置钝化层；透过所述钝化层对所述p型基体进行整面注入，得到连续的n型掺杂层；在所述钝化层表面光刻隔离槽图形，并根据所述隔离槽图形，刻蚀得到穿透所述钝化层及所述n型掺杂层，且...

本发明公开了一种红外探测器阵列，从下至上依次包括p型基体、n型像元层、第一钝化层、第一金属接触层、第二钝化层及第二金属接触层；所述n型像元层包括多个按预设二维图案间隔设置的n型掺杂区；所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的一层包括n...

本发明公开了一种离子激活的检测方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一导电类型的外延层，以制备形成待测晶片；将待测晶片划片分为第一晶片和第二晶片，其中，第一晶片包括第一衬底和第一外延层，第二晶片包括第二衬底和第二外延层；将第一外延层减薄至预...

本公开提供一种红外焦平面探测器芯片及其制备方法，所述红外焦平面探测器芯片包括位于所述衬底表面内或表面上的呈阵列排列的若干第二导电类型掺杂区；其中，各个所述掺杂区的尺寸沿所述掺杂区阵列中心至所述掺杂区阵列边缘的方向逐渐增大；位于所述掺杂区...

本申请公开了一种用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法、探测器芯片，包括：在内部已制备好pn结的碲镉汞晶片表面依次形成碲化镉层和硫化锌层；在硫化锌层表面形成对应于除待形成的接触孔区域以外的区域的光刻胶；以光刻胶为掩膜，通过湿法腐蚀工艺去除掉...

本发明公开了一种倒装互连芯片填充装置及方法，用于扩大上芯片与下芯片之间的点胶区域，倒装互连芯片填充装置包括：夹具，所述夹具上设置有倾斜平面，用于使倒装互连芯片倾斜固定在夹具上；所述倒装互连芯片包括上芯片和位于上芯片下方的下芯片，倾斜状态...

本发明提供一种红外探测装置及制备方法，包括：形成在第一导电类型半导体基底中的若干个分离的第二导电类型半导体区，第一导电类型半导体基底与第二导电类型半导体区构成若干个光电二极管，若干个光电二极管呈阵列排布；设置在第一导电类型半导体基底和第...

本发明提供了一种晶片介质膜沉积装片装置，包括：主体外壳，所述主体外壳内部为装片操作腔，所述主体外壳底部均匀地开设有多个通风孔，所述主体外壳一侧侧面上开设有对接口，所述对接口处设置有能够密封对接介质膜沉积设备的波纹伸缩接头；过滤送风单元，...

本发明公开了一种芯片清洗装置，包括：承载部，其具有多个相互分隔的清洗单元，所述清洗单元用于放置芯片；手持部，其连接在所述承载部上，用于使位于承载部上的芯片浸没于溶剂中或从溶剂中提出，所述溶剂用于清洗芯片；搅拌器，其用于使溶剂流动，以对芯...

本公开提供一种离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片的制备方法包括：在所述P型碲镉汞衬底上方形成介质膜层；对所述P型碲镉汞衬底和所述介质膜层进行热处理工艺；在所述介质膜层上方形成光刻胶掩膜层，并对所述光刻胶掩膜层...

本发明公开了一种水平液相外延石墨舟，包括至少一个刮除装置，拉动滑条至第一预设位置时，刮除装置能够刮除滑条上滞留的母液；以及至少一个吸收装置，拉动滑条至第二预设位置时，吸收装置能够吸收滑条上滞留的母液；并且拉动滑条时，滑条先滑动至衬底槽与...

本发明公开一种焦平面芯片介质膜剥离装置，剥离腔的内腔中设置用于固定芯片的承托板，承托板上设置落料孔；剥离腔内用于盛放剥离溶液；剥离腔的上盖上正对芯片的位置设置剥离进气管，剥离进气管用于竖向正对芯片的上表面吹气，剥离进气管的气流带动剥离溶...

本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟，包括具有至少两组水平液相外延组件的生长部件，水平液相外延组件逐层设置，每组水平液相外延组件均能够用于生长至少一片碲镉汞薄膜材料，相邻层间的水平液相外延组件相互连通；设置于生长部件下方的底座；设...