本发明提供一种红外探测装置及制备方法，包括：形成在第一导电类型半导体基底中的若干个分离的第二导电类型半导体区，第一导电类型半导体基底与第二导电类型半导体区构成若干个光电二极管，若干个光电二极管呈阵列排布；设置在第一导电类型半导体基底和第...

本发明提供了一种晶片介质膜沉积装片装置，包括：主体外壳，所述主体外壳内部为装片操作腔，所述主体外壳底部均匀地开设有多个通风孔，所述主体外壳一侧侧面上开设有对接口，所述对接口处设置有能够密封对接介质膜沉积设备的波纹伸缩接头；过滤送风单元，...

本发明公开了一种芯片清洗装置，包括：承载部，其具有多个相互分隔的清洗单元，所述清洗单元用于放置芯片；手持部，其连接在所述承载部上，用于使位于承载部上的芯片浸没于溶剂中或从溶剂中提出，所述溶剂用于清洗芯片；搅拌器，其用于使溶剂流动，以对芯...

本公开提供一种离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片的制备方法包括：在所述P型碲镉汞衬底上方形成介质膜层；对所述P型碲镉汞衬底和所述介质膜层进行热处理工艺；在所述介质膜层上方形成光刻胶掩膜层，并对所述光刻胶掩膜层...

本发明公开了一种水平液相外延石墨舟，包括至少一个刮除装置，拉动滑条至第一预设位置时，刮除装置能够刮除滑条上滞留的母液；以及至少一个吸收装置，拉动滑条至第二预设位置时，吸收装置能够吸收滑条上滞留的母液；并且拉动滑条时，滑条先滑动至衬底槽与...

本发明公开一种焦平面芯片介质膜剥离装置，剥离腔的内腔中设置用于固定芯片的承托板，承托板上设置落料孔；剥离腔内用于盛放剥离溶液；剥离腔的上盖上正对芯片的位置设置剥离进气管，剥离进气管用于竖向正对芯片的上表面吹气，剥离进气管的气流带动剥离溶...

本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟，包括具有至少两组水平液相外延组件的生长部件，水平液相外延组件逐层设置，每组水平液相外延组件均能够用于生长至少一片碲镉汞薄膜材料，相邻层间的水平液相外延组件相互连通；设置于生长部件下方的底座；设...

本发明公开了一种红外探测器贴装装置。该红外探测器贴装装置包括工作平台；位置可调的基座组件；能够与基座组件可拆卸连接的基准块和封装结构；位置可调的部件载台，部件载台上设有定位块放置槽和冷屏放置槽；能够与基准块配合的定位块；具有能够移动的夹...

本申请公开了石英管组件及其真空检验方法，该方法包括获得初次真空封接后待检验的石英管组件，石英管组件具有第一真空度，其中，石英管组件包括石英管、位于石英管底部的汞、位于石英管中部的晶片、位于石英管顶部内的石英套管；对石英管组件进行抽真空，...

本发明公开了一种水平液相外延石墨舟。该水平液相外延石墨舟包括至少两个具有母液滞留槽的槽体组，相邻的槽体组之间相互连通；具有至少两个衬底槽的滑条；设置于滑条下方的底托；设置于槽体组上方的盖板，滑条能够在底托与母液槽之间滑动，并且滑条拉动至...

本申请公开了一种石英管高真空排气系统，包括石英管，所述石英管的开口端连接至真空泵体，所述开口端的内部容纳有套管，排气时所述套管与所述石英管内壁之间具有空隙，排气完成后所述套管与所述石英管内壁烧结成密封状态，所述石英管的封闭端里面容纳有汞...

本申请公开了晶片刻蚀方法，包括获得待处理硅托盘；在待处理硅托盘的上表面制作用于固定晶片的定位凹槽；在定位凹槽的底部向下制作用于阻止导热介质外溢的储液环槽，得到硅托盘，储液环槽的尺寸小于定位凹槽的尺寸；在位于储液环槽区域内的定位凹槽中放入...