本发明公开了一种降低磷化镓单晶尾部位错的方法，其方法步骤如下：１）在磷化镓单晶生长将结束前１～２小时始，缓慢升温，升温速率０．１℃／ｍｉｎ～０．４℃／ｍｉｎ，连续升温１０℃－３０℃；２）当晶体生长到尾部浮舟落底且保持固液交界面不出现结晶...

一种钇钡铜氧单畴超导块的多籽晶制备方法，该方法包括下述步骤：（１）采用Ｙ↓［１．８］Ｂａ↓［２．４］Ｃｕ↓［３．４］Ｏ↓［ｙ］的粉末制备预成型块；（２）通过熔融织构和顶部籽晶的方法生长ｃ轴取向的单畴结构ＳｍＢａＣｕＯ块，并定向切割即得到...

一种晶体生长的装置及方法，坩埚熔体上方有一根可以升降的管状的热交换器，管状的热交换器的下端带有一个夹头，其上装有籽晶，在管状的热交换器内设置有向管状的热交换器内底部输送氦气的输气管。所述装置的晶体生长的方法，主要包括下列步骤：（１）电阻...

一种清除直拉硅单晶炉内ＳｉＯ的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的...

本发明公开了属于生长单晶技术领域的一种降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置。该装置为直拉炉，在炉体内中央的坩埚杆顶部固定坩埚，主发热体和底发热体固定坩埚周围和底部，侧保温屏和上保温屏组成保温罩，罩在主加热体和底加热体周围，籽晶夹头挂在坩...

一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法，它包括以下几个步骤：获得热屏倒影的数据；对数据进行处理，得到Ｄ；与Ｄ↓［０］进行比较Ｄ－Ｄ↓［０］差值输入模－数转换器，换算成控制埚升电机升速的电信号，提高或降低埚升电机的速度；反馈电路将升速的...

一种在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置，它包括：生长室，该室内有一用于熔化生产晶体原料的坩埚；位于生长室上方，用于接收从坩埚内的熔体中提拉出的晶体的提拉室；拉晶工具，拉晶工具在其下端处有一籽晶夹持器；同时设置了用于升降带籽晶...

一种改进的生长掺杂硅晶体的方法及其装置，所述的方法是：将多晶硅装入石英坩埚容器内加热熔化；在籽晶浸入熔体前和／或在以下引晶、放肩、转肩、等径初期晶体生长工序的至少一个工序中，将低熔点、易升华的掺杂剂从位于提拉室以外、设在生长室侧上方的对...

一种采用热交换法生长半球型晶体的装置，其特征是，在半球形的坩埚外的底部中央接触连接电热交换器，在管状的热交换器内设置有输送气体的输气管。使用上述装置生长半球型晶体的方法，它主要包括下列步骤：（１）电阻加热器升温，使坩埚内原料熔化，同时在...

一种能够提高设备利用率和产品质量稳定性、降低生产成本和工艺难度，而且易于大规模生产的制备Ｓｉ、Ｃｕ双掺Ｎ型高阻ＧａＡｓ单晶材料的方法。技术方案是：包括下列步骤：（１）选择高纯多晶，多晶的迁移率在３０００ｃｍ↑［２］／ｖ．ｓ以上，浓度小于...

一种分配和评估三氯氢硅或四氯化硅供应系统的控制管路，它包括：分配三氯氢硅或四氯化硅供应系统的控制管路；一条用于连接插入三氯氢硅或四氯化硅液罐中的Ｈ↓［２］气压入管路的管路；一条用于连接以下两条管路的管路，被连接的管路是插入三氯氢硅或四氯...

本发明提供一种３００ｍｍ薄层外延工艺，它包括：（１）在高温下，用ＨＣｌ腐蚀石墨组件工艺；（２）用ＴＣＳ在高温下迅速分解生成多晶硅，迅速覆盖在石墨组件的表层，形成预沉积本征硅层；（３）向外延沉积腔内通入反应气体ＴＣＳ和氢气，生成本征外延层...

一种缩短外延尾气处理器维护时间的方法及装置。方法是在水洗法的基础上，通过氮气的吹扫，进气口的絮状硅化物脱落到水槽内，利用水泵抽取水槽内的水，同时由于水泵的抽力，漂浮在水面上的絮状硅化物被聚集在漏斗内，打开化学液阀门，启动化学泵，将浓碱加...

一种外延尾气处理器快速维护的方法，它为水洗法，其特征在于：使用氮气吹扫装置将絮状硅化物吹落；打开自来水的阀门，增加水槽内的水位，使得液位浸没超声发生器后关闭自来水阀门；启动超声发生器，在超声波的作用下，絮状硅化物被粉碎成小的颗粒；经过超...

本发明涉及一种氮硅共熔合金及其制造方法和用途。氮硅共熔合金中总氮浓度为１Ｅ１６－７Ｅ１８原子／立方厘米。该氮硅共熔合金用于直拉单晶制备工艺中的氮的掺杂，在直拉（切克劳斯基法）制造的硅单晶生长方法中，适量氮的加入既不影响长成单晶体，也可以...

本发明提供一种延长直拉单晶炉中主发热体使用寿命、减少其自重的方法，该主发热体由石墨制成，它用在一种名为切克劳斯基（或称直拉）法制造的硅单晶生长制备中，用于供给维持热场用的热量。本方法是将发热片波浪状转弯处的外壁及内壁的直角做成为圆弧倒角...

本发明涉及金属窄带的生产方法，尤其与钨钼窄带的生产工艺有关。本发明设计的生产方法包括线坯电解加工工序、温轧开坯工序及冷态精轧工序。由于增加了电解加工工序，去除了线坯表面的脆性层及微裂纹，因此可明显提高窄带的成品率，而且工艺简单。

本发明涉及一种钛镍合金电化学抛光液配方。该电化学抛光液为无水抛光液，由多种醇类、高氯酸、添加剂组成。本配方不但可有效去除钛镍合金冷热加工过程中生成的厚氧化层、润滑剂（如石墨）层和夹杂物，有利于得到良好的抛光表面，而且具有加工效率高、实用...

一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：（１）以磷酸与丙三醇的体积比为９５－１０５∶０．１－０．５，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为８５％；（２）以步骤（１）配制的电化学抛光...

本实用新型公开了一种连续制备泡沫金属的电铸装置，属于电铸技术领域。电铸装置包括电铸槽箱体、传送对辊和阳极，电铸槽箱体内至少有一个电铸槽，在电铸槽两侧有隔离槽，在电铸槽和隔离槽的侧壁上开有竖向槽孔，传送对辊竖向安装在隔离槽中，阳极安装在电...