一种用于减少硅单晶棒截断崩边的工具，其特征是，它包含垫槽，二个夹紧块（６）和一个直杆，直杆依次穿过二个夹紧块（６）的中间孔，所说的垫槽为两边带有凹槽的垫槽（５），使二个夹紧块（６）可在两边带有凹槽的垫槽（６）内及直杆上移动，二个夹紧块（...

一种防止硅片在生长多晶过程中产生崩边的石英舟，它包括：石英舟架，石英舟定位棒，石英舟定位管，上料棒，所述的石英舟上料棒的外面，套一个石英护管，石英护管的直径较上料棒大，石英护管上开槽，开槽的位置为上料棒开槽的上方，且垂直于上料棒的轴线。...

一种区熔多晶切六棱锥装置，它包括：操作平台，平台上装有沿导轨匀速左右运动的支架，支架上安装有卡具，卡具上安装有多晶棒料；多晶料棒的轴向同导轨轴呈一夹角α，且０°＜α＜９０°，平台上还装有一个切割装置，该切割装置包括：支撑装置、切割刀片，...

一种单晶生长用异形舟，它包括有舟中间的主体，两边分为舟头、舟尾，其特征在于：所述舟的主体分为上、下两部分，上部分为矩形，最底部为一平面，矩形与平面之间由圆弧平滑面联接。本实用新型的异形舟主要有三种：第一种：合成异形舟；第二种：φ５０．８...

一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，其特征在于：所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不与下料棒槽的槽底相接触，位于两侧的支撑用下料棒的...

一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉，它包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：它还包括后氧化装置，该装置包括三通管、管道、阀门和流量计，后氧化装置安装在单晶炉上炉室与主真空泵之间的管道上。

本发明涉及红外气体激光器的窗口、透镜、偏振镜、反射镜、棱镜等光学器件用的ⅢＡ－ⅤＡ族、ⅡＢ－ⅥＡ族红外光学材料的工艺方法。将原料与密封剂（如三氧化二硼）置于坩埚中，充入惰性气体至２－５ＭＰａ。加热升温至２５０°－７００℃，保温０．５小时...

本发明涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径（指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径）为外坩埚直径的Ａ.＊倍。其下口直径为外坩埚直径的Ｂ.＊倍，在内坩埚的接近双层...

本发明涉及自熔融液提拉法的单晶生长中气流的控制方法及装置，是直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置，解决了晶体生长室中含有一氧化硅的氩气气流的控制问题。在单晶炉晶体生长室内的石墨发热体和保温筒间装有密封导气装置，使含有一氧化硅的氩气气体的...

本发明涉及生产硅单晶棒的掺杂方法及设备，是一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂的方法及装置，用于直拉硅单晶的掺杂。将待掺杂的元素置于掺杂装置的内筒中，将带有盛放着掺杂元素内筒的掺杂装置，下降到多晶硅熔体的液面上，在石英坩埚的旋转下，使被掺杂的...

本发明涉及一种生产单晶硅棒时，提高掺杂氧的方法及装置。为一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器。可用于增加直拉法硅单晶中的氧含量。本法是用石英制的增氧器置于石英坩埚的底部，在增氧器上加入多晶硅，在加热熔化多晶硅时，增氧器与石英坩埚熔...

本发明涉及生产单晶硅棒的热场屏蔽法及其装置，为直拉硅单晶炉的热屏方法及热屏蔽器。热屏蔽器安装在硅熔体液面之上，围绕着硅单晶棒，热屏蔽器包括热屏、热场上盖、上保温筒。热屏由热屏外壳、热屏内壳、热屏上盖及热屏保温层组成。热场上盖置于上保温筒...

本发明涉及拉制单晶时加快多晶原料熔化法及装置，为一种控制单晶时加快多晶原料熔化法及底部发热体装置。可用于加快多晶硅、多晶锗的熔化。其方法是向主发热体通入直流电的同时，向底部发热体（圆盘状发热体）中通入直流电，分别从石英坩埚的侧面和底部加...

本发明公开了一种稀土钡铜氧大畴超导块材的后处理方法，是采用熔融织构生长工艺和顶部籽晶方法制备稀土钡铜氧大畴超导块材中的后处理方法，是在高压氧气氛中进行的，压力为１－２．５Ｍｐａ，温度为３００－７００℃。所用的高压氧处理装置，包括有加热炉...

本发明公开一种直拉法制备硅单晶所用的硅籽晶及其加工方法。本发明的硅籽晶包括相互连为一体的硅籽晶上部（１ａ）和硅籽晶下部（１ｂ），其中所述的硅籽晶上部（１ａ）为倒圆台、倒棱台或柱体中的一种，所述的硅籽晶下部（１ｂ）为柱体，当所述的硅籽晶上...

本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器，所述的硅籽晶夹持器（１　３）上端为一与籽晶轴（１２）连接的联接件（１３ｃ），其特征在于所述的硅籽晶夹持器（１３）下端包括硅籽晶夹持器上部（１３ａ）和硅籽晶夹持器下部（１３ｂ），所述的硅籽晶...

一种用于砷化镓单晶生长光学测径的方法，采用数码摄像机、数字滤波器、计算机及显示输出设备，由传输线缆相连接组成，其特征在于：它的实现包括以下步骤：　　　　Ａ、采集砷化镓单晶不连续弯月面的图像信息；　　　　Ｂ、对采集到的不连续弯月面边界上的...

一种单晶炉三维热场分布全自动测试系统，其特征在于：它主要由数据采集单元、信号汇集转发单元、模／数转换单元、数据分析处理单元和数据显示输出单元组成，各单元之间通过信号线进行连接；　　　　所述数据采集单元由热电偶阵列、高度信号传感器和偏转角...

本发明涉及自熔融提拉法单晶中的掺杂工艺及设备。该法将掺杂剂置于石英舟中，当硅单晶体形成圆柱体后，其圆柱体长度处于０－２００毫米之间的任一长度时，在拉制硅单晶体的同时，将掺杂剂加热形成气体，扩散到硅熔体中，使掺杂剂全部挥发成气体过程中，继...

本发明涉及一种对硅片获得洁净区的热处理工艺，其步骤如下：第一步，对硅片进行快速热处理；第二步，氧化退火工艺；第三步，退火工艺；第四步，氧沉淀长大。本发明工艺为快速退火和常规退火相结合获得氧沉淀初始核心的分布：通过快速退火注入空位保证最终...