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北京科技大学专利技术
北京科技大学共有18139项专利
一种低温合成镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及制备方法技术
一种低温合成的镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,属于功能陶瓷环境友好型材料领域。组成为(Na↓[a]K↓[b]Li↓[c])NbO↓[3]+xMgO,其中,a、b、c、x分别表示Na、K、Li、Mg组成元素的摩尔分数,数值的范围是:0.20...
一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法技术
一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法,属于氧化物半导体纳米材料技术领域。ZnO纳米柱阵列为六方纤维锌矿结构。工艺为:将硅片分别在丙酮和酒精中超声清洗25~30min,并用去离子水冲洗干净;然后在硅片上蒸镀一层0.5~2nm厚的金催化剂薄...
一种改善超磁致伸缩材料磁致伸缩性能的方法技术
本发明属于金属材料领域,涉及一种利用气相充氢方法改善(Tb,Dy)Fe↓[2]超磁致伸缩材料的磁致伸缩性能的方法。其特征在于:采用定向凝固择优取向为[110]的Tb↓[0.3]Dy↓[0.73]Fe↓[1.95]多晶材料,所用Tb↓[0...
CuInSe*半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备工艺制造技术
一种CuInSe↓[2]半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备工艺,按照CuInSe↓[2]的化学计量比混合化学纯度的Cu粒和In粒,压制成压坯,封存在真空度1×10↑[-3]Pa的石英管中,通过感应熔炼使之形成Cu-In合金锭;将Cu-In...
一种硅锗系热电材料的制备方法技术
一种硅锗系热电半导体材料的制备方法,属于热电材料技术领域。本发明采用真空电子束封装技术和热等静压相结合的办法,以固相硅粉、锗粉及各种掺杂剂为原始原料,热等静压过程中采用高纯氩气作为传递压力的介质。制备出高性能的硅锗合金系热电半导体,该硅...
一种制备Cu*ZnSnS*薄膜太阳能电池吸收层的工艺制造技术
一种制备Cu↓[2]ZnSnS↓[4]薄膜太阳能电池吸收层的工艺,属于光伏电池技术领域。按照摩尔比Cu∶Zn∶Sn=1.6~1.7∶1∶1混合化学纯的Cu粒、Zn粒、Sn粒,压制成压坯,封存在真空石英管中,感应熔炼合金锭。采用甩带工艺制...
一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料制造技术
本发明提供了一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料,Ta/NiCo/Ta多层膜中插入FeMn层制得Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜材料,磁电阻传感器元件由Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜结构元件和Au电极层构成,NiCo...
一种太阳能电池用铜铟硒薄膜的制备方法技术
一种太阳能电池用CuInSe↓[2]薄膜的制备方法,属于光伏电池技术领域。采用恒电流超声波分步电沉积法和共沉积法,在金属钼或者镀有一层金属钼薄膜的钠钙玻璃基底上制备了Cu-In合金预制膜,分步电沉积法是通过连续多次超声波电沉积铜层、铟层...
一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法技术
本发明提供了一种提高FM/FeMn双层膜交换偏置性能的方法,属于磁记录介质领域。其特征在于,在交换偏置多层膜中,在铁磁层和铁锰FeMn反铁磁层之间引入一个铂铁锰PtFeMn插层。铂铁锰PtFeMn层通过共溅射铂Pt和铁锰FeMn的方式得...
一种铌酸盐压电陶瓷及其制备方法技术
一种铌酸盐压电陶瓷及其制备方法,涉及压电材料领域,特别涉及铌酸盐无铅压电陶瓷的制备。压电陶瓷的组成为(1-x)(Na↓[0.5+y]K↓[0.5+y])NbO↓[3-x]BiScO↓[3],式中x、y表示相应的组分所占摩尔数,其中0.0...
一种水热合成钽掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法技术
一种水热合成钽掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法,属于功能陶瓷材料领域,其特征在于采用氢氧化钠、氢氧化钾、五氧化二铌、五氧化二钽为原料,温度范围为200~250℃,保温时间为20~36小时,水热合成了Ta掺杂的K↓[0.5]Na↓[0...
一种微波水热合成铌酸钠铌酸钾无铅压电陶瓷粉体的方法技术
一种微波水热合成铌酸钠铌酸钾无铅压电陶瓷粉体的方法,属于功能材料领域。其特征是以NaOH或KOH溶液,Nb↓[2]O↓[5]为反应物,采用微波水热技术合成NaNbO↓[3]或KNbO↓[3]陶瓷粉体,NaOH或KOH浓度为4-8mol/...
一种以太阳能为能源的炼钢装置制造方法及图纸
一种以太阳能为能源的炼钢装置,属于钢铁冶金领域,特别涉及一种利用太阳能发电,通过蓄能满足电炉炼钢的装置。其特征是由光能集聚板(1),导线(2)、(4)、(6)、(7)、(8),控制器(3),蓄电池组(5),炼钢电弧炉(9),电渣重熔炉(...
一种镁基热电材料的制备方法技术
本发明是一种镁基热电材料的制备方法,利用半固态制备和放电等离子烧结成型结合的方法,以高纯镁、硅、锡粉为原料,升温到合金的半固态区,在合金的凝固过程中,对其进行强力搅拌,然后快速冷却。粉碎合成后的镁基热电材料并且研磨成粉,最后利用放电等离...
一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法技术
一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合...
一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构制造技术
一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构,属于磁随机存储技术领域,所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结(MTJ)结构的最底层为底电极层,从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第1自由层、第2自由层、顶电极层。第1自由层和第2自由层构成双自由层结...
一种钠离子补偿铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法技术
一种Na↑[+]补偿的铌酸钾钠锂基无铅压电陶瓷及其低温烧结方法,属于功能陶瓷材料领域。其化学组成通式可表示为(Na↓[a+x]K↓[b]Li↓[c])NbO↓[3],其中a、b、c分别表示组成元素Na、K、Li的摩尔分数,a+b+c=1...
一种铝碳化硅封装外壳的封接方法技术
本发明属于金属材料领域,提供了一种铝碳化硅复合材料(SiC↓[p]/Al)用作封装外壳和盖板时的密封封盖方法。适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件等微电子器件的封装外壳。本发明首先在SiC↓[p]/Al复合...
一种低温合成锌掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及制备方法技术
一种低温合成的锌掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料,属于环境友好型功能陶瓷材料领域。组成为(1-x)(Na↓[a]K↓[b]Li↓[c])NbO↓[3]+xZnO,其中,a(1-x)、b(1-x)、c(1-x)、x分别表示Na、K、Li、Z...
一种球壳层状磁电复合材料制备方法技术
一种球壳层状磁电复合材料结构设计及制备方法,涉及各向同性磁电效应层状磁电复合材料结构设计和制备方法。该方法提供一种将模压烧结得到的半球壳压电陶瓷,经高温极化以后,利用化学镀的方法进行金属化,金属化后的两个半球壳压电陶瓷利用强力胶粘接成一...
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