本发明提供了一种＜１１３＞轴向取向为主巨磁致伸缩材料及其制造工艺。化学成分：（Ｔｂ＃－［１－ｘ－ｙ］Ｄｙ＃－［ｘ］Ｒ＃－［ｙ］）（Ｆｅ＃－［１－ｚ－ｐ］Ｂｅ＃－［ｚ］Ｍ＃－［ｐ］）＃－［ｑ］，Ｒ为Ｈｏ、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｎｄ等，Ｍ为Ｔｉ、Ｖ、...

一种制备Ｋｏｖａｒ合金电子封装盒体的方法，经料粉制备，喂料制备，注射成形，脱脂，烧结工序制备电子封装盒体，其特征在于：具体制备工艺步骤如下：　　　　ａ、料粉制备：将铁、镍、钴粉按重量百分比Ｆｅ∶Ｎｉ∶Ｃｏ＝５３～５５∶２９～３１∶１６～...

一种金刚石涂层Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体ＣＶＤ技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基片上沉积出一...

本发明提供了一种喷射沉积成形Ｓｉ－Ａｌ合金的制备方法，其特征在于：先制备２５～５０重量％Ｓｉ－Ａｌ中间合金锭。然后采用喷射沉积成形方法制备５０～７０重量％Ｓｉ－Ａｌ合金。喷射成形工艺参数选择如下：雾化气体：氮气；雾化压力：０．６～０．８...

本发明提供了一种大磁熵变化合物及其制备方法，化合物的化学组成为Ｎｉ↓［ｘ］Ｍｎ↓［ｙ］Ｇａ↓［ｚ］，其中５０≤ｘ≤５６，２２≤ｙ≤３０，２２≤ｚ≤３０），在－８０℃～８０℃温度区间内，具有马氏体转变和磁性转变。当５３≤ｘ≤５６，１９≤ｙ...

本发明提供了一种具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法。采用二氧化硅基片，通过超高真空等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出金属７～８层膜，然后通过电子束印刷和离子刻蚀的手段制备出纳米尺寸的７～８层膜器件。存...

本发明提供了一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成双磁性隧道结。本发明的优...

一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的Ｎｉ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１－ｘ］合金靶，ｘ为７８～８５，以及溅射前通入镀膜室９９．９...

本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于...

本发明提供了一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成，其钉扎层为一个合成反铁磁三层结构。该双磁性隧道结金属膜是采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅...

本发明提供了一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Ｍｎ扩散的方法，在ＦｅＭｎ或其他反铁磁Ｍｎ合金与Ｐｔ／Ｃｏ多层膜之间插入Ｃｏ的纳米氧化层或ＣｏＦｅ的纳米氧化层来阻止Ｍｎ的扩散。本发明的优点在于：因为采用纳米氧化层ＮＯＬ插入（Ｐｔ／Ｃｏ）ｎ与...

本发明供了一种纳－微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法，属于热电半导体材料技术领域。涉及含有纳米尺度的硅，Ｉｎ，ＩｎＳｂ或Ｓｂ量子线或点的纳－微米多孔硅锗合金片的制备。本发明采用电化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法，获得一...

一种Ｎ型铌酸钴氧化物热电材料及其制备方法，涉及氧化物热电半导体材料的制备。本发明采用固相合成和超高压相结合的方法，以固相金属氧化物或金属单质为原始材料，采用固相反应法，在氧化性气氛下合成所需材料，然后粉碎合成后的材料，并进行冷压成型，最...

一种纳－微米多孔硅系列热电材料的制备方法，涉及热电（温差电）半导体材料的制备方法，特别涉及含有纳米尺度的硅，Ｉｎ，ＩｎＳｂ或Ｓｂ量子线或点的纳－微米多孔硅的制备。本发明采用化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法，获得一系列含...

本发明提供了一种铋－碲合金系列热电材料的高压制备方法，属于热电材料技术领域。铋－碲合金系列热电材料分子式为：Ｂｉ↓［０．５］Ｓｂ↓［１．５］Ｔｅ↓［２．９１］Ｓｅ↓［０．９９］或Ｂｉ↓［１．８］Ｓｂ↓［０．２］Ｔｅ↓［２．８５］Ｓｅ↓［...

本发明提供一种可在超宽温度范围使用的稀土超磁致伸缩材料，属于稀土超磁致伸缩材料技术领域。该磁致伸缩材料是由具有ＣｓＣｌ型结构的Ｔｂ↓［１－ｘ］Ｄｙ↓［ｘ］Ｚｎ和具有ＭｇＣｕ↓［２］型结构Ｔｂ↓［１－ｙ］Ｄｙ↓［ｙ］（Ｆｅ↓［１－ｚ］Ｔ↓...

本发明提供了一种用粉末注射成形／压力熔浸法制备电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先配料、混合，将ＳｉＣ颗粒与粘结剂以体积比为：（５５～７５）∶（４５～２５）混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再...

本发明提供了一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法，属于磁性多层膜的制备技术领域。制备工艺为：在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积（Ｎｉ↓［０．８１］Ｆｅ↓［０．１９］）↓［５４］Ｃｒ↓［３６］（５０～２００＊）／Ｎｉ↓［０．８１...

本发明提供了一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：首先将硅片用金刚石刀裁剪成小片，放到培养皿中；取纯锌粉和氯化锰粉末以１∶１至１∶３的重量比混合；在管式炉中反应，得到硅片上沉积上一层浅黄色的...

一种制备Ｃｕ↓［２］ＺｎＳｎＳ↓［４］半导体薄膜太阳能电池的工艺，属于光伏电池技术领域。按照化学计量比Ｃｕ∶Ｚｎ∶Ｓｎ＝１．６－１．７∶１∶１混合化学纯度的Ｃｕ粒、Ｚｎ粒、Ｓｎ粒，压制成直径１０ｍｍ，高１５ｍｍ的圆柱压坯，压坯封存在真空...