北京镓和半导体有限公司专利技术

北京镓和半导体有限公司共有11项专利

  • 本发明公开了一种基于氧化镓探测器的深紫外成像及信息传输系统和方法,包括图像获取模块、图像处理模块、信息传输模块以及信息接收模块:所述图像获取模块,用于获取目标物体的图像;所述图像处理模块,用于对图像进行降噪、增强,以提高图像质量;所述信...
  • 本发明属于半导体光子器件领域,具体涉及一种异质结深紫外自供电探测器阵列,所述探测器阵列由以设定阵列结构的Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;‑Co<subgt;3</...
  • 本发明公开了一种气体流量控制的超声辅助雾相输运化学气相设备和方法,包括超声雾化装置、镓源收容装置和反应腔室,所述反应腔室内有气体流量控制装置,所述气体流量控制装置包括提供准负压的气泵、控制气流流量的气流时控系统和数据采集系统,所述镓源收...
  • 本发明提供了一种基于氧化镓的非对称肖特基结自供电探测器阵列及其制备方法,包括由下到上依次为底部电极(1)、Sn掺杂Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;衬底(2)、Ga<su...
  • 本发明公开了一种基于氧化镓日盲探测器的火灾及电晕检测两用预警系统和方法,包括控制模块、数据采集模块、数据处理模块、声光报警模块、GPS定位模块、存储模块、无线传输模块和供电模块。本发明通过将设备放置在需要监测的位置,不需考虑太阳光对监测...
  • 本发明属于半导体材料制备技术领域,具体涉及一种梳状籽晶及其应用。该梳状籽晶包括:籽晶杆、籽晶主体和籽晶齿,籽晶主体一端设有籽晶杆,另一端设有籽晶齿,籽晶齿的数量≥2。将本发明提供的梳状籽晶作为氧化镓导模法生长氧化镓晶体中的引晶材料,可以...
  • 本发明属于日盲紫外探测技术领域,具体涉及一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法,包括:所述蓝宝石衬底处于整个器件的最下层,所述氧化镓薄膜的下表面位于蓝宝石衬底上方,所述氧化铁薄膜的下表面与氧化镓薄膜的上表面接触,所述氧化镓薄...
  • 本发明公开了一种通过电场调控响应波段的氧化镓基深紫外探测器及其制备方法,包括:由上而下依次设置的金属电极(1)、修饰层(2)、光吸收层(3)和衬底(4),所述金属电极(1)与所述光吸收层(3)之间形成欧姆接触,所述光吸收层(3)为Ga&...
  • 本发明公开了一种氧化镓单晶的制备方法,其特点在于使用氧化锆作为坩埚容器,通过第一发热体镓金属和第二发热体氧化镓锆坩埚的共同作用使氧化镓原料熔化,进而实现无铱金生长的氧化镓单晶。本发明操作简单有效,避免了贵金属铱金的使用,极大的降低了氧化...
  • 本发明提供的一种α相氧化镓晶体的制备方法。通过设计腔体结构、选定坩埚及熔盐材料,成功在高温高压的六面顶压机内生长出α相氧化镓晶体。上述方法包括以下步骤:取一定粒度的5N氧化镓粉末(β相)和熔盐材料按一定比例充分混合后进行静压成型;在手套...
  • 一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括:在控制温度条件下生长氧化镓晶体,且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间,对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间...
1