System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法技术_技高网

一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法技术

技术编号:40513390 阅读:10 留言:0更新日期:2024-03-01 13:29
本发明专利技术属于日盲紫外探测技术领域,具体涉及一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法,包括:所述蓝宝石衬底处于整个器件的最下层,所述氧化镓薄膜的下表面位于蓝宝石衬底上方,所述氧化铁薄膜的下表面与氧化镓薄膜的上表面接触,所述氧化镓薄膜和氧化铁薄膜的上方分别设置有与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极以及与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极。本发明专利技术在日盲紫外波段具有出色的响应,而且日盲紫外/可见光抑制比超过了10<supgt;3</supgt;。此外,在400K的高温条件下探测器的光暗电流比仍高于10<supgt;3</supgt;,表现出良好的耐高温特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于日盲紫外探测,具体涉及一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法


技术介绍

1、日盲探测器在导弹追踪、火灾预警、高压线路放电监测和安全通信等领域具有广泛的应用前景。然而,传统的硅基探测器需要额外增加滤波片,对日盲紫外光灵敏度低,这无疑限制了日盲探测器的应用而且增加了器件的制造成本。氧化镓(ga2o3)具有4.4-5.3ev的超宽带隙,几乎覆盖整个日盲紫外波段,并且其物理化学性质非常稳定,被认为是构筑日盲紫外探测器最理想的材料之一。

2、随着人类探索世界的进一步深入,探测器实现小型化、低功耗、高性能以及在极端条件下的工作能力被视为重要的指标。基于光伏效应的异质结型探测器可以在零功耗的条件下实现对光电信号的转换,但能否在高温环境下持续正常工作还需要深入的研究。因此,有必要开发一种耐高温的自供电日盲探测器,以拓宽日盲探测器的应用范围。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法,旨在解决现有技术中的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法,包括:所述蓝宝石衬底处于整个器件的最下层,所述氧化镓薄膜的下表面位于蓝宝石衬底上方,所述氧化铁薄膜的下表面与氧化镓薄膜的上表面接触,所述氧化镓薄膜和氧化铁薄膜的上方分别设置有与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极以及与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极。

3、优选的,所述氧化镓薄膜为ε相氧化镓薄膜。

4、优选的,基于氧化镓/氧化铁异质结的耐高温自供电日盲探测器,其特征在于,所述氧化铁薄膜采用热氧化法制备包括以下步骤:

5、(1)使用掩模版在氧化镓薄膜上预沉积一层fe金属薄膜;

6、(2)通过在空气中400℃氧化1h。

7、优选的,所述与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极和与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极为金、银、镓、钛、铟、铝、镍、钴和铁的一种或多种组合。

8、优选的,一种基于氧化镓/氧化铁异质结的耐高温自供电日盲探测器的制备方法,包括以下步骤:

9、(1)在蓝宝石衬底上生长氧化镓薄膜;

10、(2)使用掩模版在氧化镓薄膜上沉积一层fe金属薄膜,然后在空气中400℃氧化1h;

11、(3)使用掩模版在氧化镓薄膜和氧化铁薄膜上分别沉积与之形成欧姆接触的金属电极。

12、优选的,所述氧化镓薄膜的制备方法包括磁控溅射技术、激光脉冲沉积技术、分子束外延技术或金属有机化学气相沉积技术的一种。

13、优选的,所述fe金属薄膜以及金属电极的制备方法包括磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发等技术的一种。

14、优选的,所述fe金属薄膜氧化的设备包括管式炉、马弗炉或快速退火炉的一种。

15、与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:该探测器在日盲紫外波段具有出色的响应,而且日盲紫外/可见光抑制比超过了103。此外,在400k的高温条件下探测器的光暗电流比仍高于103,表现出良好的耐高温特性。

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【技术保护点】

1.一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,包括:蓝宝石衬底(1)、氧化镓薄膜(2)、与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极(3)、氧化铁薄膜(4)和与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极(5),所述蓝宝石衬底(1)处于整个器件的最下层,其特征在于:所述氧化镓薄膜(2)的下表面位于蓝宝石衬底(1)上方,所述氧化铁薄膜(4)的下表面与氧化镓薄膜(2)的上表面接触,所述氧化镓薄膜(2)和氧化铁薄膜(4)的上方分别设置有与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极(3)以及与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极(5)。

2.根据权利要求1所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,所述蓝宝石衬底(1)是c面蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,所述氧化镓薄膜(2)为ε相氧化镓薄膜。

4.根据权利要求1所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,所述氧化铁薄膜(4)采用热氧化法制备包括以下步骤:

5.根据权利要求1所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,所述与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极(3)和与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极(5)为金、银、镓、钛、铟、铝、镍、钴和铁的一种或多种组合。

6.一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

7.根据权利要求6所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器的制备方法,其特征在于,所述氧化镓薄膜(2)的制备方法包括磁控溅射技术、激光脉冲沉积技术、分子束外延技术或金属有机化学气相沉积技术的一种。

8.根据权利要求6所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器的制备方法,其特征在于,所述Fe金属薄膜以及金属电极的制备方法包括磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发等技术的一种。

9.根据权利要求6所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器的制备方法,其特征在于,所述Fe金属薄膜氧化的设备包括管式炉、马弗炉或快速退火炉的一种。

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【技术特征摘要】

1.一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,包括:蓝宝石衬底(1)、氧化镓薄膜(2)、与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极(3)、氧化铁薄膜(4)和与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极(5),所述蓝宝石衬底(1)处于整个器件的最下层,其特征在于:所述氧化镓薄膜(2)的下表面位于蓝宝石衬底(1)上方,所述氧化铁薄膜(4)的下表面与氧化镓薄膜(2)的上表面接触,所述氧化镓薄膜(2)和氧化铁薄膜(4)的上方分别设置有与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极(3)以及与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极(5)。

2.根据权利要求1所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,所述蓝宝石衬底(1)是c面蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,所述氧化镓薄膜(2)为ε相氧化镓薄膜。

4.根据权利要求1所述的基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器,其特征在于,所述氧化铁薄膜(4)采用热氧化法制备包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:祁颂李山唐为华
申请(专利权)人:北京镓和半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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