本申请实施例提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件制备技术领域可以降低半导体器件的制备难度，提高半导体器件的制备精度，以满足日益增加的半导体器件连接需求。半导体器件的制备方法包括：在衬底层的一侧设置第一绝缘层；刻蚀第一...

本申请的实施例提供了一种通孔结构的填充方法、及通孔结构，所述方法包括：提供一衬底基板，并从所述衬底基板的上表面形成通孔，所述通孔的深宽比大于1:7；在所述通孔的底部和侧壁，以及所述衬底基板的上表面沉积黏附阻挡层；在所述黏附阻挡层上沉积金...

本申请实施例提供的一种集成氮化镓及驱动系统的封装结构及电路组件，涉及半导体器件领域，以解决目前的氮化镓晶体管散热方法需要通过风扇对整个电路板进行统一散热，无法针对氮化镓晶体管进行集中散热，散热效率较低的问题。该集成氮化镓及驱动系统的封装...

本申请实施例提供的一种氮化镓晶体管，涉及半导体器件领域，以解决目前的氮化镓晶体管在大功率的应用中，存在器件的长度过长，导致器件的长宽比过大，不利于封装，实用性较低的问题。该氮化镓晶体管，包括：衬底层；外延层，所述外延层设置于所述衬底层的...

本发明公开了一种微同轴结构、制备方法及电子机械器件，采用金属堆叠工艺制备微同轴结构；对所述微同轴结构进行退火工艺处理，以将所述微同轴结构金属层原子之间的范德华键转变成金属键。采用本发明方法使微同轴结构的原子之间经退火工艺处理形成金属键，...

本发明提供了一种光刻胶显影方法，涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶显影方法。该方法包括，获取待显影晶圆，待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；根据光刻胶膜的膜厚，对待显影晶圆进行曝光；根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对待显影晶圆进行烘...

本发明公开了一种MEMS微同轴功分器及天线阵列，涉及天线技术领域，所述功分器包括输入部和第一子功分器，所述第一子功分器的中部与所述输入部连接，第一子功分器的第一输出部和第二输出部均连接有第二子功分器，第二子功分器的第三输出部和第四输出部...

本发明公开了一种晶圆的键合方法，通过将第一晶圆的电极端面上喷涂含有导电粒子的胶剂，再将第一晶圆和第二晶圆粘合紧固，使第一晶圆和第二晶圆在被粘合紧固后，晶圆上器件的键合面能够通过导电粒子电性导通，与硅

本发明涉及换能器技术领域，尤其涉及一种MEMS换能器，该MEMS换能器包括：衬底和位于所述衬底之上的薄膜结构，其中，所述薄膜结构包括多个换能器阵元，所述多个换能器阵元中的任意两个换能器阵元电连接，所述衬底包括多个空腔，所述多个空腔的位置...

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种芯片散热装置，该芯片散热装置包括：基板、第一悬臂梁、第二悬臂梁和空气通道；所述空气通道的第一开口和第二开口均设置在所述基板的上表面，所述空气通道设置在所述基板的内部；所述第一悬臂梁设置在所述第一开...

本发明公开了一种厚胶光刻方法及微结构器件，其中的厚胶光刻方法包括：在衬底上形成光刻胶层；所述光刻胶层的厚度为20～100微米；对包括光刻胶层的衬底进行N次曝光显影处理，N≥2且为整数；一次所述曝光显影处理包括：对所述包括光刻胶层的衬底进...

本发明公开了一种微系统薄膜平坦化方法，其中，所述微系统薄膜平坦化方法，包括：提供形成有图形化薄膜的半导体衬底；在图形化薄膜上形成第一平坦层，对图形化薄膜形成图形化填充；抛光所述第一平坦层；在抛光后的第一平坦层上形成第二平坦层，第一平坦层...

本发明公开了一种固态装配型谐振器的制造方法，制造方法包括：在衬底表面形成凹槽；在衬底上沉积一层布拉格反射层，布拉格反射层包括位于衬底表面之上的第一部分布拉格反射层和填充在凹槽中的第二部分布拉格反射层；采用机械平坦机去除第一部分布拉格反射...

本申请具体涉及一种散热氮化镓充电座，属于氮化镓充电器领域，包括：支撑板，所述支撑板的中部开设有圆形通孔；散热风扇，所述散热风扇设于所述圆形通孔内，所述散热风扇包括电机；安装架，所述安装架设于所述散热风扇下方，所述电机固定于所述安装架；氮...

本申请具体涉及一种氮化镓充电座，属于氮化镓充电器领域，包括充电座本体、插头传动机构和插头组件，充电座本体的顶面开设有容纳槽，容纳槽内设有弹簧板，用以放置手机，插头传动机构设于弹簧板，用以将插头组件升起手机厚度的一半，插头组件用以将插头本...