【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体器件制备，尤其涉及半导体器件的制备方法及半导体器件。
技术介绍
1、随着半导体器件的应用场景逐渐广泛，半导体器件内部及半导体器件之间的连接越来越多样化，在半导体器件的同一膜层上可能会存在多种不同的连接需求，从而会导致半导体器件的制备难度增加。
2、目前，通常通过大马士革工艺实现半导体器件不同膜层之间的金属互联，但现有的半导体器件制备工艺无法满足日益增加的连接需求，且制备难度较大，制备精度较低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，可以降低半导体器件的制备难度，提高半导体器件的制备精度，以满足日益增加的半导体器件连接需求。
2、本申请实施例的第一方面，提供一种半导体器件的制备方法，包括：
3、在衬底层的一侧设置第一绝缘层；
4、刻蚀所述第一绝缘层，以在第一刻蚀区域得到第一通孔以及在第二刻蚀区域得到第二通孔，其中，所述第一刻蚀区域在所述衬底层的正投影面积小于所述第二刻蚀区域在所述衬底层的正投影面积；
5、在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一侧设置牺牲层；
6、去除所述第一刻蚀区域内的所述牺牲层；
7、在所述牺牲层远离所述衬底层的一侧设置第一导电层；
8、去除所述第一刻蚀区域之外区域的所述牺牲层，以去除所述第一刻蚀区域之外区域的所述第一导电层。
9、在一些实施方式中，所述半导体器件的制备方法还包括：
10、对所述第
11、在一些实施方式中，所述半导体器件的制备方法还包括：
12、通过所述第二通孔，对所述第二刻蚀区域的所述衬底层进行刻蚀，以在所述第二刻蚀区域内的所述衬底层形成多个间隔排列的凹槽，相邻的所述凹槽在远离第一绝缘层的一端至少部分连通。
13、在一些实施方式中，所述半导体器件的制备方法还包括：
14、在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一侧设置第二绝缘层；
15、刻蚀所述第二绝缘层，以得到第三通孔和第四通孔，其中，所述第一通孔在所述衬底层的正投影与所述第三通孔在所述衬底层的正投影相交叠，所述第二通孔在所述衬底层的正投影与所述第四通孔在所述衬底层的正投影相交叠；
16、在所述第三通孔内设置第二导电层；
17、在所述第二绝缘层远离所述衬底层的一侧设置第三绝缘层；
18、刻蚀所述第三绝缘层，以得到第五通孔和第六通孔，其中，所述第三通孔在所述衬底层的正投影与所述第五通孔在所述衬底层的正投影相交叠，所述第四通孔在所述衬底层的正投影与所述第六通孔在所述衬底层的正投影相交叠；
19、在所述第五通孔内设置第三导电层，其中，所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层电连接。
20、在一些实施方式中，所述第六通孔在所述衬底层的正投影覆盖所述第四通孔在所述衬底层的正投影；和/或，
21、所述第四通孔在所述衬底层的正投影覆盖所述第二通孔在所述衬底层的正投影。
22、在一些实施方式中，所述第三通孔在所述衬底层的正投影全部覆盖所述第一通孔在所述衬底层的正投影；和/或，
23、所述第三通孔在所述衬底层的正投影全部覆盖所述第五通孔在所述衬底层的正投影；和/或，
24、所述第一通孔在所述衬底层的正投影与所述第五通孔在所述衬底层的正投影无交叠；和/或，
25、所述第一通孔在所述衬底层的正投影面积小于所述第二通孔在所述衬底层的正投影面积。
26、本申请实施例的第二方面，提供一种半导体器件，是根据如上述第一方面中任一种所述的半导体器件的制备方法制备得到的，所述半导体器件包括：
27、衬底层；
28、第一绝缘层，设置于所述衬底层的一侧，所述第一绝缘层包括第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，所述第一刻蚀区域内设置有第一通孔，所述第二刻蚀区域内设置有第二通孔，其中，所述第一刻蚀区域在所述衬底层的正投影面积小于所述第二刻蚀区域在所述衬底层的正投影面积；
29、第一导电层，设置于所述第一通孔。
30、在一些实施方式中，所述第二刻蚀区域内的所述衬底层包括多个间隔排列的凹槽，相邻的所述凹槽在远离第一绝缘层的一端至少部分连通。
31、在一些实施方式中，所述第一绝缘层远离所述衬底层的一侧设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层包括第三通孔和第四通孔，其中，所述第一通孔在所述衬底层的正投影与所述第三通孔在所述衬底层的正投影相交叠，所述第二通孔在所述衬底层的正投影与所述第四通孔在所述衬底层的正投影相交叠；
32、所述第三通孔内设置有第二导电层；
33、所述第二绝缘层远离所述衬底层的一侧设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层包括第五通孔和第六通孔，其中，所述第三通孔在所述衬底层的正投影与所述第五通孔在所述衬底层的正投影相交叠，所述第四通孔在所述衬底层的正投影与所述第六通孔在所述衬底层的正投影相交叠；
34、所述第五通孔内设置有第三导电层，其中，所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层电连接。
35、在一些实施方式中，所述第六通孔在所述衬底层的正投影覆盖所述第四通孔在所述衬底层的正投影；
36、所述第四通孔在所述衬底层的正投影覆盖所述第二通孔在所述衬底层的正投影。
37、本申请实施例提供的一种半导体器件制备方法及半导体器件，在第一绝缘层上的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，同步刻蚀出第一通孔和第二通孔，通过牺牲层对第二刻蚀区域形成保护，去除第一刻蚀区域内的牺牲层使得第二刻蚀区域裸露，通过设置第一导电层填充第二刻蚀区域，可以通过第一导电层实现半导体器件的金属互联，同时可以形成空白区域便于后续进一步进行器件立体化加工，从而可以降低半导体器件的制备难度，提高半导体器件的制备精度，以满足日益增加的半导体器件连接需求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
7.一种半导体器件，其特征在于，是根据如权利要求1至6中任一项所述的半导体器件的制备方法制备得到的，所述半导体器件包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晗阳，杨云春，
申请(专利权)人：北京海创微芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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