【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及晶体管，并且更具体地但不排他地涉及晶体管沟道轮廓。
技术介绍
1、基于晶体管(诸如，互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管、鳍式场效应晶体管(finfet)和非片状全环绕栅极(gaa)晶体管)的设备变得越来越普遍，这驱动了对更好和更小的晶体管的需求。cmos晶体管正在从平面晶体管缩放到finfet，并且正在迁移到纳米片全环绕栅极(gaa)器件。随着制造技术缩放到5nm节点，制造工艺变得更加复杂，并且器件性能变得难以进一步改进。finfet和gaa设备缩放受限于短沟道效应和高沟道电阻。例如，鳍轮廓(顶部厚度和底部厚度)和gaa纳米片厚度对于finfet和gaa器件的短沟道效应(泄漏)和驱动电流性能至关重要。此外，由于nmos finfet和pmos finfet对不同的沟道轮廓具有不同的响应，因此问题复杂性增加。例如，n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管需要较低的沟道电阻以获得高性能，而p沟道金属氧化物半导体(pmos)晶体管需要较薄的沟道来控制短沟道效应。
2、因此，需要克服常规方法(包括据此提供的方法、...
【技术保护点】
1.一种晶体管电路，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管电路，其中所述第一宽度包括第一顶部宽度和第一底部宽度，并且所述第一顶部宽度小于所述第一底部宽度。
3.根据权利要求2所述的晶体管电路，其中所述第一宽度还包括在所述第一顶部宽度与所述第一底部宽度之间的第一凹口宽度，并且所述第一凹口宽度小于所述第一底部宽度。
4.根据权利要求2所述的晶体管电路，其中所述第二宽度包括第二顶部宽度和第二底部宽度，并且所述第二顶部宽度小于所述第二底部宽度。
5.根据权利要求4所述的晶体管电路，其中所述第一顶部宽度小于所述第二顶部宽度，并且所...
【技术特征摘要】
1.一种晶体管电路，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管电路，其中所述第一宽度包括第一顶部宽度和第一底部宽度，并且所述第一顶部宽度小于所述第一底部宽度。
3.根据权利要求2所述的晶体管电路，其中所述第一宽度还包括在所述第一顶部宽度与所述第一底部宽度之间的第一凹口宽度，并且所述第一凹口宽度小于所述第一底部宽度。
4.根据权利要求2所述的晶体管电路，其中所述第二宽度包括第二顶部宽度和第二底部宽度，并且所述第二顶部宽度小于所述第二底部宽度。
5.根据权利要求4所述的晶体管电路，其中所述第一顶部宽度小于所述第二顶部宽度，并且所述第一底部宽度小于所述第二底部宽度。
6.根据权利要求1所述的晶体管电路，其中所述第一鳍式场效应晶体管包括多个鳍，所述第二鳍式场效应晶体管包括多个鳍，并且所述第一鳍式场效应晶体管的所述多个鳍中的每个鳍具有比所述第二鳍式场效应晶体管的所述多个鳍中的每个鳍更小的宽度。
7.根据权利要求1所述的晶体管电路，其中所述晶体管电路被并入到设备中，所述设备选自由以下项组成的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动交通工具中的设备。
8.根据权利要求1所述的晶体管电路，其中所述第一宽度小于所述第二宽度。
9.一种晶体管电路，包括：
10.根据权利要求9所述的晶体管电路，其中所述第一宽度包括第一顶部宽度和第一底部宽度，并且所述第一顶部宽度小于所述第一底部宽度。
11.根据权利要求10所述的晶体管电路，其中所述第一宽度还包括在所述第一顶部宽度与所述第一底部宽度之间的第一凹口宽度，并且所述第一凹口宽度小于所述第一底部宽度。
12.根据权利要求10所述的晶体管电路，其中所述第二宽度包括第二顶部宽度和第二底部宽度，并且所述第二顶部宽度小于所述第二底部宽度。
13.根据权利要求12所述的晶体管电路，其中所述第一顶部宽度小于所述第二顶部宽度，并且所述第一底部宽度小于所述第二底部宽度。
14.根据权利要求9所述的晶体管电路，其中用于放大和切换的所述第一部件包括多个鳍，用于放大和切换的所述第二部件包括多个鳍，并且用于放大和切换的所述第一部件的所述多个鳍中的每个鳍具有比用于放大和切换的所述第二部件的所述多个鳍中的每个鳍更小的宽度。
15.根据权利要求9所述的晶体管电路，其中所述晶体管电路被并入到设备中，所述设备选自由以下项组成的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。