一种光刻胶显影方法技术

本发明专利技术提供了一种光刻胶显影方法，涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶显影方法。该方法包括，获取待显影晶圆，待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；根据光刻胶膜的膜厚，对待显影晶圆进行曝光；根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对待显影晶圆进行烘烤处理，预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，预设烘烤距离随所述烘烤时间先减小后增大；对待显影晶圆执行显影工艺。该方法能够在曝光后显影过程中，改善待显影晶圆的受热方式，提升对光刻胶膜的烘烤效果，降低光刻胶膜出现缺陷的可能性，有利于避免非曝光区域的流膜率过大，并防止光刻胶膜发生大幅形变，降低图像失真的可能性，为显影图像的分辨率提供可靠保障。显影图像的分辨率提供可靠保障。显影图像的分辨率提供可靠保障。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶显影方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种光刻胶显影方法。

技术介绍

[0002]光刻技术广泛应用于半导体行业，通过光刻工艺，得以让光罩上的图案转移到晶圆表面，进而实现晶圆表面的图形化，该工艺中，包括涂胶，烘烤，曝光，显影等制程，诸多制程中又以显影工艺尤为重要。基于当前的厚胶显影技术，产品多出现显影光刻胶残留、光刻胶变形等缺陷，严重影响了显影图像的分辨率。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0004]为此，本专利技术提供了一种光刻胶显影方法，该方法包括：
[0005]获取待显影晶圆，上述待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；
[0006]根据上述光刻胶膜的膜厚，对上述待显影晶圆进行曝光；
[0007]根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对上述待显影晶圆进行烘烤处理，上述预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，上述预设烘烤距离随上述烘烤时间先减小后增大；
[0008]对上述待显影晶圆执行显影工艺。
[0009]在一种可行的实施方式中，根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对上述待显影晶圆进行烘烤处理，包括：
[0010]根据第一预设烘烤温度和第一预设烘烤距离，烘烤上述待显影晶圆第一预设时长；
[0011]根据第二预设烘烤温度和第二预设烘烤距离，烘烤上述待显影晶圆第二预设时长，上述第二预设烘烤温度大于上述第一预设烘烤温度，上述第二预设烘烤距离小于上述第一预设烘烤距离；<br/>[0012]根据第三预设烘烤温度和第三预设烘烤距离，烘烤上述待显影晶圆第三预设时长，上述第三预设烘烤温度小于上述第一预设烘烤温度，上述第三预设烘烤距离大于上述第一预设烘烤距离。
[0013]在一种可行的实施方式中，对上述待显影晶圆执行显影工艺，包括：
[0014]调整上述待显影晶圆所处环境的环境压力至预设压力，上述预设压力大于或等于50Pa且小于或等于100Pa；
[0015]根据上述待显影晶圆的晶圆半径，确定上述待显影晶圆的显影喷淋半径，上述显影喷淋半径大于或等于0.2倍的上述晶圆半径且小于或等于0.8倍的上述晶圆半径；
[0016]根据上述待显影晶圆的晶圆中心位置和上述显影喷淋半径，确定显影喷淋范围；
[0017]根据上述显影喷淋范围，对上述待显影晶圆进行初步显影处理；
[0018]根据上述显影喷淋范围，对上述待显影晶圆进行模进显影处理。
[0019]在一种可行的实施方式中，根据上述显影喷淋范围，对上述待显影晶圆进行初步
显影处理，包括：
[0020]根据第一晶圆转速和第一转动时长，控制上述待显影晶圆转动，上述第一晶圆转速大于或等于180rpm且小于或等于220rpm，上述第一转动时长小于或等于5s；
[0021]调整上述待显影晶圆的转速至第二晶圆转速，上述第二晶圆转速大于或等于20rpm且小于或等于150rpm；
[0022]根据第一喷淋时长，控制喷淋机械臂向上述晶圆中心位置喷淋显影液，上述第一喷淋时长大于或等于3s且小于或等于15s；
[0023]控制上述喷淋机械臂由上述晶圆中心位置移动至喷淋边界位置，以对上述待显影晶圆进行上述显影液的初步扫描喷淋，上述喷淋边界位置至上述晶圆中心位置的距离等于上述显影喷淋半径；
[0024]在上述喷淋机械臂移动至上述喷淋边界位置的情况下，根据第二喷淋时长控制上述喷淋机械臂向上述喷淋边界位置喷淋上述显影液，上述第二喷淋时长大于或等于2s且小于或等于5s；
[0025]根据静置时长，控制上述待显影晶圆静置，上述静置时长大于或等于2s且小于或等于10s；
[0026]根据第三晶圆转速和第二转动时长，控制上述待显影晶圆转动，上述第三晶圆转速大于或等于300rpm且小于或等于800rpm，上述第二转动时长大于或等于10s且小于或等于30s。
[0027]在一种可行的实施方式中，根据上述显影喷淋范围，对上述待显影晶圆进行模进显影处理，包括：
[0028]调整上述待显影晶圆的转速至第四晶圆转速，上述第四晶圆转速大于或等于10rpm且小于或等于80rpm；
[0029]多次控制喷淋机械臂由上述晶圆中心位置移动至喷淋边界位置，以多次对上述待显影晶圆进行显影液的第一扫描喷淋，上述喷淋边界位置至上述晶圆中心位置的距离等于上述显影喷淋半径，上述第一扫描喷淋的单次执行时长大于或等于1s且小于或等于20s，上述第一扫描喷淋的次数小于或等于5次；
[0030]调整上述待显影晶圆的转速至第五晶圆转速，上述第五晶圆转速大于或等于5rpm且小于或等于30rpm；
[0031]多次控制喷淋机械臂由上述喷淋边界位置移动至上述晶圆中心位置，以多次对上述待显影晶圆进行显影液的第二扫描喷淋，上述第二扫描喷淋的单次执行时长大于或等于10s且小于或等于40s，上述第二扫描喷淋的次数大于或等于3次且小于或等于10次；
[0032]根据第六晶圆转速和第三转动时长，控制上述待显影晶圆转动，上述第六晶圆转速大于或等于5rpm且小于或等于20rpm，上述第三转动时长大于或等于20s且小于或等于60s；
[0033]根据第七晶圆转速和第四转动时长，控制上述待显影晶圆转动，上述第七晶圆转速大于或等于200rpm且小于或等于600rpm，上述第四转动时长大于或等于5s且小于或等于10s。
[0034]在一种可行的实施方式中，上述光刻胶显影方法还包括：
[0035]重复对上述待显影晶圆进行上述模进显影处理，重复次数大于或等于3次且小于
或等于5次。
[0036]在一种可行的实施方式中，上述的光刻胶显影方法还包括：
[0037]对上述待显影晶圆进行纯水洗处理。
[0038]在一种可行的实施方式中，上述的光刻胶显影方法还包括：
[0039]对上述待显影晶圆进行旋干处理。
[0040]在一种可行的实施方式中，根据上述光刻胶膜的膜厚，对上述待显影晶圆进行曝光，包括：
[0041]根据上述光刻胶膜的膜厚，确定曝光能量密度；
[0042]根据上述曝光能量密度，对上述待显影晶圆进行曝光处理。
[0043]在一种可行的实施方式中，上述的光刻胶显影方法还包括：
[0044]获取上述待显影晶圆的获取时刻距上述待显影晶圆的涂胶完成时刻的时间差小于或等于5h。
[0045]相比现有技术，本专利技术至少包括以下有益效果：本申请实施例提供的一种光刻胶显影方法，该方法包括获取待显影晶圆，上述待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；根据上述光刻胶膜的膜厚，对上述待显影晶圆进行曝光；根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对上述待显影晶圆进行烘烤处理，上述预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，上述预设烘烤距离随上述烘烤时间先减小后增大；对上述待显影晶圆执行显影工艺。本申请实施例提供的光刻胶显影方法通过根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对曝光后的待显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶显影方法，其特征在于，包括：获取待显影晶圆，所述待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；根据所述光刻胶膜的膜厚，对所述待显影晶圆进行曝光；根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对所述待显影晶圆进行烘烤处理，所述预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，所述预设烘烤距离随所述烘烤时间先减小后增大；对所述待显影晶圆执行显影工艺。2.根据权利要求1所述的光刻胶显影方法，其特征在于，所述根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对所述待显影晶圆进行烘烤处理，包括：根据第一预设烘烤温度和第一预设烘烤距离，烘烤所述待显影晶圆第一预设时长；根据第二预设烘烤温度和第二预设烘烤距离，烘烤所述待显影晶圆第二预设时长，所述第二预设烘烤温度大于所述第一预设烘烤温度，所述第二预设烘烤距离小于所述第一预设烘烤距离；根据第三预设烘烤温度和第三预设烘烤距离，烘烤所述待显影晶圆第三预设时长，所述第三预设烘烤温度小于所述第一预设烘烤温度，所述第三预设烘烤距离大于所述第一预设烘烤距离。3.根据权利要求1所述的光刻胶显影方法，其特征在于，所述对所述待显影晶圆执行显影工艺，包括：调整所述待显影晶圆所处环境的环境压力至预设压力，所述预设压力大于或等于50Pa且小于或等于100Pa；根据所述待显影晶圆的晶圆半径，确定所述待显影晶圆的显影喷淋半径，所述显影喷淋半径大于或等于0.2倍的所述晶圆半径且小于或等于0.8倍的所述晶圆半径；根据所述待显影晶圆的晶圆中心位置和所述显影喷淋半径，确定显影喷淋范围；根据所述显影喷淋范围，对所述待显影晶圆进行初步显影处理；根据所述显影喷淋范围，对所述待显影晶圆进行模进显影处理。4.根据权利要求3所述的光刻胶显影方法，其特征在于，所述根据所述显影喷淋范围，对所述待显影晶圆进行初步显影处理，包括：根据第一晶圆转速和第一转动时长，控制所述待显影晶圆转动，所述第一晶圆转速大于或等于180rpm且小于或等于220rpm，所述第一转动时长小于或等于5s；调整所述待显影晶圆的转速至第二晶圆转速，所述第二晶圆转速大于或等于20rpm且小于或等于150rpm；根据第一喷淋时长，控制喷淋机械臂向所述晶圆中心位置喷淋显影液，所述第一喷淋时长大于或等于3s且小于或等于15s；控制所述喷淋机械臂由所述晶圆中心位置移动至喷淋边界位置，以对所述待显影晶圆进行所述显影液的初步扫描喷淋，所述喷淋边界位置至所述晶圆中心位置的距离等于所述显影喷淋半径；在所述喷淋机械臂移动至所述喷淋边界位置的情况下，根据第二喷淋时长控制所述喷淋机械臂向所述喷淋边界位置喷淋所述显影液，所述第二喷淋时长大于或等...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晨星，杨云春，陆原，张栓，赵利芳，王维嘉，范建国，王文正，
申请(专利权)人：北京海创微芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：