北京国望光学科技有限公司专利技术

北京国望光学科技有限公司共有9项专利

  • 本发明公开了一种用于灰度曝光的光学掩模板及其制备方法,该光学掩模板,包括:板状结构的透光衬底,透光衬底分割为设定要求透光率小于透光率阈值的第一网格单元,和对应的设定要求透光率不小于透光率阈值的第二网格单元;第一网格单元中的挡光薄膜为外环...
  • 本发明涉及光刻技术领域,公开了一种曝光成像控制方法、装置、设备及介质,该方法包括:收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸;根据空间图像关键尺寸,构建光学模型;根据光学模型对初始的波前、光源和掩膜数据进行联合迭代优化,得到优化...
  • 本发明公开了一种单级衍射光栅及其制备方法,该单级衍射光栅包括衬底基板;衬底基板分割为多个网格区域,每个网格区域中按照对应的设定面积占空比设置有金属薄膜;金属薄膜为反光薄膜或挡光薄膜;在第一设定方向上,第x个网格区域对应的设定面积占空比满...
  • 本发明涉及光刻技术领域,公开了一种光刻设备曝光CD调整方法、装置、设备及介质,该方法包括:收集在初始波前下掩膜图案经光刻设备曝光后测量得到的第一CD值;构建光刻过程的初始模型,并获取初始模型对应的第二CD值;根据第一CD值、第二CD值和...
  • 本申请公开了一种波前像差动态补偿方法、装置、设备及介质,涉及光学技术领域。方案根据光学系统在曝光过程中产生的波前像差获取光学补偿元件的原始温度分布,进而获取当前反馈控制周期内的目标温度分布和实际温度分布;根据目标温度分布和实际温度分布确...
  • 本发明公开了一种亚波长金属光栅偏振器及偏振器制备方法,应用于光栅制备领域,其中在金属层中沿横向方向相间隔的设置有,形成亚波长周期结构图形化的金属层的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域;第一刻蚀区域为沿金属层的第一刻蚀位置向下刻蚀,直至暴露出衬底...
  • 本发明公开了一种多层金属微纳结构制备方法,应用于半导体制备领域,包括:提供衬底,并在衬底的上侧制备易刻蚀的薄光刻胶层;在薄光刻胶层的上侧制备不易刻蚀的厚光刻胶层;沿厚光刻胶层上侧的部分区域刻蚀去除厚光刻胶层和薄光刻胶层,直至暴露出衬底,...
  • 本发明公开了一种在铬金金属微纳结构上制备多层金属微纳结构的方法,应用于半导体制备领域,包括:提供衬底,在衬底上依次制备铬金属层和金金属层;在制备的金金属层的上侧制备光刻胶,并沿光刻胶上侧的部分区域刻蚀去除光刻胶直至暴露出金金属层;在暴露...
  • 本发明公开了一种像质补偿装置,该装置包括光学元件;镜框组件通过支撑弹片连接光学元件,以固定光学元件与镜框组件的位置;驱动装置设于镜框组件,用于向镜框组件施加动力,镜框组件通过支撑弹片将动力传递于光学元件,以补偿像差;具体来说,镜框组件通...
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