【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻，特别是涉及一种曝光成像控制方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、在集成电路生产中，光刻是最重要的步骤之一，通过光刻机的曝光成像将复杂的掩膜图案转移到晶片表面。随着目前工艺节点的逐渐减小，对于光刻机分辨率的要求也越来越高。其中，分辨率增强技术作为提高光刻机分辨率的重要手段。
2、常用的分辨率增强技术包括掩膜图形邻近效应修正(optical proximitycorrection,opc)、添加亚分辨率的辅助图形(sub-resolution assist feature,sraf)、相移掩膜(phase-shift mask,psm)、离轴照明(off-axis illumination,oai)等。但是目前的分辨率增强技术不能有效增大光刻过程中的工艺窗口，使掩膜图案不能完整地转移到晶片表面，成像效果不佳。
3、由此可见，如何提高光刻过程中的工艺窗口以增强成像的分辨率，是本领域人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种曝光成像控制方法、装置、设备及介质，可以提高光刻过程中的工艺窗口，使得掩膜图案高还原度的转移到晶片表面，进而增强成像的分辨率。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种曝光成像控制方法，所述方法包括：
3、收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸；
4、根据所述空间图像关键尺寸，构建光学模型；
5、根据所述光学模型对初始的波前、光源和掩
6、利用所述优化后的波前、掩膜和光源的数据，控制光刻机的曝光成像。
7、第一方面，在本专利技术实施例提供的上述曝光成像控制方法中，所述收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸，包括：
8、收集在设定范围的光刻工艺节点对应的初始波前和初始光源下，周期性一维图形、孤立性一维图形、末端对末端图形的空间像关键尺寸。
9、另一方面，在本专利技术实施例提供的上述曝光成像控制方法中，所述根据所述空间图像关键尺寸，构建光学模型，包括：
10、根据光刻工艺中的光学参数、掩膜参数及光刻胶参数，对所述空间图像关键尺寸进行光学仿真，构建所述光刻工艺下的光学模型。
11、另一方面，在本专利技术实施例提供的上述曝光成像控制方法中，所述根据所述光学模型对初始的波前、光源和掩膜数据进行联合迭代优化，包括：
12、将初始的波前、光源和掩膜数据输入至求解器中，并在所述求解器中加入成本函数和边界条件进行计算，得到新的波前、光源和掩膜数据。
13、另一方面，在本专利技术实施例提供的上述曝光成像控制方法中，所述在所述求解器中加入成本函数和边界条件进行计算，包括：
14、在所述求解器中加入掩膜规则检查、光刻胶图案完整性检查、光源的填充比以及光刻机的硬件参数限制进行计算。
15、另一方面，在本专利技术实施例提供的上述曝光成像控制方法中，所述得到优化后的波前、光源和掩膜数据，包括：
16、判断工艺参数是否在设定规格内；若是，则输出优化后的波前、光源和掩膜数据。
17、另一方面，在本专利技术实施例提供的上述曝光成像控制方法中，在控制光刻机的曝光成像的同时，还包括：
18、控制高阶像差补偿器根据所述优化后的波前、掩膜和光源的数据对光刻机的像差进行调节。
19、为了解决上述技术问题，本专利技术还提供一种曝光成像控制装置，所述装置包括：
20、尺寸收集模块，用于收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸；
21、模型构建模块，用于根据所述空间图像关键尺寸，构建光学模型；
22、迭代优化模块，用于根据所述光学模型对初始的波前、光源和掩膜数据进行联合迭代优化，得到优化后的波前、光源和掩膜数据；
23、成像控制模块，用于利用所述优化后的波前、掩膜和光源的数据，控制光刻机的曝光成像。
24、为了解决上述技术问题，本专利技术还提供一种曝光成像控制设备，所述设备包括：
25、存储器，用于存储计算机程序；
26、处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述的曝光成像控制方法的步骤。
27、为了解决上述技术问题，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的曝光成像控制方法的步骤。
28、从上述技术方案可以看出，本专利技术所提供的一种曝光成像控制方法，该方法包括：收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸；根据空间图像关键尺寸，构建光学模型；根据光学模型对初始的波前、光源和掩膜数据进行联合迭代优化，得到优化后的波前、光源和掩膜数据；利用优化后的波前、掩膜和光源的数据，控制光刻机的曝光成像。
29、本专利技术的有益效果在于，本专利技术提供的上述曝光成像控制方法，先收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸，通过空间像关键尺寸构建光学模型，然后将波前、光源、掩膜三种修正相结合进行联合迭代优化，可以增加波前的自由度，扩大工艺参数的搜索空间，从而提高光刻过程中版图制作的工艺窗口，使得掩膜图案高还原度的转移到晶片表面，进而增强成像的分辨率。
30、此外，本专利技术还针对曝光成像控制方法提供了相应的曝光成像控制装置、曝光成像控制设备及计算机可读存储介质，与上述提到的曝光成像控制方法具有相同或相对应的技术特征，效果同上。
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1.一种曝光成像控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸，包括：
3.根据权利要求2所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述根据所述空间图像关键尺寸，构建光学模型，包括：
4.根据权利要求3所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述根据所述光学模型对初始的波前、光源和掩膜数据进行联合迭代优化，包括：
5.根据权利要求4所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述在所述求解器中加入成本函数和边界条件进行计算，包括：
6.根据权利要求5所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述得到优化后的波前、光源和掩膜数据，包括：
7.根据权利要求1所述的曝光成像控制方法，其特征在于，在所述控制光刻机的曝光成像的同时，还包括：
8.一种曝光成像控制装置，其特征在于，所述装置包括：
9.一种曝光成像控制设备，其特征在于，所述设备包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介
...【技术特征摘要】
1.一种曝光成像控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述收集在初始波前和初始光源下关键图形的空间像关键尺寸，包括：
3.根据权利要求2所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述根据所述空间图像关键尺寸，构建光学模型，包括：
4.根据权利要求3所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述根据所述光学模型对初始的波前、光源和掩膜数据进行联合迭代优化，包括：
5.根据权利要求4所述的曝光成像控制方法，其特征在于，所述在所述求解器中加入成本函数和边界条件进...
【专利技术属性】
技术研发人员：李澧，王平，倪明阳，隋永新，杨怀江，
申请(专利权)人：北京国望光学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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