【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光栅制备领域，特别涉及一种亚波长金属光栅偏振器及偏振器制备方法。
技术介绍
1、在亚波长金属光栅周期远小于入射波长时，以应用于深紫外波段为例进行说明，亚波长金属光栅偏振器的透光率较低，以及该亚波长金属光栅偏振器的消光比较小，且该亚波长金属光栅偏振器的设计及制造过程复杂，提高了器件制备的复杂度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种亚波长金属光栅偏振器及偏振器制备方法，解决了现有技术中亚波长金属光栅偏振器的设计及制造过程复杂的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种亚波长金属光栅偏振器及偏振器制备方法，包括：
3、衬底和在所述衬底上形成的金属层；
4、在所述金属层中沿横向方向相间隔的设置有，形成亚波长周期结构图形化的金属层的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域；
5、所述第一刻蚀区域为沿所述金属层的第一刻蚀位置向下刻蚀，直至暴露出所述衬底后形成的区域，所述第二刻蚀区域为沿所述金属层的第二刻蚀位置向下刻蚀，直至刻蚀预设高度的所述衬底后形成的区域；
6、所述第二刻蚀区域中，所述衬底部分的刻蚀宽度大于所述金属层部分的刻蚀宽度，在所述衬底和所述金属层接触位置形成底切结构。
7、可选的，所述衬底和所述金属层接触位置形成的所述底切结构的长度为1纳米至30纳米。
8、可选的，所述亚波长周期结构图形化的金属层的周期为50纳米至200纳米。
9、可选的，所述金属层中单个刻
10、可选的，所述亚波长金属光栅偏振器为应用于193纳米波段的亚波长铝光栅偏振器。
11、可选的，所述亚波长铝光栅偏振器中铝金属微纳结构的厚度为50纳米至150纳米。
12、可选的，所述衬底为石英衬底。
13、本专利技术还提供了一种亚波长铝光栅偏振器制备方法，包括：
14、提供衬底，并在所述衬底上依次制备金属层和第一光刻胶层；
15、在所述光刻胶层中沿横向选取多个刻蚀位置，并沿多个所述刻蚀位置向下刻蚀直至暴露出所述衬底，去除剩余所述第一光刻胶层，得到图形化结构；
16、在所述图形化结构的上侧制备第二光刻胶层，并在多个所述刻蚀位置中间隔选取刻蚀位置，作为多个第二刻蚀位置；
17、沿多个所述第二刻蚀位置向下刻蚀，直至衬底部分的刻蚀宽度大于金属层部分的刻蚀宽度，以在所述衬底的刻蚀部分和所述金属层的刻蚀部分的接触位置形成底切结构，得到待去除光刻胶的光栅结构；
18、去除所述待去除光刻胶的光栅结构中的光刻胶，得到所述亚波长金属光栅偏振器。
19、可选的，沿多个所述第二刻蚀位置向下刻蚀，直至衬底部分的刻蚀宽度大于金属层部分的刻蚀宽度，以在所述衬底的刻蚀部分和所述金属层的刻蚀部分的接触位置形成底切结构，包括：
20、沿多个所述第二刻蚀位置向下刻蚀，直至暴露出所述衬底；
21、利用高密度等离子体刻蚀法对所述衬底进行各向异性刻蚀，直至所述衬底部分的刻蚀宽度大于所述金属层部分的刻蚀宽度，以在所述衬底的刻蚀部分和所述金属层的刻蚀部分的接触位置形成底切结构。
22、可选的，去除所述待去除光刻胶的光栅结构中的光刻胶，得到所述亚波长金属光栅偏振器，包括：
23、将所述待去除光刻胶的光栅结构浸入丙酮溶液中，去除所述待去除光刻胶的光栅结构中剩余的光刻胶，得到待清洗光栅结构；
24、将所述待清洗光栅结构浸入乙醇中进行超声清洗，得到所述亚波长金属光栅偏振器。
25、可见，本专利技术提供的亚波长金属光栅偏振器，包括衬底和在衬底上形成的金属层，在金属层中沿横向方向相间隔的设置有，形成亚波长周期结构图形化的金属层的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，第一刻蚀区域为沿金属层的第一刻蚀位置向下刻蚀，直至暴露出衬底后形成的区域，第二刻蚀区域为沿金属层的第二刻蚀位置向下刻蚀，直至刻蚀预设高度的衬底后形成的区域，第二刻蚀区域中，衬底部分的刻蚀宽度大于金属层部分的刻蚀宽度，在衬底和金属层接触位置形成底切结构。本专利技术通过在第二刻蚀位置向下刻蚀部分衬底，使刻蚀后的衬底和金属层接触位置形成底切结构，提高了亚波长金属光栅偏振器的透光率，同时提高了该亚波长金属光栅偏振器的消光比，降低了制备的复杂度。
26、此外，本专利技术还提供了一种亚波长铝光栅偏振器制备方法，同样具有上述有益效果。
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1.一种亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述衬底和所述金属层接触位置形成的所述底切结构的长度为1纳米至30纳米。
3.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述亚波长周期结构图形化的金属层的周期为50纳米至200纳米。
4.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述金属层中单个刻蚀区域的宽度与相邻的单个非刻蚀区域的宽度的比值为1：2。
5.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述亚波长金属光栅偏振器为应用于193纳米波段的亚波长铝光栅偏振器。
6.根据权利要求5所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述亚波长铝光栅偏振器中铝金属微纳结构的厚度为50纳米至150纳米。
7.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述衬底为石英衬底。
8.一种亚波长铝光栅偏振器制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的亚波长铝光栅偏振器制备方法，其特征在于，沿多
10.根据权利要求8所述的亚波长铝光栅偏振器制备方法，其特征在于，去除所述待去除光刻胶的光栅结构中的光刻胶，得到所述亚波长金属光栅偏振器，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述衬底和所述金属层接触位置形成的所述底切结构的长度为1纳米至30纳米。
3.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述亚波长周期结构图形化的金属层的周期为50纳米至200纳米。
4.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述金属层中单个刻蚀区域的宽度与相邻的单个非刻蚀区域的宽度的比值为1：2。
5.根据权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器，其特征在于，所述亚波长金属光栅偏振器为应用于193纳米波段的亚波长铝光栅偏振器。
6.根据权利要求5所述的亚...
【专利技术属性】
技术研发人员：李澧，倪明阳，隋永新，杨怀江，
申请(专利权)人：北京国望光学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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