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北京大学专利技术
北京大学共有15388项专利
一种叠层封装结构及制造方法技术
本发明涉及微电子封装领域,具体的公开了一种叠层封装结构及制造方法,所述叠层封装结构包括多个层叠的封装衬底及每层封装衬底上装载的至少一个半导体芯片;所述半导体芯片与其所在层的封装衬底之间为电连接;所述每层封装衬底上设有至少一个通孔,所述通...
一种等离子体与二氧化钛协同作用的汽车尾气净化装置制造方法及图纸
本发明涉及一种等离子体与二氧化钛协同作用的汽车尾气净化装置,目的在于可全面、充分的净化汽车尾气中多种污染气体。本发明高压电极与地极分别位于相邻的介质管内并且所有介质管均紧贴与内壁涂有二氧化钛涂层的透明管外壁,尾气先经过透明管后再穿过介质...
一种利用热态煤渣制备无机矿渣纤维的方法技术
本发明提供了一种利用热态煤渣制备无机矿渣纤维的方法。该方法是将所述热态煤渣与粉煤灰经过固态混匀后,加热至熔融状态,得到熔融液,再将所述熔融液制成丝,即得到所述无机矿渣纤维。该发明的优点是:方法简单易行,实施方便,制得的无机矿渣纤维具有较...
抑制可卡因诱发的高运动活性的多肽及其应用制造技术
本发明公开了一种抑制可卡因诱发高运动活性的多肽及其应用。本发明提供的多肽,为如下所示a)或b)或c)或d):a)由序列表中序列2所示的氨基酸序列组成的多肽;b)由序列表中序列1自5′末端第412-425位氨基酸残基所示的氨基酸序列组成的...
单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法技术
本发明公开了一种单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法,涉及半导体集成电路及其制造技术领域。该单极阻变器件包括:下电极、上电极、以及下电极和上电极之间的阻变介质层,下电极为掺杂硅层,阻变介质层为电介质材料层,上电极包括形成于阻变介质...
多功能生态型城市道路空间停车场制造技术
本发明提供一种低碳生态型城市道路空间停车场,该停车场架设在机动车道路上空,为一停车车棚,包括支撑柱、停车层和绿化顶层,停车层连接有双向车行坡道,车辆从机动车道路驶入车行坡道,再进入停车层的停车车位,停车场的绿化顶层为生态板,该生态板自下...
COMS器件辐照位移损伤区在沟道相对位置的估算方法技术
本发明公开了一种CMOS器件辐照位移损伤区在沟道的相对位置的估算方法。将CMOS器件的沟道平均分为两部分,靠近源端的部分为区域I,靠近漏端的部分为区域II。辐照后与辐照前相比,若栅源电容减小,而栅漏电容增大,则辐照位移损伤区在区域I,若...
双金属杂配体催化剂前体及其合成方法和应用技术
本发明公开了一种催化烯烃聚合或共聚合的双金属杂配体催化剂前体,属于烯烃配位聚合领域。该催化剂前体由水杨醛亚胺配体和第IV族过渡金属构成。此前体与烷基铝氧烷组成的催化剂在催化烯烃均聚或者共聚时,活性处于106g·mol-1(Ti)·h-1...
一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法技术
本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括:包括第一硅晶圆、第二硅晶圆,第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件,第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、...
手机通话数据中用户通勤OD的挖掘方法技术
本发明公开了一种手机通话数据中用户通勤OD的挖掘方法,包括1)将手机通话数据处理为包含手机号、通话基站位置和开始通话时间的数据格式;2)统计设定时间段内每个手机号在不同通话基站位置的通话次数;3)合并覆盖范围重叠的邻近通话基站为一个基站...
利用热态高炉渣制备无机矿渣纤维的设备及方法技术
本发明提供一种利用热态高炉渣制备无机矿渣纤维的设备及方法。所述设备设计了添加物熔化炉装置,所述方法是使用该设备,将热态高炉渣与添加物分别熔融后,进行混匀,得到混匀的熔融液,再将所述混匀熔融液制成丝,即得到所述无机矿渣纤维。本发明利用新型...
一种磁共振管腔天线装置制造方法及图纸
本发明涉及一种用来诊断和治疗血管、食道、支气管、直肠等疾病的磁共振管腔天线装置。其特征在于:它是一种能够安全、有效地检测到血管等管腔疾病,且对人体损伤很微小的管腔天线诊断和治疗装置。使用该天线结合磁共振成像技术,可以提高图像的信噪比,使...
一种TD-SCDMA系统中的多小区信道估计方法技术方案
本发明提供了一种TD-SCDMA系统中的多小区信道估计方法,具体包括:采用单小区Steiner信道估计,对各小区进行信道粗略估计;根据信道粗略估计结果,确定接入用户总数;判断所述接入用户总数是否满足多小区联合信道估计条件,若是,则针对各...
多速率TD-SCDMA系统中的联合检测方法和装置制造方法及图纸
本发明提供了一种多速率TD-SCDMA系统中的联合检测方法和装置,其中的方法具体包括:将高速率用户替代为若干等效低速率用户;根据接收信号,进行等效低速率用户和原始低速率用户的联合检测,得到联合检测结果;根据所述联合检测结果,输出高速率用...
一种用于集成电路制造的场区隔离方法技术
本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法,该方法在有源区和场区定义之后,在场区注入硅离子及配对离子,去除注入掩膜之后,利用热退火在场区生成氧化硅隔离层。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构,同时工艺制备流程采用常用工...
一种用于集成电路制造的场区隔离方法技术
本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法,该方法在有源区和场区定义之后,在场区注入硅离子,去除注入掩膜之后,利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅,最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造...
石墨烯-硒化镉纳米带异质结、电池、组件及制备方法技术
本发明提供一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结,由石墨烯薄膜和硒化镉纳米带组成;本发明还涉及一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结太阳能电池,包括前述石墨烯-硒化镉纳米带异质结,还包括导线和各种基底;相应地,本发明还提供制备该太阳能电池的方法;另外,...
一种硅通孔互连结构的制作方法技术
本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法,属于微电子封装领域。本方法为:1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆;2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度,并制备所述硅晶圆的硅通孔;3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层;4)在所述硅晶圆背面制作电...
一种湿式平行板气体扩散收集管制造技术
本发明涉及一种湿式平行板气体扩散收集管,其特征在于:它包括两层规格相同、平行设置的气体捕集板,两所述气体捕集板之间形成一狭缝,所述狭缝的底端为气体入口,所述狭缝的顶端为气体出口,两所述气体捕集板的上部分别设置有一吸收液入口,两所述气体捕...
质谱双离子源安装平台装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种质谱双离子源安装平台装置。该装置包括支架、竖直方向调节部件、水平方向调节部件、角度调节部件和离子源安装部件。支架包括底座和固定在底座上的中轴,竖直方向调节部件包括由下向上依次布置的第一固定部件、升降旋钮、第二固定部件...
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