本发明公开了一种水稻雌性不育基因及其在杂交水稻制种中的应用。水稻Os03g0215200基因第二个外显子的第8位核苷酸残基由T突变为C，获得叶片下垂、雌性完全不育表型的水稻突变体，命名为sfs1，其雌性不育是由于外珠被异常增生细胞堵塞珠...

本发明公开了一种制备2，5呋喃二甲醛的方法。该方法在温和反应条件下，以分子氧为氧化剂，在锰氧化物的催化作用下使5-羟甲基糠醛进行氧化反应，得到2，5-呋喃二甲醛。本发明所用的催化剂廉价易得；反应时间短，高效节能；目标产物收率高达97％，...

本发明公开了式R1-CH-(OR2)2所示缩醛的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）式R1-CH2-OH所示醇经选择性氧化反应或者选择性脱氢反应得到式R1-CHO所示醛；（2）式R2-OH所示醇与式R1-CHO所示醛在酸催化剂的催化作用...

本发明公开了一种Cu基负载型催化剂的新用途。该新用途是其在高碳多元醇氢解制备低碳二元醇反应中的应用。具体地说，是一种Cu基负载型催化剂在木糖醇和山梨醇选择氢解制备1,2-丙二醇和乙二醇过程中的应用，催化剂以Cu为主要活性组分，采用的载体...

本发明公开了一种铟酸镉八面体微晶及其制备方法。该方法包括如下步骤：（1）将可溶性铟盐和可溶性镉盐溶于水中得到混合溶液；（2）将矿化剂加入至所述混合溶液中得到胶状悬浊液；（3）将所述胶状悬浊液移至反应釜中进行水热反应即得所述铟酸镉八面体微...

本发明公开了一种多肽GluR2-3Y的新用途。本发明提供了多肽GluR2-3Y和以多肽GluR2-3Y为有效成分制备的各种预防和/或治疗精神活性物质依赖与复吸的药品中的应用；所述多肽GluR2-3Y的氨基酸序列为序列表中的序列1；所述多...

本发明公开了双酚芴及其衍生物在制备防治癌症药物中的应用。研究发现，双酚芴及其衍生物是雌激素受体及雌激素受体相关受体反向激动剂，试验证明这类化合物能有效抑制雌激素阳性癌细胞的增长，从而能有效治疗有雌激素促长效应的乳腺癌、卵巢癌、子宫内膜癌...

本发明提供一种高效的动态类型转换的实现方法，其步骤包括：编译器对源代码进行解析并构建类继承图、首基类图和首基类链；根据类继承图构建交叉转换域；根据首基类链划分下行转换域；为每个类创建thread表，并存储到编译后的二进制程序中；在每个类...

本发明一种干涉式光纤陀螺仪，其包括宽谱光源、光源端耦合器、环前消偏器、环端耦合器、单模光纤环、以及光电探测器，其中，宽谱光源的输出端通过单模光纤与光源端耦合器的第一端口耦合，光源端耦合器的第三端口通过单模光纤与环前消偏器的一端耦合，环前...

本实用新型涉及一种多场耦合加载微纳米压入测试系统。该系统包括机械加载与测量子系统、磁场加载与测量子系统、电场加载与测量子系统和循环油浴热场加载与测量子系统，可变磁场的施加是通过控制流经电磁铁的电流大小来实现；可变电场的施加是通过高精度稳...

本发明公开了一种周期性交流驱动低温等离子体点火方法及装置，涉及航空航天发动机点火燃烧推进技术领域。该方法包括以下步骤：点火器安装在燃烧室的适当位置，其高压电极和低压电极与低温等离子体电源的高压端和低压端连接，频率控制器与低温等离子体电源...

本发明公开了一种从铜镍矿山尾矿砂中富集回收金属镍、铜和钴的方法，利用铜镍矿山生产产生的酸性废水与尾矿砂之间的自反应性，对尾矿砂进行酸溶浸出，在大宗量削减废固的同时富集回收Ni、Cu和Co等有价金属，获取高附加值产品。本发明实现了以废治废...

本发明公开了一类发光纳米粒子与其制备方法及应用。此类发光纳米粒子由含羧基高分子化合物基质材料和分散在所述基质材料中的稀土发光染料构成；本发明提供的制备发光纳米粒子方法，包括将稀土配合物发光染料和高分子化合物溶解于能与水混溶的有机溶剂中，...

本发明公开了一种式(I)所示单一糖簇及杂合糖簇化合物，其中式(I)化合物中取代基定义详见说明书。此外，还公开了这类化合物的制备方法、药物组合物。该类化合物具有抗粘附、内毒素休克保护作用。

本发明公开了一种粉煤灰免烧陶粒、制备方法及其用途。免烧陶粒含粉煤灰、水泥和金属硫化物原材料，免烧陶粒为5-20mm球形颗粒，密度1.35g/cm3，堆积密度875kg/m3，强度达5MPa，比表面积为12m2/g，整体形态完好，孔隙发达...

本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种正高压电荷泵，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压，提高其栅极与源极的电压差，...

本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构，属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构，或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构，对该单层石墨烯纳米...

本发明公开了一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管采用下层有源区、下层栅介质、栅电极的连续生长，以及上层栅介质、上层有源区的连续生长，能够极大减少有源层与栅介质的界面缺陷态，因而能极大地提高薄膜晶体管TFT的驱动...

本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为In-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底...

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通...