本发明公开了一种算术编码器设计方法及实现装置，包括以下四种技术：front-buffer设计，算法结构联合优化、muti-bin处理技术以及混合上下文存储机制，其中front-buffer设计是为了解决一个宏块经过二进制转换后产生的二进...

本发明公开了一种高速低功耗的CMOS全加器及其运算方法，所述全加器包括：异或和同或产生电路、进位输出电路和求本位和电路；异或和同或产生电路用于产生中间信号：异或信号P和同或信号异或和同或产生电路和进位输出电路共同产生进位输出信号；异或和...

本发明涉及一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括：底电极、阻变材料薄膜和顶电极，底电极在衬底上，阻变材料薄膜有金属掺杂，掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。通过离子注入方法在阻变材料薄膜中注入相应的掺杂金属；本...

本发明涉及一种基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法，制备方法为：1）在衬底制备底电极，通过光刻形成底电极图形；2）对底电极图形区域进行n+/p+离子重掺杂形成底电极；3）在底电极上制备TaOx薄膜，根据底电极的掺杂类型和TaOx杂...

本发明涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲...

本发明涉及三维虚实融合环境中视频纹理投影的自动匹配校正方法以及真实视频影像和虚拟场景融合方法，自动匹配校正方法步骤为：通过构建虚拟场景、获取视频数据、视频纹理融合、投影机校正。采用拍摄的真实视频，通过纹理投影的方式，在复杂的地表和建筑物...

本发明提供一种获取图像的紧凑全局特征描述子的方法及图像检索方法，其中，该方法包括：获取图像的至少一个局部特征描述子，从所有的局部特征描述子中选取一个或多个局部特征描述子，将所选取的局部特征描述子进行降维，获得降维后的局部特征描述子；根据...

本发明涉及一种全片上工作的精确的电流参考源，通过精准的片外电阻自调谐实现一个精准的片上电阻，再通过该精准的片上电阻分别把与温度成正比的电压和与温度无关的电压准确地转化成精准的与温度成正比和与温度无关的电流。本发明通过低压差线性稳压器将调...

本发明公开了一种石墨烯纳米孔洞的制备方法，属于薄膜材料微纳加工领域领域。该方法采用化学气象沉积法(CVD)在金属铜薄膜上制备石墨烯，利用石墨烯表面本征的缺陷结构制备石墨烯纳米孔洞，其孔径大小可为几纳米至数百纳米。该石墨烯纳米孔洞具有精度...

本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，属于材料加工领域。该方法针对化学气相沉积法(CVD)在镍等金属薄膜上制备的石墨烯，利用稀酸溶液与金属衬底发生反应生成的氢气气泡分离石墨烯层和金属衬底。该方法无需在石墨烯上层覆盖PMMA等聚合物转移载...

本发明涉及一种基于介质阻挡放电的等离子体阵列，目的在于通过拆卸、组装的方式在不同维度上产生等离子体。等离子体可以在一个面上产生，也可以在三维上产生，如产生等离子体棒、等离子体刷等。生成的等离子体稳定不会出现电弧放电，温度接近室温，强度可...

本发明公开了一种视频发生器及系统，该发生器包括格式转换子模块、缓存池、协同调度模块、多级控制指针、缓存窗、时钟锁、播控输出模块。所述格式转换子模块用于对输入视频格式进行转换，并将转换后的视频输出到缓存池；缓存池用于码流数据的缓存，在缓存...

本发明涉及多媒体视频编解码技术领域，尤其涉及一种视频编解码端的环路滤波的实现方法，所述方法包括利用编解码端块划分信息得到图像块划分结构，环路滤波则在块边界进行；若边界包含编码块、预测块和变换块边界，则利用模式、运动信息、量化参数以及残差...

本发明公开了一种视频帧率上转换装置及方法，所述装置包括输入/输出模块、运动估计模块、运动矢量中值滤波模块、重构模块、去块效应滤波模块、DDR及控制器模块、状态机控制模块等。该装置可以提升视频帧率，生成具有高质量的视频。所述方法包括如下步...

本发明涉及一种准循环LDPC码的构造方法，待构造的准循环LDPC码通过树图模型Tanner图表示，其准循环校验矩阵参数为，基矩阵的大小m×n、Block矩阵的大小p×p、基矩阵变量节点维度分布(dv)；其步骤包括，1)根据所述基矩阵变量...

本发明涉及一种起皱结构的柔性聚合物太阳能电池，包括透明电极、空穴传输层、光活化层材料、电子传输层和金属电极。其中，光活化层材料包括给体材料和受体材料。透明电极为石墨烯/PEDOT:PSS/PET复合膜、空穴传输层为PEDOT:PSS膜、...

本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个鳍之间的漏区中设...

本发明公布了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方...

本发明公开了一种钐钴与铁钴复合磁体的制备方法，包括：熔炼钐铜合金，将其甩带成为薄带并破碎成粉；熔炼铁钴合金，退火处理后破碎成粉；将钐铜粉末与铁钴粉末混合，在真空中退火，获得纳米复合磁体。该方法该将钐铜与铁钴粉末一起退火，钐铜扩散到铁钴粉...

本发明提供一种局部描述子的提取方法、图像检索方法及图像匹配方法，其中，局部描述子的提取方法包括：获取图像的核心兴趣点，所述核心兴趣点为用于体现所述图像的关键特征的像素点；确定所述核心兴趣点的子区域半径和所述核心兴趣点对应的主方向；根据所...