本发明公开了一种面向高密度存储的三维环状铁电电容建模方法，属于半导体器件技术领域。该建模方法利用高斯定理和三维与二维电容的电荷密度之间的关系，可以涵盖三维环状结构几何特点、氧化铪基铁电材料多畴极化翻转等特点。本发明填补了目前针对三维环状...

本发明公开用于预测干扰素药物治疗慢性乙型肝炎效果的组合物、产品及系统。该组合物包括用于检测生物样本中核酸SNP位点信息的试剂，所述SNP位点选自rs7519753、rs12021785、rs12030094、rs12026098和rs4...

本发明公开了一种口腔定位方法、系统、设备及计算机可读存储介质，属于口腔定位技术领域。本发明通过控制相机阵列拍摄具有第一视觉标记的目标环境图像；获取预先构建好的统一三维模型；通过统一三维模型，确定第一视觉标记与用户的用户口腔之间的第一相对...

本发明涉及一种基于干熄焦余热利用的发电和海水淡化一体化系统及方法。发电和海水淡化一体化系统中的干熄炉的惰性气体出口连通CO<subgt;2</subgt;余热锅炉。CO<subgt;2</subgt;余热锅炉的惰...

本发明涉及一种纳米粒在活细胞转运过程中与蛋白间相互作用的实时原位检测技术，一种分离提取活细胞内与纳米粒相互作用的蛋白的方法，所述方法步骤如下：制备含有过氧化物酶或生物素连接酶的纳米粒，或制备含有标记反应底物以及过氧化物酶或生物素连接酶的...

本发明公开了一种基于弹性摆的重力梯度测量装置，其特征在于，包括支撑结构、重力梯度探头、旋转运动测量单元；所述重力梯度探头位于所述支撑结构内，所述重力梯度探头为一对弹性摆，每一所述弹性摆包括簧片、硬质轻杆、质量块、光纤环骨架；所述硬质轻杆...

本发明提供了一种泛癌种水平NK细胞亚群及其应用，涉及肿瘤免疫治疗技术领域，本发明通过特征基因可以精准识别泛癌种水平下肿瘤微环境中富集的肿瘤相关NK细胞，并基于此开发预测癌症患者对免疫治疗响应程度的指标，在肿瘤免疫和药物靶点开发领域有着广...

本发明涉及应用CCUS技术的碳排放控制方法及装置，该方法包括：构建并训练煤电决策优化模型；对该模型进行校准，以获取碳排放技术的进步率，该碳排放技术包括CCUS技术；根据用于访问与煤基能源有关的政策的URL，进入显示有与煤基能源有关的政策...

本公开提供了一种顶栅场效应晶体管及其制备方法。本公开的顶栅场效应晶体管包括衬底层、有源层、界面钝化层、栅介质层、顶栅电极、源极和漏极，界面钝化层形成于所述有源层之上并直接与所述有源层接触，所述栅介质层形成于所述界面钝化层之上，所述界面钝...

本发明公开一种实现静态和动态多值内容可寻址存储器的方法，属于新型存储与计算技术领域。本发明基于双栅调控的互补铁电场效应晶体管在无需额外硬件开销的前提下原位扩展为多值静态CAM模式和多值动态CAM模式，使得CAM的密度得到提升，并且可以实...

本发明通过实验研究发现VIP能够促进棕色脂肪细胞(BAT)中产热关键基因和蛋白的表达，并增加线粒体的数量；在正常饮食的小鼠中，VIP处理可降低小鼠体重，提高小鼠体温，并且促进BAT中产热相关基因的表达；在高脂饮食的小鼠中，VIP处理可降...

本发明涉及一种基于干熄焦余热回收的发电和海水淡化系统及方法。发电和海水淡化系统中的干熄炉的惰性气体出口连通CO<subgt;2</subgt;余热锅炉，干熄炉内吸收赤热焦炭的热量后的惰性气体进入CO<subgt;2&l...

本发明涉及一种可信赖灵巧手系统仿真方法及仿真系统，基于多种安全强化学习算法，对灵巧手和机械臂进行仿真测试；针对每种安全强化学习算法对灵巧手和机械臂仿真测试结果进行评估，评估其最大化预期总奖励和是否满足安全约束条件。本发明能够对灵巧手的安...

本发明涉及数据处理技术领域，公开了一种临床试验治疗效果评估方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：确定用于表征当前临床试验数据源和真实世界数据源之间的相似度的倾向性评分；基于倾向性评分和预设层次聚类模型构建层次聚类树；基于高斯过程方法、...

本发明公开了一种超低功耗的静态随机存取存储器单元，该单元电路包括双反相器子电路、第一写缓冲子电路、第二写缓冲子电路和读缓冲子电路，双反相器子电路作为存储单元，通过交叉耦合实现对数据的锁存操作，所述第一写缓冲子电路和第二写缓冲子电路均采用...

本公开提供了一种控制信号分配器、经典‑量子交互接口及信号处理系统，涉及量子信息领域，所要解决的技术问题是反复插拔接入控制信号分配器的信号线的过程中积累的静电导致量子芯片的烧毁；控制信号分配器包括开关模块、输入接口、输出接口，输入接口的第...

本发明公开了一种基于事件相机辅助的暗光视频增强方法及装置，涉及视频生成技术领域。本发明通过引入高时间分辨率的事件相机，辅助暗光视频帧之间运动信息及其相关性的提取，利用多帧对齐和融合的思想增强暗光视频帧的对比度和信噪比，其增强结果大大超越...

本发明是一种高线性度高耐久FeFET及其制备方法。所述FeFET包括硅衬底，硅衬底表面是图形化的氧化铝界面层，氧化铝界面层上是由铪铝氧铁电层、铪锆氧铁电层和位于这两个铁电层之间的氧化铝薄层组成的混合铁电层，栅极位于混合铁电层上，源漏分别...

本发明公开了一种基于CMOS工艺流程的嵌入式铁电存储器的集成方法，属于半导体存储器技术领域。本发明在不影响CMOS电路性能、不新增光刻版、不增加铁电存储器单元面积的前提下，利用CMOS逻辑工艺平台已有技术，在片上嵌入式集成大面积的铁电存...

本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第...