一种超低功耗的静态随机存取存储器单元制造技术

本发明专利技术公开了一种超低功耗的静态随机存取存储器单元，该单元电路包括双反相器子电路、第一写缓冲子电路、第二写缓冲子电路和读缓冲子电路，双反相器子电路作为存储单元，通过交叉耦合实现对数据的锁存操作，所述第一写缓冲子电路和第二写缓冲子电路均采用一NMOS，第一写缓冲子电路与第一写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作；第二写缓冲子电路与第二写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作。本发明专利技术使用单个NMOS作为写缓冲子电路，相比于传统TFET SRAM从根本上避免TFET单向导通、正向p‑i‑n电流和串联电流衰减问题，减小了写延迟，提高了噪声容限。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于静态随机存取存储器单元的电路，具体涉及一种超低功耗的静态随机存取存储器单元电路。

技术介绍

1、随着智能物联网，手机和其他移动设备的发展，设计低功耗的片上系统(systemon chip,soc)成为迫切需要。在soc中，静态随机存取存储器(static random accessmemory,sram)作为主要的存储模块，占整个soc功耗的很大部分，包括数据读取时的动态功耗以及待机时的静态功耗。因此设计低功耗的sram是十分重要的。

2、tfet是一个三端的晶体管，与mosfet不同，其本质是一个反偏的pin结，依靠带带隧穿机制导通，因此在室温下可以突破60mv/dec的亚阈值斜率，能够实现比mosfet低1到2个数量级的超低关态电流并且受短沟道效应的影响很小。不仅如此，tfet还具有和传统cmos工艺兼容的优势，可以利用晶圆代工厂中的标准cmos工艺制造互补隧穿场效应管(ctfet)，并且将ctfet和cmos集成在单片上。

3、tfet应用在存储单元电路中时会面临两个问题：单向导电性和p-i-n电流。为了解决这两本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括双反相器子电路、第一写缓冲子电路、第二写缓冲子电路和读缓冲子电路，双反相器子电路作为存储单元，通过交叉耦合实现对数据的锁存操作，所述第一写缓冲子电路采用一NMOS，该NMOS的栅端与写字线连接，漏端与双反相器子电路的第一存储节点Q连接，源端与第一写位线连接，第一写缓冲子电路与第一写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作；所述第二写缓冲子电路采用一NMOS；该NMOS的栅端与写字线连接，漏端与第二存储节点QB连接，源端与双反相器子电路的第二写位线连接；第二写缓冲子电路与第二写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通...

【技术特征摘要】

1.一种静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括双反相器子电路、第一写缓冲子电路、第二写缓冲子电路和读缓冲子电路，双反相器子电路作为存储单元，通过交叉耦合实现对数据的锁存操作，所述第一写缓冲子电路采用一nmos，该nmos的栅端与写字线连接，漏端与双反相器子电路的第一存储节点q连接，源端与第一写位线连接，第一写缓冲子电路与第一写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作；所述第二写缓冲子电路采用一nmos；该nmos的栅端与写字线连接，漏端与第二存储节点qb连接，源端与双反相器子电路的第二写位线连接；第二写缓冲子电路与第二写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作；读缓冲子电路与读位线和双反相器子电路连接，由读字线控制通断，实现对存储单元的读操作。

2.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄芊芊，魏仁杰，王凯枫，周盈希，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：