本发明公开了基于一体化平面耗尽型结终端的功率器件制备方法，包括：在N

本发明公开了一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法，用于栅极电压控制型功率器件，栅极集成电阻包括：设置于栅极PAD和栅极汇流条之间的若干个电阻单元；电阻单元的一端与栅极PAD连接，其另一端通过电阻引出极与栅极汇流条连接或悬空；至...

一种沟槽型原胞功率器件的制备方法和沟槽型原胞功率器件，该方法通过将金属层直接与多晶硅连接，提高了栅极汇流条的综合电导率，使得功率器件的栅极信号能够无损传导到各个原胞；且采用双J型互锁式版图布线方式，解决了现有技术中高密度沟槽功率器件版图...

一种沟槽型功率半导体芯片的制备方法和沟槽型功率半导体芯片。该方法通过将金属层直接与多晶硅连接，除去了表面POLY层，使得芯片表面不产生层与层之间的台阶交叠爬坡，微填充问题彻底解决，可靠性大幅提高；沟槽型功率半导体芯片表面4层结构简化到3...

本发明公开了一种功率器件原胞结构、功率器件及其制备方法，其中功率器件原胞结构包括：若干个栅极沟槽及栅极沟槽分别对应的栅极；栅极沟槽包括：并列设置且互相独立的若干个第一沟槽和若干个第二沟槽；第一沟槽与栅极汇流条连接，第二沟槽两端浮空设置；...

一种IGBT芯片的制备方法和IGBT芯片。该制备方法包括：硅基衬底制备；在硅基衬底上形成P型终端区和有源区，使有源区与终端区氧化隔离；在有源区中形成多晶硅沟槽