本申请涉及粉末冶金材料的技术领域，具体公开了一种CrAlCu复合靶材及其制备方法和应用。本申请公开的CrAlCu复合靶材为双层结构，以CrAlCu合金靶材为靶材上层，以Al背板为靶材底层；所述CrAlCu合金靶材按原子百分比由以下成分组...

本申请涉及靶材制造领域的一种低铝含量钛基靶材及其制备方法，其包括以下步骤将Al粉、Ti粉、Me粉按比例进行机械混合形成混合粉体，所述混合粉体中Al粉的含量为1

本发明公开了一种CrW合金靶材及其制备方法，具体通过优化粉末粒度和成型工艺制备了W原子比最高达到50％的CrW合金靶材。本发明CrW合金靶材组织均匀，无偏析、无团聚等，致密度99％以上。另外，本发明还通过在靶材底部焊接一层容易机加工的材...

本发明提供一种碳化钨绑定靶材及其制备方法，该碳化钨绑定靶材包括背板，硬质钎料钎焊层，背金层和碳化钨靶坯；背金层位于碳化钨靶坯的焊接面上，钎焊层位于背板和背金层之间。该方法采用硬质钎料作为钎焊层，解决了采用软钎料进行绑定焊接时，因钎焊层熔...

本实用新型提供一种组合式PVD镀膜靶材及PVD镀膜机，所述组合式PVD镀膜靶材包括材质不同的靶材本体和底座，所述靶材本体与所述底座分体设置，所述底座的第一端与所述靶材本体的一端连接，将所述底座与所述靶材本体组合为一体。本实用新型的组合式...

本实用新型提供一种用于热等静压Cr基靶材锭坯的装粉装置，所述装粉装置包括：包套主体、包套上盖和包套下盖；所述包套上盖盖设在所述包套主体上端，所述包套下盖设置在所述包套主体底端，所述包套主体、所述包套上盖和所述包套下盖合围成一个腔体，所述...

本实用新型提供一种用于生产PVD用靶材锭坯的装粉装置，包括用于盛装金属粉末的料桶和吊装机构，所述料桶的底端连通一装料管，所述装料管的高度大于或等于待装粉的包套管的高度，所述吊装机构用于吊起所述料桶并驱动所述装料管沿所述包套管的延伸方向移...

本发明公开了一种高性能CrAlSiX合金靶材及其制备方法，其中，X为W、Mo、Nb、Ta中的一种或多种，所述高性能CrAlSiX合金靶材具有双层结构且由上层和底层复合而成，所述上层为CrAlSiX基体靶，所述CrAlSiX基体靶按原子百...

本发明公开了一种钛硅合金靶材及制造方法，属于合金靶材制备领域。该方法包括：合金粉末制备步骤，将钛源和硅源混料制成合金粉末；冷等静压步骤，对所述合金粉末进行冷等静压处理，得到压坯；脱气步骤，对所述压坯进行脱气处理；热等静压步骤，对所述脱气...

本发明提供一种碳化钛靶材及其制备方法，该方法为：首先将纯碳化钛原料粉进行筛分处理，得到粒度均匀的粉末，之后进行配碳处理，得到成分合适的混合原料；然后均匀填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结处理，经冷却后，脱模得到烧结坯；最后将烧结坯进...

本发明涉及一种MoS2陶瓷靶材的制备方法，该制备方法包括以下步骤：首先，将MoS2原料粉烘干过筛，得到粒度分布均匀、无结块的MoS2粉末；然后，将MoS2粉末均匀地填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结，然后冷却、脱模，得到烧结坯；最后...

本发明涉及一种高致密度TiB2陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将TiB2原料粉烘干过筛，得到粒度分布均匀的、无结块的TiB2粉末；步骤二，将TiB2粉末均匀地填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结，然后冷却、脱模，得到高致密度...

本发明提供一种无粘结相纯碳化钨靶材的制备方法，该方法为：首先将纯碳化钨原料粉进行筛分处理，得到粒度均匀的纯碳化钨粉末；然后均匀填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结处理，经冷却后，脱模得到烧结坯；最后将烧结坯进行机加工得到符合尺寸和表面...