本发明公开了一种基于域的数字权限管理方法、域管理服务器及系统，为了解决Ｌｉｃｅｎｓｅ解密密钥密文不能在域内设备间拷贝使用的问题，通过多元素加密单元素解密的加密算法，利用设备标识集计算得到域公钥，加密Ｌｉｃｅｎｓｅ解密密钥得到Ｌｉｃｅｎｓ...

本发明公开了一种控制网络行为的方法、系统及装置，用以解决现有技术中存在的对网络行为控制的不准确，以及增加了网络的不稳定因素的问题。该方法中，局域网服务器将该局域网中的用户端发送的请求转发给该请求对应的接收端时，将该请求发送给网络行为管理...

本发明公开了一种互联网批注共享、管理和下载的方法，解决了现有用户在上传下载批注时，需要将该批注所对应的电子文件一起上传下载，造成数据传输速度慢，浪费网络资源的问题。本发明首先为电子文件添加唯一标识，然后，在电子文件的批注与所述标识之间建...

本发明公开了一种数字内容下载控制方法、装置及系统，用以控制下载数字内容的客户端的数量，避免数字内容被大量客户端随意下载。本发明提供的一种数字内容下载控制方法包括：服务器接收客户端发送的数字内容下载请求，并从中获取该客户端请求下载的数字内...

本发明公开了一种稿件处理方法及系统，以解决现有技术投稿后无法自动获知被投送稿件的状态的问题，该方法包括：稿件服务器接收被投送稿件的内容信息和用户的标识信息后，生成包括上述信息和被投送稿件状态信息的稿件存储记录，内容信息被执行审批操作后，...

本发明公开了一种字库的网络分发方法及系统，属于字符信息处理技术领域。现有的字库分发方法中，采用全字库分发方式。这种方式存在数据量大，响应速度慢，冗余数据量大等不足之处。本发明所述的方法及系统在现有字库格式的基础上，将字库中的数据划分为公...

本发明公开了一种编码方法及装置，在不增加线缆成本的情况下，避免高速串行数据传输技术存在的ＲＭＴ。本发明提供的一种编码方法包括：从待编码的数据流中依次读取待编码的数据，确定由连续出现的同一数据组成的数据组以及该数据连续出现的次数；根据该数...

本发明公开了信号转换装置，用于实现ＣＯＭＳ单端信号到ＴＴＬ信号的转换。所述信号转换装置包括接收模块，用于接收ＣＭＯＳ单端信号；转换模块，用于通过自身包括的工作电压输入端，并依据ＣＭＯＳ单端信号，来控制输出信号的信号电压，从而实现ＴＴＬ信...

本发明公开了一种梯形激励脉冲发生方法及装置，根据所需输出的梯形激励脉冲参数值确定出脉冲幅度的正直流控制电压信号电压值、负直流控制电压信号电压值、上升时间直流控制电压信号和下降时间直流控制电压信号的电压值，并生成对应直流控制电压信号；将正...

本发明公开了一种脉冲宽度控制装置及方法，用以避免由于同步脉冲宽度过长或过短给压电式喷墨打印头造成的不良影响，该装置包括：第一单稳态多谐振荡器，用于接收同步脉冲，并利用该同步脉冲产生并输出宽度为预先设定的第一阈值的负脉冲；第二单稳态多谐振...

本实用新型公开了一种控片和挡片，属于半导体集成电路芯片工艺领域，为解决现有技术中控片和挡片在清洗回收过程中表面产生的颗粒问题而设计。所述控片，包括硅衬底，其表面设有一层氮化硅膜。所述挡片，包括硅衬底，其表面设有一层氮化硅膜。本实用新型适...

本实用新型公开了一种推片机，涉及电子器件的制造技术。解决了现有技术中在不同的晶舟盒之间转移硅片的过程中易发生硅片冲撞，导致硅片损坏的技术问题。本实用新型所提供的推片机，包括推挡件和支撑台，所述推挡件设在所述支撑台上。本实用新型应用于在不...

本发明公开了一种监控片的重复利用方法，该方法包括：将经过中束流离子注入的监控片进行快速退火，修复监控片表面因离子注入造成的晶格损伤；将修复后的监控片用于中束流离子注入监控。本发明通过对中束流离子注入后的监控片进行快速退火，修复监控片的晶...

本发明公开了一种平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，用以减小平面双扩散金属氧化物半导体器件的结型场效应晶体管导通电阻，提高平面双扩散金属氧化物半导体器件的性能。本发明技术方案在制作Ｐｌａｎａｒ　ＤＭＯＳ器件之前，在晶圆外延层的表...

本发明实施例公开了一种ＭＯＳＦＥＴ晶体管的栅极及其制造方法，涉及半导体芯片工艺技术领域，解决了现有的ＭＯＳＦＥＴ晶体管的栅极容易被击穿或产生漏电的技术问题。本发明实施例ＭＯＳＦＥＴ晶体管的栅极，包括栅极介质层以及栅极本体，栅极介质层形成...

本发明公开了一种硅槽形成方法及装置，属于半导体集成电路芯片工艺技术领域。所述方法包括：在硅衬底上生长硬掩膜层；在硬掩膜层表面涂覆光刻胶层，经过光刻工艺得到光刻胶图形；刻蚀硬掩膜层，复制光刻胶图形到硬掩膜层；向硅衬底刻蚀设备中通入ＨＢ↓［...

本发明公开了一种元胞形成方法和一种具有外延片的晶圆，用以解决现有半导体器件有效管芯区内的源漏导通电阻较大的问题。该方法包括：在主平边对位于＜１１０＞晶向的外延片的表面，沿着与＜１１０＞晶向成４５度角的方向印出多条平行且间距相等的第一沟线...

本发明公开了一种平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，用以减小现有平面双扩散金属氧化物半导体的接触电阻，提高平面双扩散金属氧化物半导体的性能。该方法包括：对晶圆背面进行硅腐蚀之后，向所述晶圆背面注入与所述晶圆中已有的第一掺杂原子不...

本发明公开了一种提高灰度字形显示质量的方法及装置，用以解决现有技术中存在的灰度字形显示效果差的问题。本发明方法包括：将灰度字形回路的最小宽度处的第一端点圆整到网格上，和／或依据预先设置的调整方向，向远离所述第一端点的方向移动所述最小宽度...

本发明公开了一种监控多屏幕的方法，用于实现在一台计算机上控制多个显示屏。所述方法为：获得第一路图像数据并输出到至少两个显示屏幕中的第一显示屏；以及，获得第二路图像数据输出到至少两个显示屏幕中的第二显示屏，同时，将第二路图像数据输出到所述...