本发明属于半导体封装领域，具体公开了一种基于混合键合工艺的半导体连接中介层及其使用方法；中介层包括中介层晶圆、分别设置于中介层晶圆两端面的接点以及用于将两接点电气连接的导通结构；电气连接的两接点在垂直方向的投影存在不重合部分；本申请通过...

本发明公开嵌入传感器或显示芯片的扇出封装结构及其封装方法，涉及半导体加工技术领域，包括步骤一：制作芯片级封装；步骤二：制作扇出型封装；步骤三：将若干个芯片级封装与第一玻璃载具进行黏附组装；步骤四：在各个扇出型封装的外侧加工第二压模树脂层...

本发明公开了薄型传感器芯片的扇出封装结构，包括玻璃载具组、芯片级封装和扇出型封装，所述玻璃载具组包括晶圆级玻璃载具和薄玻璃，所述薄玻璃的底部粘附有保护胶带，且保护胶带的表面粘结有金属层，本发明涉及半导体封装技术领域。该薄型传感器芯片的扇...

本发明公开的一种带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法，结构包括低密度布线的基板、高密度RDL布线的Si中介层以及中密度RDL布线的有机介电层，Si中介层内嵌于基板表面，有机介电层采用扇出面板级封装于Si中介层及基板表面且与基板...

本发明公开的一种具有TSV内联机的芯片堆栈封装结构及其制造方法，封装结构包括扇出型封装，所述扇出型封装的相对第一面和第二面分别设有突出接点，所述扇出型封装通过所述突出接点的电性连接进行堆栈；所述扇出型封装内沿所述第一面及所述第二面并列封...

本发明公开的一种嵌入式扇出型封装结构及其制造方法，结构包括FCBGA基板以及内嵌扇出型封装；扇出型封装内封装有Si中介层芯片和再分配层，再分配层的表面接点形成第一金属凸体；基板包括芯层以及堆栈于芯层表面的多层增层线路板，各层增层线路板间...