【技术实现步骤摘要】
薄型传感器芯片的扇出封装结构及其封装方法
[0001]本专利技术涉及半导体封装
,具体为薄型传感器芯片的扇出封装结构及其封装方法,应用于影像传感器。
技术介绍
[0002]目前影像传感器封装方式,主要有两大类,板上芯片型封装与芯片级封装。板上芯片型封装,是将影像传感器芯片黏在有机基板上,有机基板四周有压模树脂环绕,打线连接芯片与基板,让信号从芯片导通到基板,若影像传感器芯片内没有设计图像信号处理器,则在基板内嵌ISP(image signal processor,图像信号处理器),将玻璃黏在压模树脂上,基板的背面植锡球,板上芯片型封装的体积较大,若系统对体积有要求,则选用芯片级封装,芯片传感器的上方有玻璃,芯片内有TSV(through siliconvia,通过硅通孔),作为芯片上下表面信号的连接。接着在芯片背面制作复数层的RDL(redistribution layer,再分配层),最后在接点处有铜凸块,在铜凸块处植锡球。
[0003]不论板上芯片型封装与芯片级封装,玻璃厚度在250~400微米(um)以上 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.薄型传感器芯片的扇出封装结构,包括玻璃载具组、芯片级封装(1)和扇出型封装(2),其特征在于:所述玻璃载具组包括晶圆级玻璃载具(3)和薄玻璃(4),所述薄玻璃(4)的底部粘附有保护胶带(5),且保护胶带(5)的表面粘结有金属层(6),所述薄玻璃(4)的底部与晶圆级玻璃载具(3)的顶部粘结,所述芯片级封装(1)通过黏胶(9)固定在薄玻璃(4)的上方,所述扇出型封装(2)通过焊锡(10)固定在芯片级封装(1)的上方,所述扇出型封装(2)的顶部连接有锡球(8),所述扇出型封装(2)和芯片级封装(1)的表面均压模有树脂封装(7)。2.根据权利要求1所述的薄型传感器芯片的扇出封装结构,其特征在于:所述薄玻璃(4)的厚度小于250微米。3.根据权利要求1所述的薄型传感器芯片的扇出封装结构,其特征在于:所述扇出型封装(2)顶部设置有位于树脂封装(7)上方且与锡球(8)连接的铜凸块。4.一种如权利要求1所述的薄型传感器芯片的扇出封装结构的封装方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一、扇出型封装(2)制备:在玻璃载具上刷涂上黏胶层,然后在黏胶层上制作第一面锡铜接点及复数层RDL,然后在RDL最上层长出铜柱,然后将图像信号处理器黏接在上层RDL上,将芯片表面的铜凸块朝上,然后压模灌树脂,再对压模树脂的表面进行研磨,制作复数层RDL,在最后一层RDL接点处长出铜凸块,然后将玻璃载具上的黏胶层溶解,移除玻璃载具后,将封装的芯片切成单颗,得到扇出型封装(2);步骤二、芯片级封装(1)制备:制得玻璃载具组,在影像传感器晶圆传感器四周的表面涂上黏胶(9),然后将影像传感器晶圆倒装...
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