披露了一种晶体管(1)，该晶体管包括源极(10)、本体(12)和漏极(14)，晶体管(1)进一步包括多个半导体层(20)，其中，多个半导体层(20)中的层由AlGaN或GaN制成，并且其中，多个半导体层(20)被配置成使得铝含量在每个相...

披露了一种用于进行水电解的装置(1)。该装置包括：半导体结构(10)，该半导体结构包括表面(11)和所述表面(11)下方的电子引导层(12)，该半导体结构(10)的电子引导层(12)被配置成引导电子在平行于该表面(11)的平面内移动，该...

本发明涉及一种功率转换器装置

提供了一种用于形成不同颜色发光二极管

提供了一种垂直高电子迁移率晶体管HEMT(100)，该垂直HEMT包括：漏极接触件(410)，纳米线层(500)，该纳米线层布置在该漏极接触件(410)上并且包括至少一根垂直纳米线(510)以及支撑材料(520)，该支撑材料横向包围该至...

提供了一种感应电机(100)，包括：转子(120)；定子(140)；以及相移振荡器(160)。该定子包括：第一绕组(141)；以及第二绕组(142)，该第二绕组相对于所述第一绕组以第一角度(101)布置。该相移振荡器包括：晶体管(170...

提供了一种现场可编程门阵列FPGA器件(100)，该FPGA器件包括可配置逻辑块CLB(110)，该CLB包括逻辑反相器(120)，该逻辑反相器包括高电子迁移率晶体管HEMT(130)，其中，该HEMT包括：Si衬底(384)；Al

提供了一种固态电池层结构(100)，包括：阳极集电体金属层(110)；布置在该阳极集电体金属层上的阳极层(120)；横向地布置在该阳极层上的固体电解质层(140)；布置在该固体电解质层上的阴极层(150)；以及阴极集电体金属层(160)...

提供了一种单片微波集成电路MMIC前端模块(100)，该MMIC前端模块包括：由硅衬底(120)支撑的氮化镓结构(110)；具有发射模式和接收模式的硅基发射/接收开关(130)；发射放大器(112)，该发射放大器被配置为对要由所述MMI...

提供了一种半导体层结构(100)，该半导体层结构包括：Si衬底(102)，该Si衬底具有上表面(104)；第一半导体层(110)，该第一半导体层布置在所述衬底上，该第一半导体层包括垂直于所述衬底的所述上表面布置的多个竖直纳米线结构(11...

提供了一种用于电池的高功率充电的AC

一种增强型薄膜器件(100，200，500)，包括：衬底(101)，该衬底具有用于支撑外延层的顶表面；掩模层(103)，该掩模层被图形化有多个纳米级空腔(102，102’)，这些纳米级空腔设置在所述衬底(101)上，以形成针垫；设置在所...