现场可编程门阵列器件制造技术

提供了一种现场可编程门阵列FPGA器件(100)，该FPGA器件包括可配置逻辑块CLB(110)，该CLB包括逻辑反相器(120)，该逻辑反相器包括高电子迁移率晶体管HEMT(130)，其中，该HEMT包括：Si衬底(384)；Al

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】现场可编程门阵列器件


[0001]本专利技术涉及现场可编程门阵列FPGA器件。特别地，本专利技术涉及用于执行自动驾驶计算的人工智能AI加速器FPGA器件和其他硬件。

技术介绍

[0002]现场可编程门阵列FPGA长期以来一直用于构建专用集成电路ASIC和片上系统SoC器件的系统原型。FPGA是包含大量可配置逻辑的通用部件，并且是用于构建和测试新集成电路IC的自然选择。随着IC设计在尺寸和复杂性方面的增长，FPGA也在不断发展以提供不断增加的对应数量的逻辑门。FPGA原型使得能够更灵活地开发和测试系统，并且可以允许软件开发人员更早地达成功能更先进的硬件平台。FPGA可以用于通常需要执行非常大量计算的人工智能AI加速器。对于自动驾驶应用程序，尤其是像在电动车辆EV中那样依靠储存的电能进行推进时，这可能成为问题，因为FPGA通常会比ASIC消耗更多的功率。AI加速器FPGA功耗的典型数值可能在1kW至5kW范围内。这样，自动EV的续航里程可能大大减少，例如，减少5％至10％。较高的功耗可能归因于FPGA中需要更多的逻辑门和更多的逻辑门间布线。另外，更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种现场可编程门阵列FPGA器件(100)，包括：可配置逻辑块CLB(110)，该可配置逻辑块包括逻辑反相器(120)，该逻辑反相器包括高电子迁移率晶体管HEMT(130)，其中，该HEMT包括：Si衬底(384)；Al
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Ga
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‑1N层结构(380)，其中，0<y≤1；GaN层结构(382)；以及晶体过渡层结构(386)，该晶体过渡层结构布置在该Si衬底上，其中，该晶体过渡层包括：多个竖直纳米线结构(388)，这些竖直纳米线结构垂直布置在Si衬底上，以及Al
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‑1N层结构(389)，其中，0≤x<1，其中，该Al
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‑1N层结构被布置为竖直和侧向包围这些竖直纳米线结构。2.根据权利要求1所述的FPGA器件，其中，该逻辑反相器为共源共栅反相器，其中，该逻辑反相器包括至少两个HEMT(130)，其中，每个HEMT包括：Si衬底(384)；Al
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‑1N层结构(380)；GaN层结构(382)；以及晶体过渡层结构(386)，该晶体过渡层结构布置在该Si衬底上，其中，该晶体过渡层包括：多个竖直纳米线结构(388)，这些竖直纳米线结构垂直布置在Si衬底上，以及Al
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‑1N层结构(389)，其中，0≤x<1，其中，该Al
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‑1N层结构被布置为竖直和侧向包围这些竖直纳米线结构。3.根据权利要求1或权利要求2所述的FPGA器件，其中，该逻辑反相器包括至少一个上拉晶体管(230)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的FPGA器件，其中，该CLB是K输入CLB。5.根据权利要求1至4中任一项所述的FPGA器件，其中，该CLB被配置用于学...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁，
申请(专利权)人：艾普诺瓦泰克公司，
类型：发明
国别省市：