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提供了一种现场可编程门阵列FPGA器件(100)，该FPGA器件包括可配置逻辑块CLB(110)，该CLB包括逻辑反相器(120)，该逻辑反相器包括高电子迁移率晶体管HEMT(130)，其中，该HEMT包括：Si衬底(384)；Al
该专利属于艾普诺瓦泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾普诺瓦泰克公司授权不得商用。

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