根据一实施例的旋转阴极用于溅射装置，是可旋转地分别连接到端块和端盖的旋转阴极，包括；轴，其可以旋转轴为中心旋转；头部连接器，其布置在所述轴的前端部；主体连接器，其布置在所述轴的侧面；电缆，其布置在所述轴的内部，并连接所述头部连接器与主体...

根据一实施例的电磁铁组件，其用于旋转阴极，并可旋转地分别连接至端块和端盖，包括：轴；主体连接器，其布置在所述轴；电磁铁，其与所述轴平行布置；以及电磁铁连接器，其布置在所述电磁铁上，并可拆装地布置在所述主体连接器，所述电磁铁，包括：电磁铁...

本发明涉及一种半导体器件的钨成膜方法，其是在半导体衬底上利用物理气相沉积溅射法来实现的半导体器件的钨(W)成膜方法，其特征在于包括：a)利用功率密度小于0.5W/cm2的磁控溅射来在所述半导体衬底上沉积钨膜的第1沉积步骤；b)在惰性气体...

本发明涉及一种低电阻材料的成膜方法，其涉及利用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)在半导体基板上成膜的低电阻材料的成膜方法，包括以下阶段：a)在1Pa至40Pa的压力以及低温下，利用磁控溅射在SiO...

提供一种基板处理方法，使其在使处理室的状态恢复的恢复处理的时间比处理室中进行的规定处理的时间长的情况下，也可以使生产能力提高。交替地向两个成膜室C、D传送基板，在成膜室C、D中对基板并行地进行同一成膜处理，当成膜室C中的处理片数达到规定...

本发明提供一种静电卡盘，其在通过使静电卡盘保持具有透光性的处理基板，对处理基板实施伴随光照射的处理时，即使由于光电效应而使吸引力降低，也能够切实地保持处理基板。静电卡盘（６）具有由电介质构成的卡盘平板（６１）和设置于卡盘平板（６１）的第...

本发明提供一种能够准确判别静电卡盘是否达到使用极限的静电卡盘的使用极限判别方法。静电卡盘（２）具有第１电极（４）、第２电极（４′）以及由包覆这些电极（４、４′）的电介质构成的包覆层（５），并被构成为通过从电源（７）对第１和第２电极（４、...

一种表面处理陶瓷构件，其为气孔率为１％以下的陶瓷烧结体基材的至少部分具有皮膜形成表面的陶瓷构件，皮膜形成表面是由硅醇盐化合物聚合体的溶胶凝胶皮膜和基材表面混杂存在而成的，具体而言，所述溶胶凝胶皮膜的面积率为皮膜形成表面整体的５～８０％。...

本发明提供一种能减少搬运机器人的通信时间、能缩短基板搬运时间的搬运机器人的控制方法。以一个指令执行将存在于处理室（Ｃ）的基板（Ｓ２）搬运到处理室（Ｅ）的规定位置时的搬运机器人（１）的一系列动作。一系列动作中可以包括在用机器人手（１２ｂ）...

本发明提供一种具有高可靠性且能迅速进行示教的低成本的搬运机器人的示教方法。对搬运机器人示教其搬运动作，该搬运机器人以支承欲在多个处理室（Ｂ、Ｃ）间进行处理的基板（Ｓ）的状态而在同一平面内进行旋转及伸缩动作，从而将上述基板（Ｓ）搬运到规定...

本发明涉及处理装置的动作监视系统，能够在具备为了在对处理对象物实施规定处理的处理室内形成规定的处理环境而设置的可动部件、和控制各可动部件的动作的控制单元的处理装置中，简单地判断构成处理装置的可动部件的包括经时变化在内的异常。其中，设置有...

本发明的磁记录媒体制造装置，使具有磁记录层的基板表面不会由于离子铣削而消失，且不受大气影响地制造磁记录媒体；该磁记录媒体制造装置（１０），在向具有磁记录层的基板（７１）注入离子束后，将该离子束注入后的具有磁记录层的基板（８０）的表面通过...

提供一种可在生产性、批量生产性上优异的成膜槽上盖与喷头的 一体化构造体，具有组装在该上盖上的包括气体扩展部分的喷头构造、 构成喷头的表面的喷淋板，和设于该上盖内部的温媒循环路径；该温 媒循环路径配置成使其大部分与组装在该上盖内部的喷淋板...

提供不导致部件件数的增加就能提高运转率的低成本的传送机器人的诊断系统。在处理室（Ｃ）之间通过机械臂（１１）传送基板（Ｓ）时，如通过任意的检测单元（２）检测到机械臂（１１）时，取得由检测单元（２）检测出的机械臂（１１）的动作数据来制作基准...

提供一种基板传送用机械手（３），即使在基板（Ｓ）产生弯曲，也能稳定地支撑基板（Ｓ）。在机械手（３）的上表面设有供基板（Ｓ）的下表面外周部落座的第一落座面（６），在其外周形成向上方的阶梯部（８）。在阶梯部（８）上，有阶梯状的多个台阶（８ａ...

本发明提供一种即便对基板的两面进行干式蚀刻也不会发生基板裂开的干式蚀刻方法。向真空室内导入由氟碳气体和稀有气体构成的蚀刻气体，使真空室内为规定的压力，并产生等离子体，对在设置于基板载置部的导热性薄片的粘接面上紧密粘贴的被处理基板实施蚀刻...

本发明提供一种面内均匀性好且蚀刻速度高的干式蚀刻装置及干式蚀刻方法。该干式蚀刻装置，具备由上部的等离子体发生室及下部的基板处理室构成的真空室、设置在所述等离子体发生室的侧壁的外侧的磁场线圈、配置在该磁场线圈和侧壁的外侧之间且与高频电源连...

本发明涉及一种微波激励的等离子体处理设备，它具有宽的电压范围和宽的可应用的电功率范围，用于正常放电，其使用通过矩形波导切割的并具有这样的轮廓的缝隙，所述轮廓使得在微波天线的下方的微波引入窗口的正下方能够均匀地形成微波的电场和磁场。所述微...

一种制备多孔ＳＯＧ膜的方法，包括：制备含有有机硅烷、水和醇的有机硅烷溶液，使所说的有机硅烷酸解或碱解，然后将得到的反应体系在表面活性剂的存在下热处理以形成可用于夹层绝缘膜的多孔ＳｉＯ↓［２］膜。也可以用下述方法制备多孔ＳＯＧ膜：重复上述...

一种用可水解烷氧基硅烷化合物、水、醇和表面活性剂制备多孔氧化硅膜的方法，该形成多孔氧化硅膜的方法包括使用一种或多种具有依照Ｄｕ　Ｎｏｕｙ法表示的０．１ｗｔ％浓度，和在２５℃下４５ｍＮ／ｍ或更高的表面张力的非离子表面活性剂作为表面活性剂，...