技术推荐：半导体工艺中去除残余物质的方法

专利技术简介：

本发明专利技术涉及半导体加工和制造领域，更具体地说，涉及到一种半导体工艺中去除残余物质的方法。一种半导体工艺中去除残余物质的方法，该方法在工艺环境中实施，残余物质为留存在硅片上的TiF4，包括：清洗工艺，所述清洗工艺中由足量的乙醇作溶液溶解TiF4，以对硅片加以清洗。而为了提高工艺效率，在清洗工艺之前，对硅片进行加热工艺处理以使TiF4升华，加热工艺中控制工艺环境中的温度高于TiF4的升华温度。采用本发明专利技术提供的技术方案，能够有效的去除留存在硅片上的TiF4，避免了TiF4对后续工艺的不利影响。

专利技术说明：

技术领域本专利技术涉及半导体生产和加工领域，更具体的说，涉及一种半导体工艺中去除残余物质的方法。背景技术随着半导体技术的持续发展，半导体硅片的结构已变得非常复杂，但多样化的半导体加工手段同样也层出不穷，为人们提供了进一步提高半导体产品品质的有效途径。在一些半导体刻蚀工艺中，含氟(F)的刻蚀剂与硅片中的含钛(Ti)的半导体层结构相接触并发生反应，很容易产生一些副产物附着于硅片的表面，比如TiF4。TiF4这种残余物质比较顽固，且肉眼几乎难以察觉，如果对这些残存的TiF4不加处理，会影响后续工艺，导致半导体器件失效。但是，TiF4又不能通过水洗的方法来加以去除，因为TiF4会与水发生反应：TiF4+H20—Ti(OH)4+4HF，产生的HF具有极强的酸性和腐蚀性，同样会对硅片的介质层造成严重的损伤，故而硅片在刻蚀工艺之后通常不会用水去清洗硅片表面。这样一来，TiF4的存在给硅片的加工工艺带来了不小的麻烦，亟待本领域技术人员探寻出可行的方案，来摆脱目前这种进退维谷的局面。专利技术内容为了解决上述棘手的技术问题，本专利技术提供了一种半导体工艺中去除残余物质的方法，专门针对TiF4。采用该方法能够有效的去除硅片表面的TiF4，且不会再有其他影响硅片品质的杂质产生，达到了良好的效果。为了达到上述目的，本专利技术申请特提供了一种可行的技术方案，其具体内容如下：一种半导体工艺中去除残余物质的方法，该方法在工艺环境中实施，所述残余物质为留存在硅片上的TiF4，包括：清洗工艺，所述清洗工艺中由足量的乙醇作溶剂溶解所述TiF4，以对所述硅片加以清洗。优选地，在所述清洗工艺之前，对所述硅片进行加热工艺处理以使所述TiF4升华，所述加热工艺中控制工艺环境的温度高于所述TiF4的升华温度。进一步地，在所述加热工艺中，对所述工艺环境抽真空以降低所述工艺环境中的压强，从而使所述TiF4的升华温度降低。优选地，所述工艺环境中的压强降低至阻燃压强区间，在所述阻燃压强区间中选取的任一压强下，所述TiF4的升华温度低于所述乙醇的燃点。进一步地，所述工艺环境中的压强降低至安全压强区间，在所述安全压强区间中选取的任一压强下，所述TiF4的升华温度低于75℃。进一步地，在所述安全压强下完成所述加热工艺后，将所述工艺环境中的压强恢复至常压，之后再于该工艺环境下进行所述清洗工艺。优选地，所述加热工艺中控制所述工艺环境中的温度在50-500℃。优选地，所述加热工艺中，对所述工艺环境抽真空以使所述工艺环境中的所述TiF4的升华温度低于所述乙醇的沸点和燃点。可选地，所述加热工艺结束后，对原工艺环境进行冷却后再进行清洗工艺；或者，所述加热工艺结束后，更换工艺环境以进行清洗工艺。进一步地，所述清洗工艺结束后，排出工艺环境中的乙醇并对所述工艺环境进行干燥。采用本专利技术申请提供的技术方案，能够对残余的TiF4进行有效的

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