本发明专利技术公开一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6)，冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4)，其特征在于，所述冷端基片(1)上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体；高温导电胶(8)将P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)冷端基片(1)与热端基片(2)粘结成一体，极大地提高了半导体制冷片的耐温温度，通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度，达到实时监测的目的。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6)，冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4)，其特征在于，所述冷端基片(1)上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体；高温导电胶(8)将P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)冷端基片(1)与热端基片(2)粘结成一体，极大地提高了半导体制冷片的耐温温度，通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度，达到实时监测的目的。【专利说明】一种自测温半导体制冷片
本专利技术涉及半导体制冷领域，具体是一种自测温半导体制冷片。
技术介绍
公知的，随着半导体技术的发展，集成电路芯片的引脚数急剧增加，集成电路芯片的功耗与发热量也相应的增加，对集成电路芯片的散热降温就变得尤为重要，对芯片封装的耐高温要求也更加严格；目前一般采用半导体制冷片对集成电路芯片进行降温，为了满足发展的需要，需要有耐高温的制冷片来适应封装。但是受限于常规的封装方式现有的半导体制冷片的耐温温度较低，不能适应对集成电路芯片封装的要求，而且也不能够得知其工作环境的真实温度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种自测温半导体制冷片，该半导体制冷片能够提高自身的耐温温度，利于对集成电路芯片进行封装，并且能够对其工作环境的温度实时监测。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是: 一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片、热端基片以及被夹持在两个基片之间构成PN结的一组P型半导体粒子与N型半导体粒子，冷端基片上还设有正极引线与负极引线，所述冷端基片上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子、N型半导体粒子、冷端基片与热端基片通过高温导电胶粘结成一体。进一步地，所述高温导电胶采用JM7000。进一步地，所述冷端基片与热端基片采用硅片或陶瓷片。上述方案中，高温导电胶作为粘结剂被广泛应用于陶瓷、金属制品当中，具有耐高温、附着力好等优点；测温电路是半导体领域常用的温度传感器，通常利用热敏电阻对温度敏感，不同的温度下表现出不同电阻值的特性来构成。本专利技术的有益效果是，使用高温导电胶将P型半导体粒子、N型半导体粒子冷端基片与热端基片粘结成一体，极大地提高了半导体制冷片的耐温温度，通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度，达到实时监测的目的。【专利附图】【附图说明】下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明: 图1是本专利技术的结构示意图； 图2是本专利技术纵剖面示意图； 1.冷端基片；2.热端基片；3.正极引线；4.负极引线；5.P型半导体粒子；6.N型半导体粒子；7.PN结；8.高温导电胶。【具体实施方式】结合图1及图2所示，冷端基片I与热端基片2之间夹持有构成PN结7的一组P型半导体粒子5与N型半导体粒子6，冷端基片I上还设有正极引线3与负极引线4，所述冷端基片上I还集成有测温电路；所述P型半导体粒子5、N型半导体粒子6、冷端基片I与热端基片2通过高温导电胶8粘结成一体；本实施例中冷端基片I与热端基片2采用硅片或陶瓷片，高温导电胶8采用JM7000。使用时，将冷端基片I和需要降温的集成电路芯片贴合安装，通过正极引线3与负极引线4施加直流电，半导体制冷片即开始制冷工作，通过集成在冷端基片I上的测温电路对半导体制冷片工作环境的温度进行实时监测；本专利技术结构简单，采用了高温导电胶8将P型半导体粒子5、N型半导体粒子6、冷端基片I与热端基片2粘结成一体,极大地提高了半导体制冷片的耐温温度，利于对集成电路芯片进行封装；通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度，达到实时监测的目的。【权利要求】1.一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片(I)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6)，冷端基片(I)上还设有正极引线(3)与负极引线(4)，其特征在于，所述冷端基片(I)上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(I)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体。2.根据权利要求1所述的一种自测温半导体制冷片，其特征在于，所述高温导电胶(8)采用 JM7000。3.根据权利要求1所述的一种自测温半导体制冷片，其特征在于，所述冷端基片⑴与热端基片(2)采用硅片或陶瓷片。【文档编号】H01L35/32GK103531703SQ201310505668【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月24日 优先权日:2013年10月24日 【专利技术者】谢斌, 陈计学, 向圆, 吴慧, 李丙旺, 王涛, 张乐银, 李彪 申请人:华东光电集成器件研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6)，冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4)，其特征在于，所述冷端基片(1)上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢斌，陈计学，向圆，吴慧，李丙旺，王涛，张乐银，李彪，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
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