【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有吸杂作用的多晶硅电池发射极的扩散方法,其特征在于,扩散前在硅片制绒面镀一层二氧化硅膜,扩散为双面扩散并且包含了两步有源扩散和两步吸杂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杨金波,苗丽燕,福克斯·斯蒂芬,刘长明,刘丽芳,苗凤秀,蔡永梅,汤安民,谢斌,谢旭,李仙德,陈康平,金浩,
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司,
类型:发明
国别省市:
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