【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体传输线结构，包括：第一管芯，包括第一衬底、形成在所述第一衬底上方的第一绝缘层以及形成在所述第一绝缘层上方的接地层；第二管芯，包括第二衬底、形成在所述第二衬底上方的第二绝缘层以及形成在所述第二绝缘层上方的信号传输线，所述第二管芯堆叠在所述第一管芯上方并与所述第一管芯间隔开；以及底部填充物，设置在所述第一管芯的接地层和所述第二管芯的信号传输线之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林佑霖，颜孝璁，郭丰维，陈和祥，郭晋玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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