【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种大规模集成电路用高纯钨粉的制备方法,其特征在于,包括以下工艺步骤:(1)煅烧溶解:选用符合GB/T10116?2007中的工业0级仲钨酸铵为原料,在三带旋转管式空气炉进行煅烧形成黄钨,黄钨在50?60℃的浓度为10%氨水中进行溶解,溶液初始浓度200?300g/L,溶解4?8h后形成钨酸铵溶液;(2)过滤:选用10μm和1μm的聚丙烯过滤器两级过滤钨酸铵溶液中的Fe(OH)3、Ca(OH)2不溶物;(3)重结晶:过滤后的钨酸铵溶液在搪瓷反应釜中90?120℃下进行蒸发结晶,搅拌频率50HZ~80HZ,结晶母液密度达到1.08?1.1g/cm3后停止结晶,此时结晶率在60?70%;(4)固液分离、洗涤和干燥:使用配备聚丙烯滤布的离心机进行固液分离得到湿偏钨酸铵APT,偏钨酸铵APT经去离子水清洗至洗涤液呈透明色后送入热风循环烘箱100~120℃干燥18~24h后得到提纯后的高纯偏钨酸铵APT;(5)氢气还原:高纯偏钨酸铵APT在以高纯石英作为炉管的管式还原炉进行氢气还原,还原温度800?900℃,还原时间1.5?2h,装料厚度10?30mm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周武平,宋鹏,王铁军,熊宁,苏维丰,李军,姚惠龙,陈福鸽,
申请(专利权)人:安泰科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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